FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFB9N60A

IRFB9N60A

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB

Vishay Siliconix

5,427 -
RFQ
IRFB9N60A

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFBC30A

IRFBC30A

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

Vishay Siliconix

6,865 -
RFQ
IRFBC30A

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFBC40

IRFBC40

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

Vishay Siliconix

8,045 -
RFQ
IRFBC40

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFD024

IRFD024

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

Vishay Siliconix

9,631 -
RFQ
IRFD024

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.5A (Ta) 10V 100mOhm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD224

IRFD224

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP

Vishay Siliconix

6,019 -
RFQ
IRFD224

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 630mA (Ta) 10V 1.1Ohm @ 380mA, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD9010

IRFD9010

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP

Vishay Siliconix

7,203 -
RFQ
IRFD9010

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 1.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 580mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD9024

IRFD9024

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP

Vishay Siliconix

7,957 -
RFQ
IRFD9024

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.6A (Ta) 10V 280mOhm @ 960mA, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFI510G

IRFI510G

MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3

Vishay Siliconix

8,180 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.5A (Tc) 10V 540mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFI540G

IRFI540G

MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3

Vishay Siliconix

7,026 -
RFQ
IRFI540G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 77mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFI640G

IRFI640G

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3

Vishay Siliconix

8,594 -
RFQ
IRFI640G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.8A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.9A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFI644G

IRFI644G

MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3

Vishay Siliconix

3,890 -
RFQ
IRFI644G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 7.9A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.7A, 10V 4V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFI720G

IRFI720G

MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3

Vishay Siliconix

7,669 -
RFQ
IRFI720G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2.6A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFI820G

IRFI820G

MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3

Vishay Siliconix

8,677 -
RFQ
IRFI820G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFI9530G

IRFI9530G

MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3

Vishay Siliconix

2,377 -
RFQ
IRFI9530G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.7A (Tc) 10V 300mOhm @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFI9540G

IRFI9540G

MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3

Vishay Siliconix

7,855 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 11A (Tc) 10V 200mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFI9Z34G

IRFI9Z34G

MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3

Vishay Siliconix

6,144 -
RFQ
IRFI9Z34G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 10V 140mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFIB5N65A

IRFIB5N65A

MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3

Vishay Siliconix

5,156 -
RFQ
IRFIB5N65A

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 5.1A (Tc) 10V 930mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±30V 1417 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFIBC30G

IRFIBC30G

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3

Vishay Siliconix

5,350 -
RFQ
IRFIBC30G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.5A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFIBC40G

IRFIBC40G

MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3

Vishay Siliconix

9,282 -
RFQ
IRFIBC40G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.5A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.1A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFP054

IRFP054

MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3

Vishay Siliconix

4,358 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 10V 14mOhm @ 54A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
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