FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFP450LC

IRFP450LC

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

Vishay Siliconix

7,572 -
RFQ
IRFP450LC

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V 2200 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFP460LC

IRFP460LC

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

Vishay Siliconix

4,966 -
RFQ
IRFP460LC

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 270mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFL4105

IRFL4105

MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

Infineon Technologies

8,116 -
RFQ
IRFL4105

데이터시트

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3.7A (Ta) 10V 45mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRF5305STRR

IRF5305STRR

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

Infineon Technologies

7,682 -
RFQ
IRF5305STRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 60mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3706S

IRF3706S

MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

Infineon Technologies

4,061 -
RFQ
IRF3706S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 2.8V, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFS17N20D

IRFS17N20D

MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

Infineon Technologies

3,261 -
RFQ
IRFS17N20D

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 16A (Tc) 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFSL31N20D

IRFSL31N20D

MOSFET N-CH 200V 31A TO262

Infineon Technologies

2,123 -
RFQ
IRFSL31N20D

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 82mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 2370 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRL2703S

IRL2703S

MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK

Infineon Technologies

6,832 -
RFQ
IRL2703S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 40mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±16V 450 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLR8503

IRLR8503

MOSFET N-CH 30V 44A DPAK

Infineon Technologies

9,790 -
RFQ
IRLR8503

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 44A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFU18N15D

IRFU18N15D

MOSFET N-CH 150V 18A IPAK

Infineon Technologies

2,456 -
RFQ
IRFU18N15D

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFL1006

IRFL1006

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223

Infineon Technologies

4,909 -
RFQ
IRFL1006

데이터시트

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.6A (Ta) 10V 220mOhm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±20V 160 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRL3215

IRL3215

MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB

Infineon Technologies

7,180 -
RFQ
IRL3215

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 12A (Tc) 4V, 10V 166mOhm @ 7.2A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±16V 775 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF3706

IRF3706

MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB

Infineon Technologies

3,171 -
RFQ
IRF3706

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 2.8V, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF3205L

IRF3205L

MOSFET N-CH 55V 110A TO262

Infineon Technologies

8,316 -
RFQ
IRF3205L

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF530NL

IRF530NL

MOSFET N-CH 100V 17A TO262

Infineon Technologies

6,069 -
RFQ
IRF530NL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 90mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 920 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF730AL

IRF730AL

MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK

Vishay Siliconix

3,398 -
RFQ
IRF730AL

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 4.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRFZ24NL

IRFZ24NL

MOSFET N-CH 55V 17A TO262

Infineon Technologies

4,781 -
RFQ
IRFZ24NL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 70mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFZ44EL

IRFZ44EL

MOSFET N-CH 60V 48A TO262

Infineon Technologies

3,713 -
RFQ
IRFZ44EL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 48A (Tc) 10V 23mOhm @ 29A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRL2505L

IRL2505L

MOSFET N-CH 55V 104A TO262

Infineon Technologies

2,221 -
RFQ
IRL2505L

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 104A (Tc) 4V, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130 nC @ 5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFI9634G

IRFI9634G

MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3

Vishay Siliconix

5,967 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.1A (Tc) 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 680 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
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