FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

모두 초기화
모두 적용
결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFD120

IRFD120

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Vishay Siliconix

9,675 -
RFQ
IRFD120

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.3A (Ta) 10V 270mOhm @ 780mA, 10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRF9520

IRF9520

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB

Vishay Siliconix

7,663 -
RFQ
IRF9520

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9610

IRF9610

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

Vishay Siliconix

7,290 -
RFQ
IRF9610

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFD220

IRFD220

MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP

Vishay Siliconix

3,463 -
RFQ
IRFD220

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 800mA (Ta) 10V 800mOhm @ 480mA, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRF9530

IRF9530

MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

Vishay Siliconix

9,444 -
RFQ
IRF9530

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9620

IRF9620

MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB

Vishay Siliconix

2,833 -
RFQ
IRF9620

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF520

IRF520

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

Vishay Siliconix

7,832 -
RFQ
IRF520

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.2A (Tc) 10V 270mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9540

IRF9540

MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB

Vishay Siliconix

4,661 -
RFQ
IRF9540

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 10V 200mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFP350

IRFP350

MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3

Vishay Siliconix

5,809 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 16A (Tc) 10V 300mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRL530

IRL530

MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB

Vishay Siliconix

5,063 -
RFQ
IRL530

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 4V, 5V 160mOhm @ 9A, 5V 2V @ 250µA 28 nC @ 5 V ±10V 930 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRLD120

IRLD120

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Vishay Siliconix

5,887 -
RFQ
IRLD120

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.3A (Ta) 4V, 5V 270mOhm @ 780mA, 5V 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±10V 490 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRLD014

IRLD014

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

Vishay Siliconix

4,249 -
RFQ
IRLD014

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.7A (Ta) 4V, 5V 200mOhm @ 1A, 5V 2V @ 250µA 8.4 nC @ 5 V ±10V 400 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRL540

IRL540

MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB

Vishay Siliconix

9,586 -
RFQ
IRL540

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 4V, 5V 77mOhm @ 17A, 5V 2V @ 250µA 64 nC @ 5 V ±10V 2200 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL520

IRL520

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

Vishay Siliconix

9,181 -
RFQ
IRL520

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.2A (Tc) 4V, 5V 270mOhm @ 5.5A, 5V 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±10V 490 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL510

IRL510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Vishay Siliconix

7,147 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) 4V, 5V 540mOhm @ 3.4A, 5V 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±10V 250 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRLZ34

IRLZ34

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

Vishay Siliconix

6,192 -
RFQ
IRLZ34

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4V, 5V 50mOhm @ 18A, 5V 2V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±10V 1600 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRLD024

IRLD024

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

Vishay Siliconix

7,519 -
RFQ
IRLD024

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.5A (Ta) 4V, 5V 100mOhm @ 1.5A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRLZ14

IRLZ14

MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

Vishay Siliconix

9,019 -
RFQ
IRLZ14

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 4V, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 2V @ 250µA 8.4 nC @ 5 V ±10V 400 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRLD110

IRLD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Vishay Siliconix

4,538 -
RFQ
IRLD110

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) 4V, 5V 540mOhm @ 600mA, 5V 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±10V 250 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFP244

IRFP244

MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3

Vishay Siliconix

9,633 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 15A (Tc) 10V 280mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
TomatoElec

검색

TomatoElec

제품

TomatoElec

전화번호

TomatoElec

사용자