FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFBF30

IRFBF30

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB

Vishay Siliconix

4,383 -
RFQ
IRFBF30

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFBG30

IRFBG30

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

Vishay Siliconix

3,547 -
RFQ
IRFBG30

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 3.1A (Tc) 10V 5Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 980 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IXFH42N20

IXFH42N20

MOSFET N-CH 200V 42A TO247AD

IXYS

2,585 -
RFQ
IXFH42N20

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 42A (Tc) 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 220 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH58N20

IXFH58N20

MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD

IXYS

8,283 -
RFQ
IXFH58N20

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 58A (Tc) 10V 40mOhm @ 29A, 10V 4V @ 4mA 220 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH40N30

IXFH40N30

MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD

IXYS

7,664 -
RFQ
IXFH40N30

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 40A (Tc) 10V 85mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 200 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH24N50

IXFH24N50

MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD

IXYS

3,469 -
RFQ
IXFH24N50

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 24A (Tc) 10V 230mOhm @ 12A, 10V 4V @ 4mA 160 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH20N60

IXFH20N60

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

IXYS

8,356 -
RFQ
IXFH20N60

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 350mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 4mA 170 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH11N80

IXFH11N80

MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD

IXYS

5,374 -
RFQ
IXFH11N80

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tc) 10V 950mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH12N100

IXFH12N100

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

IXYS

7,802 -
RFQ
IXFH12N100

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 12A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFK73N30

IXFK73N30

MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA

IXYS

4,888 -
RFQ
IXFK73N30

데이터시트

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 73A (Tc) 10V 45mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
NDS352P

NDS352P

MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3

onsemi

7,035 -
RFQ
NDS352P

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 850mA (Ta) 4.5V, 10V 350mOhm @ 1A, 10V 2.5V @ 250µA 4 nC @ 5 V ±12V 125 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
NDS356P

NDS356P

MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3

onsemi

2,511 -
RFQ
NDS356P

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.1A (Ta) 4.5V, 10V 210mOhm @ 1.3A, 10V 2.5V @ 250µA 5 nC @ 5 V ±12V 180 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
NDC651N

NDC651N

MOSFET N-CH 30V 3.2A SUPERSOT6

onsemi

5,450 -
RFQ
NDC651N

데이터시트

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.2A (Ta) 4.5V, 10V 60mOhm @ 4A, 10V 3V @ 250µA 20 nC @ 10 V 20V 290 pF @ 15 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
NDS9400A

NDS9400A

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC

onsemi

9,718 -
RFQ
NDS9400A

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.4A (Ta) 4.5V, 10V 130mOhm @ 1A, 10V 2.8V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
NDP4060

NDP4060

MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3

onsemi

6,242 -
RFQ
NDP4060

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15A (Tc) 10V 100mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 450 pF @ 25 V - 50W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NDP4060L

NDP4060L

MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3

onsemi

8,056 -
RFQ
NDP4060L

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15A (Tc) 5V, 10V 80mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 17 nC @ 5 V ±16V 600 pF @ 25 V - 50W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NDP7050

NDP7050

MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3

onsemi

3,552 -
RFQ
NDP7050

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 75A (Tc) 10V 13mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 150W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
94-2304

94-2304

MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB

Infineon Technologies

7,596 -
RFQ
94-2304

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 116A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 1V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±16V 3290 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
94-2310

94-2310

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Infineon Technologies

9,321 -
RFQ
94-2310

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±20V 800 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLML2803TR

IRLML2803TR

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

Infineon Technologies

5,819 -
RFQ
IRLML2803TR

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.2A (Ta) 4.5V, 10V 250mOhm @ 910mA, 10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 85 pF @ 25 V - 540mW (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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