FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
JANSR2N7268U

JANSR2N7268U

MOSFET N-CH 100V 34A U1

Microsemi Corporation

6,279 -
RFQ
JANSR2N7268U

데이터시트

- 3-SMD, No Lead Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 34A (Tc) 12V 70mOhm @ 34A, 12V 4V @ 1mA 160 nC @ 12 V ±20V - - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C Military MIL-PRF-19500/603 Surface Mount U1 (SMD-1)
APTM120UM70DAG

APTM120UM70DAG

MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

Microchip Technology

5,659 -
RFQ
APTM120UM70DAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 171A (Tc) 10V 80mOhm @ 85.5A, 10V 5V @ 30mA 1650 nC @ 10 V ±30V 43500 pF @ 25 V - 5000W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
JANSR2N7269

JANSR2N7269

MOSFET N-CH 200V 26A TO254AA

Microsemi Corporation

7,457 -
RFQ
JANSR2N7269

데이터시트

- TO-254-3, TO-254AA Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 26A (Tc) 12V 110mOhm @ 26A, 12V 4V @ 1mA 170 nC @ 12 V ±20V - - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C Military MIL-PRF-19500/603 Through Hole TO-254AA
JANSR2N7269U

JANSR2N7269U

MOSFET N-CH 200V 26A U1

Microsemi Corporation

2,310 -
RFQ
JANSR2N7269U

데이터시트

- 3-SMD, No Lead Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 26A (Tc) 12V 110mOhm @ 26A, 12V 4V @ 1mA 170 nC @ 12 V ±20V - - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C Military MIL-PRF-19500/603 Surface Mount U1 (SMD-1)
APTM50UM09FAG

APTM50UM09FAG

MOSFET N-CH 500V 497A SP6

Microchip Technology

3,178 -
RFQ
APTM50UM09FAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 497A (Tc) 10V 10mOhm @ 248.5A, 10V 5V @ 30mA 1200 nC @ 10 V ±30V 63300 pF @ 25 V - 5000W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM100UM65SCAVG

APTM100UM65SCAVG

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Microchip Technology

6,962 -
RFQ
APTM100UM65SCAVG

데이터시트

POWER MOS 7® Module Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 145A (Tc) 10V 78mOhm @ 72.5A, 10V 5V @ 20mA 1068 nC @ 10 V ±30V 28500 pF @ 25 V - 3250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM100UM45FAG

APTM100UM45FAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Microchip Technology

7,274 -
RFQ
APTM100UM45FAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 215A (Tc) 10V 52mOhm @ 107.5A, 10V 5V @ 30mA 1602 nC @ 10 V ±30V 42700 pF @ 25 V - 5000W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
JANSR2N7593U3

JANSR2N7593U3

RH MOSFET _ U3

Microchip Technology

5,486 -
RFQ

-

- 3-SMD, No Lead Tray Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 12.4A (Tc) 12V 210mOhm @ 7.8A, 12V 4V @ 1mA 50 nC @ 12 V ±20V - - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U3 (SMD-0.5)
JANSR2N7587U3

JANSR2N7587U3

RH MOSFET 100V U3

Microchip Technology

3,608 -
RFQ

-

- 3-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 22A (Tc) 12V 38mOhm @ 19A, 12V 4.48V @ 1mA 34 nC @ 12 V ±20V 2165 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U3 (SMD-0.5)
MRH15N19U3SR

MRH15N19U3SR

RH MOSFET 150V U3

Microchip Technology

7,584 -
RFQ

-

- 3-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 19A (Tc) 12V 88mOhm @ 12A, 12V 4V @ 1mA 50 nC @ 12 V ±20V 2140 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U3 (SMD-0.5)
MRH10N22U3SR

MRH10N22U3SR

RH MOSFET 100V U3

Microchip Technology

9,096 -
RFQ

-

- 3-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 22A (Tc) 12V 38mOhm @ 19A, 12V 4.48V @ 1mA 34 nC @ 12 V ±20V 2165 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U3 (SMD-0.5)
JANSR2N7589U3

JANSR2N7589U3

RH MOSFET 150V U3

Microchip Technology

4,727 -
RFQ

-

- 3-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 19A (Tc) 12V 88mOhm @ 12A, 12V 4V @ 1mA 50 nC @ 12 V ±20V 2140 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Military MIL-STD-750 Surface Mount U3 (SMD-0.5)
JANSF2N7383

JANSF2N7383

P CHANNEL MOSFET TO-257

Microsemi Corporation

2,349 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - 6.5A (Tc) - - - - - - - - - - - - -
APTM120UM70FAG

APTM120UM70FAG

MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

Microchip Technology

3,563 -
RFQ
APTM120UM70FAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 171A (Tc) 10V 80mOhm @ 85.5A, 10V 5V @ 30mA 1650 nC @ 10 V ±30V 43500 pF @ 25 V - 5000W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
MRH25N12U3SR

MRH25N12U3SR

RH MOSFET 250V U3

Microchip Technology

8,768 -
RFQ
MRH25N12U3SR

데이터시트

- 3-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 12.4A (Tc) 12V 210mOhm @ 7.8A, 12V 4V @ 1mA 50 nC @ 12 V ±20V 1980 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U3 (SMD-0.5)
GA50JT06-258

GA50JT06-258

TRANS SJT 600V 100A TO258

GeneSiC Semiconductor

7,151 -
RFQ
GA50JT06-258

데이터시트

- TO-258-3, TO-258AA Bulk Active - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 600 V 100A (Tc) - 25mOhm @ 50A - - - - - 769W (Tc) -55°C ~ 225°C (TJ) - - Through Hole TO-258
MRH20N45T1SR

MRH20N45T1SR

RH MOSFET 200V TO-254AA

Microchip Technology

7,453 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MRH25N45T1SR

MRH25N45T1SR

RH MOSFET 250V TO-254AA

Microchip Technology

5,811 -
RFQ
MRH25N45T1SR

데이터시트

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MRH25N50U2SR

MRH25N50U2SR

RH MOSFET 250V U2

Microchip Technology

4,699 -
RFQ

-

- TO-276AC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 50A - - - - - - - - - - - Surface Mount SMD-2
BSM600C12P3G201

BSM600C12P3G201

SICFET N-CH 1200V 600A MODULE

Rohm Semiconductor

4,061 -
RFQ
BSM600C12P3G201

데이터시트

- Module Tray Not For New Designs N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 600A (Tc) - - 5.6V @ 182mA - +22V, -4V 28000 pF @ 10 V - 2460W (Tc) 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
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