FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFBC30STRR

IRFBC30STRR

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

Vishay Siliconix

9,955 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFBC40LCS

IRFBC40LCS

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

6,106 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFBE20L

IRFBE20L

MOSFET N-CH 800V 1.8A I2PAK

Vishay Siliconix

6,664 -
RFQ
IRFBE20L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.8A (Tc) 10V 6.5Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRFBE30STRL

IRFBE30STRL

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Vishay Siliconix

5,005 -
RFQ
IRFBE30STRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFBF30L

IRFBF30L

MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK

Vishay Siliconix

3,033 -
RFQ
IRFBF30L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRFI610G

IRFI610G

MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220-3

Vishay Siliconix

6,149 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.6A (Ta) - - - - - - - - - - - Through Hole TO-220-3
IRFL024NTR

IRFL024NTR

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

Infineon Technologies

3,648 -
RFQ
IRFL024NTR

데이터시트

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2.8A (Ta) 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 18.3 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRFR010TRR

IRFR010TRR

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

Vishay Siliconix

5,792 -
RFQ
IRFR010TRR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 8.2A (Tc) 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR18N15DTRL

IRFR18N15DTRL

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Infineon Technologies

8,019 -
RFQ
IRFR18N15DTRL

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR18N15DTRR

IRFR18N15DTRR

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Infineon Technologies

4,717 -
RFQ
IRFR18N15DTRR

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR214TRL

IRFR214TRL

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

Vishay Siliconix

5,531 -
RFQ
IRFR214TRL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.2A (Tc) 10V 2Ohm @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR224TRR

IRFR224TRR

MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

Vishay Siliconix

3,505 -
RFQ
IRFR224TRR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3.8A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR9014NTR

IRFR9014NTR

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Vishay Siliconix

6,931 -
RFQ
IRFR9014NTR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR9014NTRR

IRFR9014NTRR

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Vishay Siliconix

6,141 -
RFQ
IRFR9014NTRR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR9014TRR

IRFR9014TRR

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Vishay Siliconix

7,911 -
RFQ
IRFR9014TRR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR9120NTRR

IRFR9120NTRR

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Infineon Technologies

3,134 -
RFQ
IRFR9120NTRR

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.6A (Tc) 10V 480mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR9210TRR

IRFR9210TRR

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

Vishay Siliconix

5,937 -
RFQ
IRFR9210TRR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.9A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 8.9 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR9214TRR

IRFR9214TRR

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

Vishay Siliconix

2,285 -
RFQ
IRFR9214TRR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.7A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.7A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 220 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFSL31N20DTRL

IRFSL31N20DTRL

MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK

Vishay Siliconix

7,611 -
RFQ
IRFSL31N20DTRL

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 82mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 2370 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRFSL31N20DTRR

IRFSL31N20DTRR

MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK

Vishay Siliconix

5,204 -
RFQ
IRFSL31N20DTRR

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 82mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 2370 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
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