단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
DNA30E2200FE

DNA30E2200FE

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC

IXYS

109 -
RFQ
DNA30E2200FE

데이터시트

- TO-251-2, IPAK Tube Active Standard 2200 V 30A 1.25 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Through Hole i4-PAC -55°C ~ 175°C
FFSH3065B-F085

FFSH3065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2

onsemi

466 -
RFQ
FFSH3065B-F085

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 37A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1260pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C6D20065A

C6D20065A

DIODE SIL CARB 650V 66A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

351 -
RFQ
C6D20065A

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 66A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 1153pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-40HFR120

VS-40HFR120

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

106 -
RFQ
VS-40HFR120

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
STPSC15H12G2Y-TR

STPSC15H12G2Y-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A D2PAK

STMicroelectronics

931 -
RFQ
STPSC15H12G2Y-TR

데이터시트

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
UJ3D1220KSD

UJ3D1220KSD

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3

Qorvo

1,188 -
RFQ
UJ3D1220KSD

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 220 µA @ 1200 V 1020pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
1N3891

1N3891

DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

887 -
RFQ
1N3891

데이터시트

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
VS-60EPF12-M3

VS-60EPF12-M3

DIODE GP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

494 -
RFQ
VS-60EPF12-M3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
1N3595US

1N3595US

DIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF

Microchip Technology

158 -
RFQ
1N3595US

데이터시트

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard - 4A 1 V @ 200 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3 µs 1 nA @ 125 V - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
DSEP15-12CR

DSEP15-12CR

DIODE GP 1.2KV 15A ISOPLUS247

IXYS

265 -
RFQ
DSEP15-12CR

데이터시트

HiPerDynFRED™ TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 15A 4.04 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole ISOPLUS247™ -55°C ~ 175°C
1N1184

1N1184

DIODE GEN PURP 100V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

191 -
RFQ
1N1184

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
CDLL5711

CDLL5711

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Microchip Technology

265 -
RFQ
CDLL5711

데이터시트

- DO-213AA Bulk Active Schottky 50 V 33mA 410 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
1N1184A

1N1184A

DIODE GEN PURP 100V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

260 -
RFQ
1N1184A

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
SCS320AJTLL

SCS320AJTLL

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTL

Rohm Semiconductor

612 -
RFQ
SCS320AJTLL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 1000pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
1N5416US

1N5416US

DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B

Microchip Technology

111 -
RFQ
1N5416US

데이터시트

- SQ-MELF, E Bulk Active Standard 100 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 100 V - - - Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
MSC030SDA120B

MSC030SDA120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247

Microchip Technology

1,046 -
RFQ
MSC030SDA120B

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.5 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 -
DSEP60-12A

DSEP60-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD

IXYS

258 -
RFQ
DSEP60-12A

데이터시트

HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.66 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 650 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DSEP90-12AZ-TUB

DSEP90-12AZ-TUB

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO268AA

IXYS

156 -
RFQ
DSEP90-12AZ-TUB

데이터시트

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard 1200 V 90A 2.69 V @ 90 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 1 mA @ 1200 V 48pF @ 600V, 1MHz - - Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV) -55°C ~ 175°C
VS-88HF80

VS-88HF80

DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

152 -
RFQ
VS-88HF80

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
1N2130AR

1N2130AR

DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5

GeneSiC Semiconductor

245 -
RFQ
1N2130AR

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 60A 1.1 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
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