단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N5553

1N5553

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Microchip Technology

251 -
RFQ
1N5553

데이터시트

- B, Axial Bulk Active Standard 800 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 800 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
FFSD10120A

FFSD10120A

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV TO252AA

onsemi

1,706 -
RFQ
FFSD10120A

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V - 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252AA -
1N5551US

1N5551US

DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B

Microchip Technology

165 -
RFQ
1N5551US

데이터시트

- SQ-MELF, E Bulk Active Standard 400 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 400 V - - - Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
IDH12SG60CXKSA2

IDH12SG60CXKSA2

DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-1

Infineon Technologies

396 -
RFQ
IDH12SG60CXKSA2

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 12A 2.1 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 600 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
VS-3C20ET07T-M3

VS-3C20ET07T-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

788 -
RFQ
VS-3C20ET07T-M3

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 845pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STPSC20065DI

STPSC20065DI

DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS

STMicroelectronics

599 -
RFQ
STPSC20065DI

데이터시트

ECOPACK®2 TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 650 V 1250pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
MSC030SDA070B

MSC030SDA070B

DIODE SIL CARBIDE 700V 60A TO247

Microchip Technology

118 -
RFQ
MSC030SDA070B

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 60A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 700 V 1200pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
DSP45-18A

DSP45-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 45A TO247

IXYS

5,823 -
RFQ
DSP45-18A

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Standard 1800 V 45A 1.26 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1800 V 18pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-247 (IXTH) -40°C ~ 175°C
FFSP3065B

FFSP3065B

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

onsemi

1,216 -
RFQ
FFSP3065B

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-40EPF02-M3

VS-40EPF02-M3

DIODE GP 200V 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

466 -
RFQ
VS-40EPF02-M3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 40A 1.25 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
IDH16G120C5XKSA1

IDH16G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220-1

Infineon Technologies

243 -
RFQ
IDH16G120C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 16A 1.95 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
C3D16065A

C3D16065A

DIODE SIL CARB 650V 39A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,048 -
RFQ
C3D16065A

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 39A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 95 µA @ 650 V 878pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-80APS08-M3

VS-80APS08-M3

DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,237 -
RFQ
VS-80APS08-M3

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Standard 800 V 80A 1.17 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
DSEI60-10A

DSEI60-10A

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AD

IXYS

287 -
RFQ
DSEI60-10A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 60A 2.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 3 mA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
S4D20120H

S4D20120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247AC

SMC Diode Solutions

300 -
RFQ
S4D20120H

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 721pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
IDK16G120C5XTMA1

IDK16G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO263-1

Infineon Technologies

437 -
RFQ
IDK16G120C5XTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.95 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 80 µA @ 1200 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
SCS215AJTLL

SCS215AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB

Rohm Semiconductor

3,996 -
RFQ
SCS215AJTLL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
S3D50065D1

S3D50065D1

DIODE SIL CARB 650V 112A TO247AD

SMC Diode Solutions

244 -
RFQ
S3D50065D1

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 112A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 3100pF @ 0V, 100MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
STPSC20065DY

STPSC20065DY

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

STMicroelectronics

498 -
RFQ
STPSC20065DY

데이터시트

ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 600 V 1250pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
VS-HFA16PB120-N3

VS-HFA16PB120-N3

DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

891 -
RFQ
VS-HFA16PB120-N3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 16A 3 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 20 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
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