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0755-82798135단일 다이오드
단일 다이오드
TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.
당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STPSC10065G2-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK |
1,206 | - |
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데이터시트 |
ECOPACK®2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 10A | 1.45 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 130 µA @ 650 V | 670pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
|
DMA30E1800HADIODE GEN PURP 1.8KV 30A TO247 |
300 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1800 V | 30A | 1.25 V @ 30 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 40 µA @ 1800 V | 10pF @ 400V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247 | -55°C ~ 175°C |
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|
MSC010SDA120KDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220 |
178 | - |
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데이터시트 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | - | - | - | - | Through Hole | TO-220-2 | - |
|
DSI45-12ADIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD |
635 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 45A | 1.28 V @ 45 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 20 µA @ 1200 V | 18pF @ 400V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 175°C |
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C6D08065EDIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2 |
767 | - |
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데이터시트 |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 29A | 1.5 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 40 µA @ 650 V | 518pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
C6D08065GDIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2 |
653 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 30A | 1.4 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 650 V | 518pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263-2 | -55°C ~ 175°C |
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IDH08G120C5XKSA1DIODE SIL CARB 1.2KV TO220-1 |
285 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 22.8A | 1.95 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 40 µA @ 1200 V | 365pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-1 | -55°C ~ 175°C |
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SIC0860P-BPDIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC |
4,804 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 8A | 1.6 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 36 µA @ 650 V | 30pF @ 400V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |
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STPSC10H065G2-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK |
1,278 | - |
|
데이터시트 |
ECOPACK®2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 10A | 1.75 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 480pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
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CD5819DIODE SCHOTTKY 40V 1A DIE |
392 | - |
|
데이터시트 |
- | Die | Bulk | Active | Schottky | 40 V | 1A | 600 mV @ 1 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 40 V | - | Military | MIL-PRF-19500/586 | Surface Mount | Die | -55°C ~ 125°C |
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VS-60APH03-N3DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC |
220 | - |
|
데이터시트 |
FRED Pt® | TO-247-3 | Tube | Active | Standard | 300 V | 60A | 1.45 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 42 ns | 10 µA @ 300 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC | -55°C ~ 175°C |
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VS-75EPU12L-N3DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD |
813 | - |
|
데이터시트 |
FRED Pt® | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 75A | 2.55 V @ 75 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 265 ns | 420 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -55°C ~ 175°C |
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DNA30EM2200PZ-TUBDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263HV |
441 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | Standard | 2200 V | 30A | 1.26 V @ 30 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 40 µA @ 2200 V | 7pF @ 700V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263HV | -55°C ~ 175°C |
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STTH60RQ06WDIODE GEN PURP 600V 60A DO247 |
313 | - |
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데이터시트 |
- | DO-247-2 (Straight Leads) | Tube | Active | Standard | 600 V | 60A | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 65 ns | 80 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | DO-247 | 175°C (Max) |
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SCS206AJTLLDIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB |
2,842 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 6A | 1.55 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 120 µA @ 600 V | 219pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263AB | 175°C (Max) |
|
SCS306AJTLLDIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL |
2,023 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 6A | 1.5 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 30 µA @ 650 V | 300pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | LPTL | 175°C (Max) |
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GD10MPS12HDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 |
540 | - |
|
데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | - | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | - | - | - | - | Through Hole | TO-247-2 | 175°C |
|
VS-35EPF12LHM3DIODE GEN PURP 1.2KV 35A TO247AD |
169 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 35A | 1.47 V @ 35 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 450 ns | 100 µA @ 1200 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 150°C |
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MSC010SDA120BDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247 |
1,511 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 | - |
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JAN1N5552DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL |
152 | - |
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데이터시트 |
- | B, Axial | Bulk | Active | Standard | 600 V | 3A | 1.2 V @ 9 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 2 µs | 1 µA @ 600 V | - | Military | MIL-PRF-19500/420 | Through Hole | B, Axial | -65°C ~ 175°C |
