FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

모두 초기화
모두 적용
결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
APTM50SKM19G

APTM50SKM19G

MOSFET N-CH 500V 163A SP6

Microchip Technology

5,824 -
RFQ
APTM50SKM19G

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 163A (Tc) 10V 22.5mOhm @ 81.5A, 10V 5V @ 10mA 492 nC @ 10 V ±30V 22400 pF @ 25 V - 1136W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM20DAM05G

APTM20DAM05G

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

Microchip Technology

6,536 -
RFQ
APTM20DAM05G

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 317A (Tc) 10V 6mOhm @ 158.5A, 10V 5V @ 10mA 448 nC @ 10 V ±30V 27400 pF @ 25 V - 1136W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM120U10DAG

APTM120U10DAG

MOSFET N-CH 1200V 160A SP6

Microsemi Corporation

5,208 -
RFQ
APTM120U10DAG

데이터시트

- SP6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 160A (Tc) 10V 120mOhm @ 58A, 10V 5V @ 20mA 1100 nC @ 10 V ±30V 28900 pF @ 25 V - 3290W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
2N7638-GA

2N7638-GA

TRANS SJT 650V 8A TO276

GeneSiC Semiconductor

4,432 -
RFQ
2N7638-GA

데이터시트

- TO-276AA Bulk Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 8A (Tc) (158°C) - 170mOhm @ 8A - - - 720 pF @ 35 V - 200W (Tc) -55°C ~ 225°C (TJ) - - Surface Mount TO-276
2N7637-GA

2N7637-GA

TRANS SJT 650V 7A TO257

GeneSiC Semiconductor

4,536 -
RFQ

-

- TO-257-3 Bulk Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 7A (Tc) (165°C) - 170mOhm @ 7A - - - 720 pF @ 35 V - 80W (Tc) -55°C ~ 225°C (TJ) - - Through Hole TO-257
APTM20DAM04G

APTM20DAM04G

MOSFET N-CH 200V 372A SP6

Microchip Technology

7,385 -
RFQ
APTM20DAM04G

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 372A (Tc) 10V 5mOhm @ 186A, 10V 5V @ 10mA 560 nC @ 10 V ±30V 28900 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM20SKM04G

APTM20SKM04G

MOSFET N-CH 200V 372A SP6

Microchip Technology

5,320 -
RFQ
APTM20SKM04G

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 372A (Tc) 10V 5mOhm @ 186A, 10V 5V @ 10mA 560 nC @ 10 V ±30V 28900 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Microchip Technology

2,442 -
RFQ
APTM100DAM90G

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 78A (Tc) 10V 105mOhm @ 39A, 10V 5V @ 10mA 744 nC @ 10 V ±30V 20700 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM50DAM17G

APTM50DAM17G

MOSFET N-CH 500V 180A SP6

Microchip Technology

2,253 -
RFQ
APTM50DAM17G

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 180A (Tc) 10V 20mOhm @ 90A, 10V 5V @ 10mA 560 nC @ 10 V ±30V 28000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM50SKM17G

APTM50SKM17G

MOSFET N-CH 500V 180A SP6

Microchip Technology

9,940 -
RFQ
APTM50SKM17G

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 180A (Tc) 10V 20mOhm @ 90A, 10V 5V @ 10mA 560 nC @ 10 V ±30V 28000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM10DAM02G

APTM10DAM02G

MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Microchip Technology

8,940 -
RFQ
APTM10DAM02G

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 495A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 200A, 10V 4V @ 10mA 1360 nC @ 10 V ±30V 40000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM10SKM02G

APTM10SKM02G

MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Microchip Technology

4,881 -
RFQ
APTM10SKM02G

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 495A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 200A, 10V 4V @ 10mA 1360 nC @ 10 V ±30V 40000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
GA100JT17-227

GA100JT17-227

TRANS SJT 1700V 160A SOT227

GeneSiC Semiconductor

3,584 -
RFQ

-

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 160A (Tc) - 10mOhm @ 100A - - - 14400 pF @ 800 V - 535W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
2N7640-GA

2N7640-GA

TRANS SJT 650V 16A TO276

GeneSiC Semiconductor

9,279 -
RFQ

-

- TO-276AA Bulk Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 16A (Tc) (155°C) - 105mOhm @ 16A - - - 1534 pF @ 35 V - 330W (Tc) -55°C ~ 225°C (TJ) - - Surface Mount TO-276
2N7639-GA

2N7639-GA

TRANS SJT 650V 15A TO257

GeneSiC Semiconductor

9,645 -
RFQ
2N7639-GA

데이터시트

- TO-257-3 Bulk Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 15A (Tc) (155°C) - 105mOhm @ 15A - - - 1534 pF @ 35 V - 172W (Tc) -55°C ~ 225°C (TJ) - - Through Hole TO-257
IXFN90N170SK

IXFN90N170SK

SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B

IXYS

2,386 -
RFQ
IXFN90N170SK

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 90A (Tc) 20V 35mOhm @ 100A, 20V 4V @ 36mA 376 nC @ 20 V +20V, -5V 7340 pF @ 1000 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APTM20UM04SAG

APTM20UM04SAG

MOSFET N-CH 200V 417A SP6

Microchip Technology

4,995 -
RFQ
APTM20UM04SAG

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 417A (Tc) 10V 5mOhm @ 208.5A, 10V 5V @ 10mA 560 nC @ 10 V ±30V 28800 pF @ 25 V - 1560W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
JAN2N6898

JAN2N6898

MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3

Microsemi Corporation

7,821 -
RFQ

-

- TO-204AA, TO-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 25A (Tc) 10V 200mOhm @ 15.8A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 3000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Military - Through Hole TO-3
APTM10UM02FAG

APTM10UM02FAG

MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Microchip Technology

6,117 -
RFQ

-

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 570A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 200A, 10V 4V @ 10mA 1360 nC @ 10 V ±30V 40000 pF @ 25 V - 1660W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
VMO550-01F

VMO550-01F

MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

IXYS

5,123 -
RFQ

-

HiPerFET™ Y3-DCB Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 590A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 500mA, 10V 6V @ 110mA 2000 nC @ 10 V ±20V 50000 pF @ 25 V - 2200W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Y3-DCB
TomatoElec

검색

TomatoElec

제품

TomatoElec

전화번호

TomatoElec

사용자