단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
VS-8EWF02S-M3

VS-8EWF02S-M3

DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

879 -
RFQ
VS-8EWF02S-M3

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 200 V 8A 1.2 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 100 µA @ 200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
DHG10I1800PA

DHG10I1800PA

DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC

IXYS

225 -
RFQ
DHG10I1800PA

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active Standard 1800 V 10A 2.23 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 50 µA @ 1800 V 3pF @ 900V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
DUR30120

DUR30120

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AB

Littelfuse Inc.

884 -
RFQ
DUR30120

데이터시트

DUR TO-220-3 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AB -55°C ~ 150°C
STPSC6H065DI

STPSC6H065DI

DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS

STMicroelectronics

800 -
RFQ
STPSC6H065DI

데이터시트

- TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.75 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 60 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
STBR3012WY

STBR3012WY

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247

STMicroelectronics

146 -
RFQ
STBR3012WY

데이터시트

ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 30A 1.3 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
STTH30L06WY

STTH30L06WY

DIODE GEN PURP 600V 30A DO247

STMicroelectronics

374 -
RFQ
STTH30L06WY

데이터시트

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 30A 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
STTH3012W

STTH3012W

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247

STMicroelectronics

720 -
RFQ
STTH3012W

데이터시트

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 30A 2.25 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
C3D04065A

C3D04065A

DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

1,184 -
RFQ
C3D04065A

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 251pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STTH61W04SW

STTH61W04SW

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247

STMicroelectronics

270 -
RFQ
STTH61W04SW

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 60A 1.35 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 20 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247 175°C (Max)
IDDD08G65C6XTMA1

IDDD08G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 24A HDSOP-10

Infineon Technologies

1,875 -
RFQ
IDDD08G65C6XTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 27 µA @ 420 V 401pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
STPSC10065D

STPSC10065D

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

STMicroelectronics

538 -
RFQ
STPSC10065D

데이터시트

ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STPSC10065DLF

STPSC10065DLF

DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT

STMicroelectronics

2,074 -
RFQ
STPSC10065DLF

데이터시트

ECOPACK®2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV -40°C ~ 175°C
VS-E5PH7506L-N3

VS-E5PH7506L-N3

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

303 -
RFQ
VS-E5PH7506L-N3

데이터시트

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 75A 1.7 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 57 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-65EPS12L-M3

VS-65EPS12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

578 -
RFQ
VS-65EPS12L-M3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 65A 1.12 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
UJ3D06520TS

UJ3D06520TS

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

Qorvo

6,004 -
RFQ
UJ3D06520TS

데이터시트

Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 654pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STPSC5H12D

STPSC5H12D

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC

STMicroelectronics

2,772 -
RFQ
STPSC5H12D

데이터시트

ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 450pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STTH31AC06SWL

STTH31AC06SWL

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

STMicroelectronics

187 -
RFQ
STTH31AC06SWL

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 -40°C ~ 175°C
RURG3060-F085

RURG3060-F085

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

onsemi

194 -
RFQ
RURG3060-F085

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 30A 1.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 250 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
STPSC10065DY

STPSC10065DY

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

STMicroelectronics

1,016 -
RFQ
STPSC10065DY

데이터시트

ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STPSC10H065G-TR

STPSC10H065G-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

516 -
RFQ
STPSC10H065G-TR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
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