단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
C6D04065E

C6D04065E

DIODE SIL CARB 650V 16A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,644 -
RFQ
C6D04065E

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.5 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 256pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
ISL9R1560P2-F085

ISL9R1560P2-F085

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2

onsemi

633 -
RFQ
ISL9R1560P2-F085

데이터시트

Stealth™ TO-220-2 Tube Active Avalanche 600 V 15A 2.2 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 100 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
RBQ30NS45BFHTL

RBQ30NS45BFHTL

DIODE SCHOTTKY 45V 30A LPDS

Rohm Semiconductor

995 -
RFQ
RBQ30NS45BFHTL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 30A 590 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 350 µA @ 45 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPDS 150°C (Max)
FFSD0665B

FFSD0665B

DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK

onsemi

854 -
RFQ
FFSD0665B

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9.1A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SDUR3020W

SDUR3020W

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC

SMC Diode Solutions

2,827 -
RFQ
SDUR3020W

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 30A 1.2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
UJ3D1205TS

UJ3D1205TS

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2

Qorvo

27,393 -
RFQ
UJ3D1205TS

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 55 µA @ 1200 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-E5PX7506L-N3

VS-E5PX7506L-N3

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,037 -
RFQ
VS-E5PX7506L-N3

데이터시트

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 75A 2.2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 48 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DSEP15-06A

DSEP15-06A

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

IXYS

210 -
RFQ
DSEP15-06A

데이터시트

HiPerFRED™ TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 15A 2.04 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STPSC4H065D

STPSC4H065D

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC

STMicroelectronics

448 -
RFQ
STPSC4H065D

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.75 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STTH30RQ06W

STTH30RQ06W

DIODE GEN PURP 600V 30A DO247

STMicroelectronics

332 -
RFQ
STTH30RQ06W

데이터시트

ECOPACK® DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
VS-30EPH06L-N3

VS-30EPH06L-N3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,343 -
RFQ
VS-30EPH06L-N3

데이터시트

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -65°C ~ 175°C
MUR3060BS-BP

MUR3060BS-BP

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Micro Commercial Co

1,642 -
RFQ
MUR3060BS-BP

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 5 µA @ 600 V 200pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 150°C
SCS208AGC17

SCS208AGC17

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

901 -
RFQ
SCS208AGC17

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.55 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 160 µA @ 600 V 291pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
VS-20ETF12SLHM3

VS-20ETF12SLHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,426 -
RFQ
VS-20ETF12SLHM3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
APT30D40BG

APT30D40BG

DIODE GP 400V 30A TO247

Microchip Technology

345 -
RFQ
APT30D40BG

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 30A 1.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 32 ns 250 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
STTH3006W

STTH3006W

DIODE GEN PURP 600V 30A DO247

STMicroelectronics

1,882 -
RFQ
STTH3006W

데이터시트

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 30A 1.85 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STPS20M100ST

STPS20M100ST

DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220

STMicroelectronics

679 -
RFQ
STPS20M100ST

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active Schottky 100 V 20A 850 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 100 V - - - Through Hole TO-220 150°C (Max)
UPS840/TR13

UPS840/TR13

DIODE SCHOTTKY 40V 8A POWERMITE3

Microchip Technology

1,835 -
RFQ
UPS840/TR13

데이터시트

- Powermite®3 Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 8A 450 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 40 V - - - Surface Mount Powermite 3 -55°C ~ 125°C
S4D04120A

S4D04120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 4A TO220AC

SMC Diode Solutions

547 -
RFQ
S4D04120A

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 4A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 302pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
FFSD0665B-F085

FFSD0665B-F085

DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK

onsemi

1,948 -
RFQ
FFSD0665B-F085

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9.1A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
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