단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
STPSC10065G2-TR

STPSC10065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,206 -
RFQ
STPSC10065G2-TR

데이터시트

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
DMA30E1800HA

DMA30E1800HA

DIODE GEN PURP 1.8KV 30A TO247

IXYS

300 -
RFQ
DMA30E1800HA

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 30A 1.25 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1800 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
MSC010SDA120K

MSC010SDA120K

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220

Microchip Technology

178 -
RFQ
MSC010SDA120K

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 -
DSI45-12A

DSI45-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD

IXYS

635 -
RFQ
DSI45-12A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 45A 1.28 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 18pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 175°C
C6D08065E

C6D08065E

DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

767 -
RFQ
C6D08065E

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D08065G

C6D08065G

DIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

653 -
RFQ
C6D08065G

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.4 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
IDH08G120C5XKSA1

IDH08G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV TO220-1

Infineon Technologies

285 -
RFQ
IDH08G120C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22.8A 1.95 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 365pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
SIC0860P-BP

SIC0860P-BP

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

Micro Commercial Co

4,804 -
RFQ
SIC0860P-BP

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.6 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 36 µA @ 650 V 30pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STPSC10H065G2-TR

STPSC10H065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,278 -
RFQ
STPSC10H065G2-TR

데이터시트

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
CD5819

CD5819

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DIE

Microchip Technology

392 -
RFQ
CD5819

데이터시트

- Die Bulk Active Schottky 40 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount Die -55°C ~ 125°C
VS-60APH03-N3

VS-60APH03-N3

DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

220 -
RFQ
VS-60APH03-N3

데이터시트

FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 300 V 60A 1.45 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 42 ns 10 µA @ 300 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
VS-75EPU12L-N3

VS-75EPU12L-N3

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

813 -
RFQ
VS-75EPU12L-N3

데이터시트

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 75A 2.55 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 265 ns 420 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DNA30EM2200PZ-TUB

DNA30EM2200PZ-TUB

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263HV

IXYS

441 -
RFQ
DNA30EM2200PZ-TUB

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263HV -55°C ~ 175°C
STTH60RQ06W

STTH60RQ06W

DIODE GEN PURP 600V 60A DO247

STMicroelectronics

313 -
RFQ
STTH60RQ06W

데이터시트

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 60A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 80 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
SCS206AJTLL

SCS206AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB

Rohm Semiconductor

2,842 -
RFQ
SCS206AJTLL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.55 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 600 V 219pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
SCS306AJTLL

SCS306AJTLL

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL

Rohm Semiconductor

2,023 -
RFQ
SCS306AJTLL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
GD10MPS12H

GD10MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

540 -
RFQ
GD10MPS12H

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247-2 175°C
VS-35EPF12LHM3

VS-35EPF12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

169 -
RFQ
VS-35EPF12LHM3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 35A 1.47 V @ 35 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
MSC010SDA120B

MSC010SDA120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247

Microchip Technology

1,511 -
RFQ
MSC010SDA120B

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 -
JAN1N5552

JAN1N5552

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

152 -
RFQ
JAN1N5552

데이터시트

- B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
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