FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
G2R120MT33J-TR

G2R120MT33J-TR

3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF

GeneSiC Semiconductor

3,585 -
RFQ
G2R120MT33J-TR

데이터시트

LoRing™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3300 V 33A (Tc) 20V 156mOhm @ 15A, 20V 3.5V @ 4mA 130 nC @ 20 V +20V, -5V 3009 pF @ 1000 V - 366W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
MCB60I1200TZ-TUB

MCB60I1200TZ-TUB

SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA

IXYS

9,441 -
RFQ
MCB60I1200TZ-TUB

데이터시트

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 90A (Tc) 20V 34mOhm @ 50A, 20V 4V @ 15mA 160 nC @ 20 V +20V, -5V 2790 pF @ 1000 V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)
G2R120MT33J

G2R120MT33J

SIC MOSFET N-CH TO263-7

GeneSiC Semiconductor

2,452 -
RFQ
G2R120MT33J

데이터시트

G2R™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3300 V 35A 20V 156mOhm @ 20A, 20V - 145 nC @ 20 V +25V, -10V 3706 pF @ 1000 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
APTM20UM09SG

APTM20UM09SG

MOSFET N-CH 200V 195A MODULE

Microsemi Corporation

5,937 -
RFQ
APTM20UM09SG

데이터시트

- J3 Module Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 195A (Tc) 10V 9mOhm @ 74.5A, 10V 5V @ 4mA 217 nC @ 10 V ±30V 12300 pF @ 25 V - 780W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
APT10026JLL

APT10026JLL

MOSFET N-CH 1000V 30A ISOTOP

Microchip Technology

4,331 -
RFQ
APT10026JLL

데이터시트

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 30A (Tc) - 260mOhm @ 15A, 10V 5V @ 5mA 267 nC @ 10 V - 7114 pF @ 25 V - - - - - Chassis Mount ISOTOP®
VQ1004P

VQ1004P

MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

Vishay Siliconix

9,841 -
RFQ

-

- - Tube Obsolete - - - 830mA (Ta) 5V, 10V - - - ±20V - - - - - - - -
VQ1004P-E3

VQ1004P-E3

MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

Vishay Siliconix

2,214 -
RFQ

-

- - Tube Obsolete - - - 830mA (Ta) 5V, 10V - - - ±20V - - - - - - - -
APT10021JLL

APT10021JLL

MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP

Microchip Technology

3,549 -
RFQ
APT10021JLL

데이터시트

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 37A (Tc) 10V 210mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 5mA 395 nC @ 10 V ±30V 9750 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT10026JFLL

APT10026JFLL

MOSFET N-CH 1000V 30A ISOTOP

Microchip Technology

9,102 -
RFQ
APT10026JFLL

데이터시트

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 30A (Tc) - 260mOhm @ 15A, 10V 5V @ 5mA 267 nC @ 10 V - 7114 pF @ 25 V - - - - - Chassis Mount ISOTOP®
APTM20SKM05G

APTM20SKM05G

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

Microsemi Corporation

8,866 -
RFQ
APTM20SKM05G

데이터시트

- SP6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 317A (Tc) 10V 6mOhm @ 158.5A, 10V 5V @ 10mA 448 nC @ 10 V ±30V 27400 pF @ 25 V - 1136W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM50UM25SG

APTM50UM25SG

MOSFET N-CH 500V 149A MODULE

Microsemi Corporation

7,022 -
RFQ
APTM50UM25SG

데이터시트

- J3 Module Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 149A (Tc) 10V 25mOhm @ 74.5A, 10V 5V @ 10mA 364 nC @ 10 V ±30V 17500 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
APTM100U13SG

APTM100U13SG

MOSFET N-CH 1000V 65A MODULE

Microsemi Corporation

6,514 -
RFQ
APTM100U13SG

데이터시트

- J3 Module Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 65A (Tc) 10V 145mOhm @ 32.5A, 10V 4V @ 10mA 2000 nC @ 10 V ±30V 31600 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
APTM20UM05SG

APTM20UM05SG

MOSFET N-CH 200V 317A MODULE

Microsemi Corporation

9,502 -
RFQ
APTM20UM05SG

데이터시트

- J3 Module Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 317A (Tc) 10V 5mOhm @ 158.5A, 10V 5V @ 10mA 448 nC @ 10 V ±30V 27400 pF @ 25 V - 1136W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
APTM50UM19SG

APTM50UM19SG

MOSFET N-CH 500V 163A MODULE

Microsemi Corporation

9,970 -
RFQ
APTM50UM19SG

데이터시트

- J3 Module Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 163A (Tc) 10V 19mOhm @ 81.5A, 10V 5V @ 10mA 492 nC @ 10 V ±30V 22400 pF @ 25 V - 1136W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
2N6661-2

2N6661-2

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

Vishay Siliconix

3,346 -
RFQ
2N6661-2

데이터시트

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
VP0808B-2

VP0808B-2

MOSFET P-CH 80V 880MA TO39

Vishay Siliconix

8,818 -
RFQ
VP0808B-2

데이터시트

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 880mA (Ta) 10V 5Ohm @ 1A, 10V 4.5V @ 1mA - ±20V 150 pF @ 25 V - 6.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
VQ1004P-2

VQ1004P-2

MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

Vishay Siliconix

8,054 -
RFQ

-

- - Tube Obsolete - - - - 5V, 10V - - - ±20V - - - - - - - -
APT12031JFLL

APT12031JFLL

MOSFET N-CH 1200V 30A ISOTOP

Microchip Technology

3,818 -
RFQ
APT12031JFLL

데이터시트

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 30A (Tc) 10V 330mOhm @ 15A, 10V 5V @ 5mA 365 nC @ 10 V ±30V 9480 pF @ 25 V - 690AW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
IRFM460

IRFM460

MOSFET N-CH 500V 19A TO254AA

Infineon Technologies

8,926 -
RFQ
IRFM460

데이터시트

HEXFET® TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 270mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V - 250W (Tc) - - - Through Hole TO-254AA
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Microchip Technology

7,176 -
RFQ
APTM100DA18TG

데이터시트

- SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 43A (Tc) 10V 210mOhm @ 21.5A, 10V 5V @ 5mA 372 nC @ 10 V ±30V 10400 pF @ 25 V - 780W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
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