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0755-82798135단일 다이오드
단일 다이오드
TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.
당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCS210AGC17DIODE SIC 650V 10A TO220ACFP |
1,918 | - |
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데이터시트 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 10A | 1.55 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 365pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220ACFP | 175°C |
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STTH3006PIDIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I |
444 | - |
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데이터시트 |
- | DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) | Tube | Active | Standard | 600 V | 30A | 1.85 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 70 ns | 25 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | DOP3I | 175°C (Max) |
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VS-E5PH6012LHN3DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD |
334 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 60A | 2.5 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 130 ns | 50 µA @ 1200 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247AD | -55°C ~ 175°C |
|
VS-E5PH6012L-N3DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD |
113 | - |
|
데이터시트 |
FRED Pt® | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 60A | 2.3 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 130 ns | 50 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -55°C ~ 175°C |
|
S4D08120EDIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A DPAK |
2,606 | - |
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데이터시트 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 8A | 1.8 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 15 µA @ 1200 V | 560pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DPAK | -55°C ~ 175°C |
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SCS206AGC17DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACFP |
638 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 6A | 1.55 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 120 µA @ 600 V | 219pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220ACFP | 175°C |
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VS-E5PX6012L-N3DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD |
165 | - |
|
데이터시트 |
FRED Pt® | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 60A | 3.15 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 120 ns | 50 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -55°C ~ 175°C |
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1N5619DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL |
301 | - |
|
데이터시트 |
- | A, Axial | Bulk | Active | Standard | 600 V | 1A | 1.6 V @ 3 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 250 ns | 500 nA @ 600 V | 25pF @ 12V, 1MHz | - | - | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 175°C |
|
VS-40EPS08-M3DIODE GP 800V 40A TO247AC |
678 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 800 V | 40A | 1 V @ 20 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 800 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC Modified | -40°C ~ 150°C |
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VS-65PQ015-N3DIODE SCHOTTKY 15V 65A TO247AC |
103 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-3 | Tube | Active | Schottky | 15 V | 65A | 500 mV @ 65 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 18 mA @ 15 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC | -55°C ~ 125°C |
|
VS-E5PH7512L-N3DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD |
3,490 | - |
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데이터시트 |
FRED Pt® Gen 5 | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 75A | 2.6 V @ 75 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 145 ns | 50 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -55°C ~ 175°C |
|
RRD20TJ10SGC9DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220ACFP |
219 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-220-2 Full Pack | Tube | Active | Standard | 1000 V | 20A | 1.05 V @ 20 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 10 µA @ 1000 V | - | - | - | Through Hole | TO-220ACFP | 150°C |
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C3D06065EDIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2 |
1,387 | - |
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데이터시트 |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Not For New Designs | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 20A | 1.7 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 295pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
IDH08SG60CXKSA2DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-1 |
1,662 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 8A | 2.1 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 70 µA @ 600 V | 240pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-1 | -55°C ~ 175°C |
|
VS-30EPF12-M3DIODE GP 1.2KV 30A TO247AC |
443 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 30A | 1.41 V @ 30 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC Modified | -40°C ~ 150°C |
|
VS-30EPF06-M3DIODE GP 600V 30A TO247AC |
500 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 600 V | 30A | 1.41 V @ 30 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC Modified | -40°C ~ 150°C |
|
C6D10065G-TRDIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2 |
1,525 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 36A | 1.4 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 650 V | 611pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263-2 | -55°C ~ 175°C |
|
C6D10065GDIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2 |
253 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 36A | 1.4 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 650 V | 611pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263-2 | -55°C ~ 175°C |
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FFSP2065B-F085DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2 |
660 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 20A | 1.7 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 40 µA @ 650 V | 866pF @ 1V, 100kHz | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
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DSA1-18DDIODE AVALANCHE 1.8KV 2.3A |
262 | - |
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데이터시트 |
- | Radial | Bulk | Active | Avalanche | 1800 V | 2.3A | 1.34 V @ 7 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 700 µA @ 1800 V | - | - | - | Through Hole | - | -40°C ~ 150°C |
