단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
STPSC10H12WL

STPSC10H12WL

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A DO247

STMicroelectronics

244 -
RFQ
STPSC10H12WL

데이터시트

ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
VS-25FR40

VS-25FR40

DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

101 -
RFQ
VS-25FR40

데이터시트

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 25A 1.3 V @ 78 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
CDLL5819

CDLL5819

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

144 -
RFQ
CDLL5819

데이터시트

- DO-213AB, MELF Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 125°C
STPSC10H12DY

STPSC10H12DY

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

STMicroelectronics

125 -
RFQ
STPSC10H12DY

데이터시트

ECOPACK® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
1N5617US

1N5617US

DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

Microchip Technology

608 -
RFQ
1N5617US

데이터시트

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V 35pF @ 12V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-60APU02-N3

VS-60APU02-N3

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

438 -
RFQ
VS-60APU02-N3

데이터시트

FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 200 V 60A 1.08 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 28 ns 50 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
SCS210AJTLL

SCS210AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB

Rohm Semiconductor

1,249 -
RFQ
SCS210AJTLL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.55 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 365pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
STTH6012W

STTH6012W

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

STMicroelectronics

4,917 -
RFQ
STTH6012W

데이터시트

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 60A 2.25 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 125 ns 30 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
GD20MPS12A

GD20MPS12A

DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

2,307 -
RFQ
GD20MPS12A

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 42A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 737pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-65EPF12LHM3

VS-65EPF12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

140 -
RFQ
VS-65EPF12LHM3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 65A 1.42 V @ 65 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
FFSP10120A

FFSP10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220L

onsemi

689 -
RFQ
FFSP10120A

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.75 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
JANTX1N5804

JANTX1N5804

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Microchip Technology

148 -
RFQ
JANTX1N5804

데이터시트

- A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N5711-1

1N5711-1

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Microchip Technology

836 -
RFQ
1N5711-1

데이터시트

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 70 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
VS-40HF10

VS-40HF10

DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

102 -
RFQ
VS-40HF10

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
SCS205KGC17

SCS205KGC17

DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

740 -
RFQ
SCS205KGC17

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 270pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
DPG60I400HA

DPG60I400HA

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247

IXYS

284 -
RFQ
DPG60I400HA

데이터시트

HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 60A 1.47 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 1 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
C3D08065I

C3D08065I

DIODE SIL CARB 650V 16.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

178 -
RFQ
C3D08065I

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
STPSC20065D

STPSC20065D

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

STMicroelectronics

975 -
RFQ
STPSC20065D

데이터시트

ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 650 V 1250pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
IDH16G65C5XKSA2

IDH16G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1

Infineon Technologies

1,984 -
RFQ
IDH16G65C5XKSA2

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
VS-1N3890R

VS-1N3890R

DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

181 -
RFQ
VS-1N3890R

데이터시트

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
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