단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
FFSD2065B

FFSD2065B

DIODE SIL CARB 650V 23.4A DPAK

onsemi

1,771 -
RFQ
FFSD2065B

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.4A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
IDK10G120C5XTMA1

IDK10G120C5XTMA1

DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-1

Infineon Technologies

835 -
RFQ
IDK10G120C5XTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 31.9A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 18 µA @ 1200 V 525pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
DSEI30-12A

DSEI30-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD

IXYS

205 -
RFQ
DSEI30-12A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 26A 2.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 750 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
IDW12G65C5XKSA1

IDW12G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3

Infineon Technologies

268 -
RFQ
IDW12G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
IDH12G65C5XKSA2

IDH12G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1

Infineon Technologies

850 -
RFQ
IDH12G65C5XKSA2

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
STPSC15H12D

STPSC15H12D

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC

STMicroelectronics

2,768 -
RFQ
STPSC15H12D

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
1N5806E3

1N5806E3

DIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL

Microchip Technology

123 -
RFQ
1N5806E3

데이터시트

- Axial Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
APT60D100BG

APT60D100BG

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Microchip Technology

839 -
RFQ
APT60D100BG

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 280 ns 250 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
STBR6012W

STBR6012W

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

STMicroelectronics

516 -
RFQ
STBR6012W

데이터시트

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 60A 1.3 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
DHG30I1200HA

DHG30I1200HA

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

IXYS

300 -
RFQ
DHG30I1200HA

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.26 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
C3D10065I

C3D10065I

DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,325 -
RFQ
C3D10065I

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 19A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
STTH6012WL

STTH6012WL

DIODE GP 1.2KV 60A DO247 LL

STMicroelectronics

946 -
RFQ
STTH6012WL

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.25 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 125 ns 30 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 LL 175°C
STBR6012WY

STBR6012WY

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

STMicroelectronics

112 -
RFQ
STBR6012WY

데이터시트

ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 60A 1.3 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
STBR6008WY

STBR6008WY

DIODE GEN PURP 800V 60A DO247

STMicroelectronics

510 -
RFQ
STBR6008WY

데이터시트

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 800 V 60A 1.1 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
GD30MPS06H

GD30MPS06H

DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

614 -
RFQ
GD30MPS06H

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 49A - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 735pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
VS-HFA25PB60-N3

VS-HFA25PB60-N3

DIODE GP 600V 25A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

385 -
RFQ
VS-HFA25PB60-N3

데이터시트

HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 25A 1.7 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
IDD10SG60CXTMA2

IDD10SG60CXTMA2

DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3

Infineon Technologies

217 -
RFQ
IDD10SG60CXTMA2

데이터시트

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 2.1 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 600 V 290pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
VS-40EPF12-M3

VS-40EPF12-M3

DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

231 -
RFQ
VS-40EPF12-M3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 40A 1.4 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
1N5806USE3

1N5806USE3

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

Microchip Technology

148 -
RFQ
1N5806USE3

데이터시트

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 150 V 1A 975 mV @ 2.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-HFA08PB120-N3

VS-HFA08PB120-N3

DIODE GP 1.2KV 8A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

500 -
RFQ
VS-HFA08PB120-N3

데이터시트

HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 8A 3.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 95 ns 10 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
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