FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFSL9N60ATRR

IRFSL9N60ATRR

MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK

Vishay Siliconix

9,186 -
RFQ
IRFSL9N60ATRR

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRFZ14L

IRFZ14L

MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3

Vishay Siliconix

4,320 -
RFQ
IRFZ14L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
IRFZ14STRR

IRFZ14STRR

MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

Vishay Siliconix

8,041 -
RFQ
IRFZ14STRR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFZ24L

IRFZ24L

MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3

Vishay Siliconix

9,248 -
RFQ
IRFZ24L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
IRFZ24NSTRR

IRFZ24NSTRR

MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK

Infineon Technologies

4,116 -
RFQ
IRFZ24NSTRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 70mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFZ44L

IRFZ44L

MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3

Vishay Siliconix

6,835 -
RFQ
IRFZ44L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 28mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
IRFZ48L

IRFZ48L

MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3

Vishay Siliconix

3,827 -
RFQ
IRFZ48L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
IRL3705NSTRR

IRL3705NSTRR

MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK

Infineon Technologies

4,634 -
RFQ
IRL3705NSTRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 89A (Tc) 4V, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 2V @ 250µA 98 nC @ 5 V ±16V 3600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL520STRL

IRL520STRL

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

Vishay Siliconix

9,686 -
RFQ
IRL520STRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.2A (Tc) 4V, 5V 270mOhm @ 5.5A, 5V 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±10V 490 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRL530L

IRL530L

MOSFET N-CH 100V 15A TO262-3

Vishay Siliconix

8,531 -
RFQ
IRL530L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 4V, 5V 160mOhm @ 9A, 5V 2V @ 250µA 28 nC @ 5 V ±10V 930 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
IRL530STRL

IRL530STRL

MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK

Vishay Siliconix

3,596 -
RFQ
IRL530STRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 4V, 5V 160mOhm @ 9A, 5V 2V @ 250µA 28 nC @ 5 V ±10V 930 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRL540STRR

IRL540STRR

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

Vishay Siliconix

6,386 -
RFQ
IRL540STRR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 4V, 5V 77mOhm @ 17A, 5V 2V @ 250µA 64 nC @ 5 V ±10V 2200 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRL5602STRL

IRL5602STRL

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

Infineon Technologies

3,144 -
RFQ
IRL5602STRL

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±8V 1460 pF @ 15 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL5602STRR

IRL5602STRR

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

Infineon Technologies

2,562 -
RFQ
IRL5602STRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±8V 1460 pF @ 15 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLI540G

IRLI540G

MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3

Vishay Siliconix

9,379 -
RFQ
IRLI540G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 5V 77mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 64 nC @ 5 V ±10V 2200 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRLR014NTRR

IRLR014NTRR

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

Infineon Technologies

5,211 -
RFQ
IRLR014NTRR

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 10A (Tc) 4.5V, 10V 140mOhm @ 6A, 10V 1V @ 250µA 7.9 nC @ 5 V ±16V 265 pF @ 25 V - 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRLR014TRL

IRLR014TRL

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

Vishay Siliconix

3,916 -
RFQ
IRLR014TRL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.7A (Tc) 4V, 5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 2V @ 250µA 8.4 nC @ 5 V ±10V 400 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRLR024NTRR

IRLR024NTRR

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

Infineon Technologies

9,947 -
RFQ
IRLR024NTRR

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 4V, 10V 65mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±16V 480 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRLR024TRL

IRLR024TRL

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

Vishay Siliconix

3,988 -
RFQ
IRLR024TRL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 4V, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRLR024TRR

IRLR024TRR

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

Vishay Siliconix

4,099 -
RFQ
IRLR024TRR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 4V, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
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