FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
SI7454DP-T1-E3

SI7454DP-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

6,664 -
RFQ
SI7454DP-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5A (Ta) 6V, 10V 34mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V - - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
PMPB09R5TPX

PMPB09R5TPX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE

Nexperia USA Inc.

3,000 -
RFQ
PMPB09R5TPX

데이터시트

TrenchMOS™ 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 10.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 11.5mOhm @ 10.5A, 4.5V 1V @ 250µA 29 nC @ 4.5 V ±12V 1730 pF @ 10 V - 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020M-6
IRF510

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Vishay Siliconix

4,208 -
RFQ
IRF510

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) 10V 540mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9510

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

Vishay Siliconix

6,857 -
RFQ
IRF9510

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF840

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Vishay Siliconix

3,663 -
RFQ
IRF840

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFD110

IRFD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Vishay Siliconix

3,745 -
RFQ
IRFD110

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) 10V 540mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD9113

IRFD9113

MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP

Vishay Siliconix

5,738 -
RFQ

-

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 600mA (Ta) - 1.6Ohm @ 300mA, 10V - 15 nC @ 15 V - 250 pF @ 25 V - - - - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD9110

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Vishay Siliconix

7,453 -
RFQ
IRFD9110

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 700mA (Ta) 10V 1.2Ohm @ 420mA, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD9120

IRFD9120

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

Vishay Siliconix

2,052 -
RFQ
IRFD9120

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) 10V 600mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRF9630

IRF9630

MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB

Vishay Siliconix

9,901 -
RFQ
IRF9630

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6.5A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF610

IRF610

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB

Vishay Siliconix

9,351 -
RFQ
IRF610

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF530

IRF530

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

Vishay Siliconix

7,053 -
RFQ
IRF530

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF620

IRF620

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

Vishay Siliconix

5,210 -
RFQ
IRF620

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.2A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 50W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF730

IRF730

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

Vishay Siliconix

2,891 -
RFQ
IRF730

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF740

IRF740

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

Vishay Siliconix

4,826 -
RFQ
IRF740

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF820

IRF820

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB

Vishay Siliconix

5,456 -
RFQ
IRF820

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.5A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF830

IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

Vishay Siliconix

2,803 -
RFQ
IRF830

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF720

IRF720

MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB

Vishay Siliconix

3,649 -
RFQ
IRF720

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.3A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF710

IRF710

MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB

Vishay Siliconix

7,837 -
RFQ
IRF710

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9640

IRF9640

MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB

Vishay Siliconix

2,237 -
RFQ
IRF9640

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
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