FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
JANSR2N7389

JANSR2N7389

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF

Microsemi Corporation

5,264 -
RFQ
JANSR2N7389

데이터시트

- TO-205AF Metal Can Tray Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.5A (Tc) 12V 350mOhm @ 6.5A, 12V 4V @ 1mA 45 nC @ 12 V ±20V - - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C Military MIL-PRF-19500/630 Through Hole TO-205AF (TO-39)
JANSR2N7262U

JANSR2N7262U

MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC

Microsemi Corporation

8,950 -
RFQ
JANSR2N7262U

데이터시트

- 18-CLCC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.5A (Tc) 12V 364mOhm @ 5.5A, 12V 4V @ 1mA 50 nC @ 12 V ±20V - - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C Military MIL-PRF-19500/601 Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
APTM50UM13SAG

APTM50UM13SAG

MOSFET N-CH 500V 335A SP6

Microchip Technology

2,962 -
RFQ
APTM50UM13SAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 335A (Tc) 10V 15mOhm @ 167.5A, 10V 5V @ 20mA 800 nC @ 10 V ±30V 42200 pF @ 25 V - 3290W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM100UM65DAG

APTM100UM65DAG

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Microchip Technology

9,959 -
RFQ
APTM100UM65DAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 145A (Tc) 10V 78mOhm @ 72.5A, 10V 5V @ 20mA 1068 nC @ 10 V ±30V 28500 pF @ 25 V - 3250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM120U10SAG

APTM120U10SAG

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Microchip Technology

6,912 -
RFQ
APTM120U10SAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 116A (Tc) 10V 120mOhm @ 58A, 10V 5V @ 20mA 1100 nC @ 10 V ±30V 28900 pF @ 25 V - 3290W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
JANSR2N7261U

JANSR2N7261U

MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC

Microsemi Corporation

2,680 -
RFQ
JANSR2N7261U

데이터시트

- 18-CLCC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8A (Tc) 12V 185mOhm @ 8A, 12V 4V @ 1mA 50 nC @ 12 V ±20V - - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C Military MIL-PRF-19500/601 Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
APTM100UM65SAG

APTM100UM65SAG

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Microchip Technology

6,666 -
RFQ
APTM100UM65SAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 145A (Tc) 10V 78mOhm @ 72.5A, 10V 5V @ 20mA 1068 nC @ 10 V ±30V 28500 pF @ 25 V - 3250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
JANSR2N7380

JANSR2N7380

MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257

Microsemi Corporation

7,291 -
RFQ
JANSR2N7380

데이터시트

- TO-257-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14.4A (Tc) 12V 200mOhm @ 14.4A, 12V 4V @ 1mA 40 nC @ 12 V ±20V - - 2W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/614 Through Hole TO-257
APTM20UM03FAG

APTM20UM03FAG

MOSFET N-CH 200V 580A SP6

Microchip Technology

6,457 -
RFQ
APTM20UM03FAG

데이터시트

POWER MOS 7® SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 580A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 290A, 10V 5V @ 15mA 840 nC @ 10 V ±30V 43300 pF @ 25 V - 2270W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Microchip Technology

8,412 -
RFQ
APTM10UM01FAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 860A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 275A, 10V 4V @ 12mA 2100 nC @ 10 V ±30V 60000 pF @ 25 V - 2500W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
2N6661JTX02

2N6661JTX02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

Vishay Siliconix

4,689 -
RFQ
2N6661JTX02

데이터시트

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
JANSR2N7381

JANSR2N7381

MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257

Microsemi Corporation

4,210 -
RFQ
JANSR2N7381

데이터시트

- TO-257-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.4A (Tc) 12V 490mOhm @ 9.4A, 12V 4V @ 1mA 50 nC @ 12 V ±20V - - 2W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/614 Through Hole TO-257
JANSR2N7389U

JANSR2N7389U

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC

Microsemi Corporation

4,983 -
RFQ
JANSR2N7389U

데이터시트

- 18-CLCC Tray Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.5A (Tc) 12V 350mOhm @ 6.5A, 12V 4V @ 1mA 45 nC @ 12 V ±20V - - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C Military MIL-PRF-19500/630 Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
APTM100UM60FAG

APTM100UM60FAG

MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

Microchip Technology

2,284 -
RFQ
APTM100UM60FAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 129A (Tc) 10V 70mOhm @ 64.5A, 10V 5V @ 15mA 1116 nC @ 10 V ±30V 31100 pF @ 25 V - 2272W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
2N6661JTXP02

2N6661JTXP02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

Vishay Siliconix

2,473 -
RFQ
2N6661JTXP02

데이터시트

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
JANTXV2N6898

JANTXV2N6898

MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3

Microsemi Corporation

3,514 -
RFQ

-

- TO-204AA, TO-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 25A (Tc) 10V 200mOhm @ 15.8A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 3000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Military - Through Hole TO-3
JANSR2N7292

JANSR2N7292

25A, 100V, 0.070 OHM, RAD HARD,

Harris Corporation

1 -
RFQ
JANSR2N7292

데이터시트

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 25A (Tc) 10V 70mOhm @ 20A, 10V 5V @ 1mA 552 nC @ 20 V ±20V - - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-254AA
APTM120U10SCAVG

APTM120U10SCAVG

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Microchip Technology

8,149 -
RFQ
APTM120U10SCAVG

데이터시트

POWER MOS 7® SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 116A (Tc) 10V 120mOhm @ 58A, 10V 5V @ 20mA 1100 nC @ 10 V ±30V 28900 pF @ 25 V - 3290W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
2N6661JTVP02

2N6661JTVP02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

Vishay Siliconix

4,205 -
RFQ
2N6661JTVP02

데이터시트

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
JANTX2N6898

JANTX2N6898

MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3

Microsemi Corporation

2,579 -
RFQ

-

- TO-204AA, TO-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 25A (Tc) 10V 200mOhm @ 15.8A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 3000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Military - Through Hole TO-3
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