단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
STPSC2H065B-TR

STPSC2H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK

STMicroelectronics

4,630 -
RFQ
STPSC2H065B-TR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 2A 1.55 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 135pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
VS-10ETS12SLHM3

VS-10ETS12SLHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,097 -
RFQ
VS-10ETS12SLHM3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 10A 1.1 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
STTH25M06FP

STTH25M06FP

DIODE GP 600V 25A TO220FPAC

STMicroelectronics

721 -
RFQ
STTH25M06FP

데이터시트

ECOPACK®2 TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 25A 3.4 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 60 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FPAC 175°C (Max)
DSEP6-06AS-TRL

DSEP6-06AS-TRL

DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA

IXYS

6,001 -
RFQ
DSEP6-06AS-TRL

데이터시트

HiPerFRED™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 6A 2.02 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 50 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA -40°C ~ 175°C
VS-10ETF12-M3

VS-10ETF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,793 -
RFQ
VS-10ETF12-M3

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 10A 1.33 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 310 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
CSD01060A

CSD01060A

DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

7,868 -
RFQ
CSD01060A

데이터시트

Zero Recovery™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 1.8 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 600 V 80pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
FSF10A20

FSF10A20

DIODE GP 200V 10A TO220 FM

KYOCERA AVX

925 -
RFQ
FSF10A20

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 200 V 10A 1.03 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 25 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-220-2 Full-Mold -40°C ~ 150°C
STTH15R06D

STTH15R06D

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

STMicroelectronics

922 -
RFQ
STTH15R06D

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 15A 2.9 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 60 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
IDP30E65D1XKSA1

IDP30E65D1XKSA1

DIODE GP 650V 60A TO220-2-1

Infineon Technologies

645 -
RFQ
IDP30E65D1XKSA1

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active Standard 650 V 60A 1.7 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 64 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO220-2-1 -40°C ~ 175°C
SE30DT12-M3/I

SE30DT12-M3/I

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

866 -
RFQ
SE30DT12-M3/I

데이터시트

eSMP® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3.4 µs 10 µA @ 1200 V 132pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount SMPD -55°C ~ 175°C
VS-E5TH3006THN3

VS-E5TH3006THN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

825 -
RFQ
VS-E5TH3006THN3

데이터시트

FRED Pt® TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 46 ns 20 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STPSC8H065DI

STPSC8H065DI

DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS

STMicroelectronics

793 -
RFQ
STPSC8H065DI

데이터시트

- TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.75 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 80 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
VS-E4PU3006L-N3

VS-E4PU3006L-N3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

436 -
RFQ
VS-E4PU3006L-N3

데이터시트

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
RFUH25NS3STL

RFUH25NS3STL

DIODE GEN PURP 350V 20A LPDS

Rohm Semiconductor

2,121 -
RFQ
RFUH25NS3STL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 350 V 20A 1.45 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 350 V - - - Surface Mount LPDS 150°C
APT40DQ120BG

APT40DQ120BG

DIODE GP 1.2KV 40A TO247

Microchip Technology

251 -
RFQ
APT40DQ120BG

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 40A 3.3 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 350 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
SE20DLG-M3/I

SE20DLG-M3/I

DIODE GEN PURP 400V 3.9A TO263AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,502 -
RFQ
SE20DLG-M3/I

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 3.9A 1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 330 ns 5 µA @ 400 V 160pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AC (SMPD) -55°C ~ 175°C
SDUR3040W

SDUR3040W

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AC

SMC Diode Solutions

866 -
RFQ
SDUR3040W

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 5 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
C3D03060F

C3D03060F

DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-F2

Wolfspeed, Inc.

11,909 -
RFQ
C3D03060F

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 8A 1.7 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 155pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-F2 -55°C ~ 175°C
RFV15TG6SGC9

RFV15TG6SGC9

DIODE GP 600V 15A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

1,228 -
RFQ
RFV15TG6SGC9

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 15A 2.8 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220ACFP 150°C (Max)
IDV30E65D2XKSA1

IDV30E65D2XKSA1

DIODE GP 650V 30A TO220-2FP

Infineon Technologies

508 -
RFQ
IDV30E65D2XKSA1

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 650 V 30A 2.2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 42 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO220-2 Full Pack -40°C ~ 175°C
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