단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
VS-20ETF06SLHM3

VS-20ETF06SLHM3

DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,516 -
RFQ
VS-20ETF06SLHM3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 20A 1.67 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
VS-E5TH3012S2L-M3

VS-E5TH3012S2L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,046 -
RFQ
VS-E5TH3012S2L-M3

데이터시트

FRED Pt® G5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 30A 2.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 113 ns 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
STTH30R06PI

STTH30R06PI

DIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I

STMicroelectronics

2,646 -
RFQ
STTH30R06PI

데이터시트

- DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 30A 1.85 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole DOP3I 175°C (Max)
VS-8EWS16STR-M3

VS-8EWS16STR-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,778 -
RFQ
VS-8EWS16STR-M3

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1600 V 8A 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
VS-E5TH3012S2LHM3

VS-E5TH3012S2LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

176 -
RFQ
VS-E5TH3012S2LHM3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 30A 2.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 113 ns 50 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
VS-3C04ET07S2L-M3

VS-3C04ET07S2L-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,518 -
RFQ
VS-3C04ET07S2L-M3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.5 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 175pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
DHG10I1200PM

DHG10I1200PM

DIODE GP 1.2KV 10A TO220ACFP

IXYS

190 -
RFQ
DHG10I1200PM

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 1200 V 10A 2.69 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 15 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220ACFP -55°C ~ 150°C
STTH3012WL

STTH3012WL

DIODE GP 1.2KV 30A DO247 LL

STMicroelectronics

569 -
RFQ
STTH3012WL

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.25 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 LL 175°C
MSC010SDA070B

MSC010SDA070B

DIODE SIL CARBIDE 700V 24A TO247

Microchip Technology

122 -
RFQ
MSC010SDA070B

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 24A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 700 V 353pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
C3D06060G-TR

C3D06060G-TR

DIODE SIL CARB 600V 19A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

4,800 -
RFQ
C3D06060G-TR

데이터시트

Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 19A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 50 µA @ 600 V 295pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
DSI30-08AS-TRL

DSI30-08AS-TRL

DIODE GEN PURP 800V 30A TO263AA

IXYS

2,782 -
RFQ
DSI30-08AS-TRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 800 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 175°C
IDW40E65D2FKSA1

IDW40E65D2FKSA1

DIODE GP 650V 80A TO247-3-1

Infineon Technologies

2,289 -
RFQ
IDW40E65D2FKSA1

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Standard 650 V 80A 2.3 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-3-1 -40°C ~ 175°C
S4D05120E

S4D05120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A DPAK

SMC Diode Solutions

2,432 -
RFQ
S4D05120E

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 302pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
STPSC8H065B-TR

STPSC8H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK

STMicroelectronics

13,754 -
RFQ
STPSC8H065B-TR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 414pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
VS-20ETF12THM3

VS-20ETF12THM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

848 -
RFQ
VS-20ETF12THM3

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
C6D06065G-TR

C6D06065G-TR

DIODE SIL CARB 650V 23A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

2,423 -
RFQ
C6D06065G-TR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.4 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 393pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C6D06065Q-TR

C6D06065Q-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 21A 4QFN

Wolfspeed, Inc.

2,173 -
RFQ
C6D06065Q-TR

데이터시트

- 4-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 21A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 393pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-QFN (8x8) -55°C ~ 175°C
C6D06065G

C6D06065G

DIODE SIL CARB 650V 23A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

1,121 -
RFQ
C6D06065G

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.4 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 393pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C6D06065A

C6D06065A

DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

773 -
RFQ
C6D06065A

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 394pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IDW75E60FKSA1

IDW75E60FKSA1

DIODE GP 600V 120A TO247-3-1

Infineon Technologies

454 -
RFQ
IDW75E60FKSA1

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 120A 2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 121 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
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