FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
APTM20DAM08TG

APTM20DAM08TG

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

Microchip Technology

7,102 -
RFQ
APTM20DAM08TG

데이터시트

- SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 208A (Tc) 10V 10mOhm @ 104A, 10V 5V @ 5mA 280 nC @ 10 V ±30V 14400 pF @ 25 V - 781W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
APTM20SKM08TG

APTM20SKM08TG

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

Microchip Technology

3,985 -
RFQ
APTM20SKM08TG

데이터시트

- SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 208A (Tc) 10V 10mOhm @ 104A, 10V 5V @ 5mA 280 nC @ 10 V ±30V 14400 pF @ 25 V - 781W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
APTM10DAM05TG

APTM10DAM05TG

MOSFET N-CH 100V 278A SP4

Microchip Technology

4,620 -
RFQ
APTM10DAM05TG

데이터시트

- SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 278A (Tc) 10V 5mOhm @ 125A, 10V 4V @ 5mA 700 nC @ 10 V ±30V 20000 pF @ 25 V - 780W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
APTM10SKM05TG

APTM10SKM05TG

MOSFET N-CH 100V 278A SP4

Microchip Technology

9,145 -
RFQ
APTM10SKM05TG

데이터시트

- SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 278A (Tc) 10V 5mOhm @ 125A, 10V 4V @ 5mA 700 nC @ 10 V ±30V 20000 pF @ 25 V - 780W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
VMO1200-01F

VMO1200-01F

MOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI

IXYS

5,864 -
RFQ

-

HiPerFET™ Y3-Li Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1220A (Tc) 10V 1.35mOhm @ 932A, 10V 4V @ 64mA 2520 nC @ 10 V ±20V - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Y3-Li
VM0550-2F

VM0550-2F

MOSFET N-CH 100V 590A MODULE

IXYS

7,888 -
RFQ

-

HiPerFET™ Module Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 590A (Tc) - 2.1mOhm @ 500mA, 10V - 2000 nC @ 10 V - 50000 pF @ 25 V - 2200W - - - Chassis Mount Module
VMO580-02F

VMO580-02F

MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI

IXYS

3,845 -
RFQ

-

HiPerFET™ Y3-Li Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 580A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 430A, 10V 4V @ 50mA 2750 nC @ 10 V ±20V - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Y3-Li
APTM120DA15G

APTM120DA15G

MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Microsemi Corporation

9,564 -
RFQ
APTM120DA15G

데이터시트

- SP6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 60A (Tc) 10V 175mOhm @ 30A, 10V 5V @ 10mA 748 nC @ 10 V ±30V 20600 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
APTM120SK15G

APTM120SK15G

MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Microsemi Corporation

2,287 -
RFQ
APTM120SK15G

데이터시트

- SP6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 60A (Tc) 10V 175mOhm @ 30A, 10V 5V @ 10mA 748 nC @ 10 V ±30V 20600 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
GA100JT12-227

GA100JT12-227

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

GeneSiC Semiconductor

4,741 -
RFQ

-

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 160A (Tc) - 10mOhm @ 100A - - - 14400 pF @ 800 V - 535W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
VMO1600-02P

VMO1600-02P

MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI

IXYS

6,845 -
RFQ
VMO1600-02P

데이터시트

PolarHT™ Y3-Li Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1900A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 1600A, 10V 5V @ 5mA 2900 nC @ 10 V ±20V - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Y3-Li
2N6660JTVP02

2N6660JTVP02

MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

Vishay Siliconix

2,002 -
RFQ
2N6660JTVP02

데이터시트

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 990mA (Tc) 5V, 10V 3Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-205AD (TO-39)
GA50JT17-247

GA50JT17-247

TRANS SJT 1700V 100A TO247

GeneSiC Semiconductor

3,478 -
RFQ
GA50JT17-247

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 100A (Tc) - 25mOhm @ 50A - - - - - 583W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
APTC60DAM18CTG

APTC60DAM18CTG

MOSFET N-CH 600V 143A SP4

Microchip Technology

9,381 -
RFQ
APTC60DAM18CTG

데이터시트

CoolMOS™ SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 143A (Tc) 10V 18mOhm @ 71.5A, 10V 3.9V @ 4mA 1036 nC @ 10 V ±30V 28000 pF @ 25 V - 833W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
APTM120UM95FAG

APTM120UM95FAG

MOSFET N-CH 1200V 103A SP6

Microsemi Corporation

2,474 -
RFQ
APTM120UM95FAG

데이터시트

- SP6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 103A (Tc) 10V 114mOhm @ 51.5A, 10V 5V @ 15mA 1122 nC @ 10 V ±30V 30900 pF @ 25 V - 2272W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
2N7636-GA

2N7636-GA

TRANS SJT 650V 4A TO276

GeneSiC Semiconductor

6,228 -
RFQ

-

- TO-276AA Bulk Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 4A (Tc) (165°C) - 415mOhm @ 4A - - - 324 pF @ 35 V - 125W (Tc) -55°C ~ 225°C (TJ) - - Surface Mount TO-276
DDB2U80N12W3RFC39BPSA1

DDB2U80N12W3RFC39BPSA1

EASY STANDARD PLUS

Infineon Technologies

5,718 -
RFQ

-

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N7635-GA

2N7635-GA

TRANS SJT 650V 4A TO257

GeneSiC Semiconductor

7,908 -
RFQ

-

- TO-257-3 Bulk Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 4A (Tc) (165°C) - 415mOhm @ 4A - - - 324 pF @ 35 V - 47W (Tc) -55°C ~ 225°C (TJ) - - Through Hole TO-257
2N6660JTXP02

2N6660JTXP02

MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

Vishay Siliconix

4,383 -
RFQ
2N6660JTXP02

데이터시트

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 990mA (Tc) 5V, 10V 3Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-205AD (TO-39)
APTM50DAM19G

APTM50DAM19G

MOSFET N-CH 500V 163A SP6

Microchip Technology

4,195 -
RFQ
APTM50DAM19G

데이터시트

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 163A (Tc) 10V 22.5mOhm @ 81.5A, 10V 5V @ 10mA 492 nC @ 10 V ±30V 22400 pF @ 25 V - 1136W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
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