FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFT32N50Q

IXFT32N50Q

MOSFET N-CH 500V 32A TO268

IXYS

6,287 -
RFQ
IXFT32N50Q

데이터시트

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 32A (Tc) 10V 160mOhm @ 16A, 10V 4.5V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 4925 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFT40N30Q

IXFT40N30Q

MOSFET N-CH 300V 40A TO268

IXYS

2,152 -
RFQ
IXFT40N30Q

데이터시트

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 40A (Tc) 10V 80mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFT52N30Q

IXFT52N30Q

MOSFET N-CH 300V 52A TO268

IXYS

5,899 -
RFQ
IXFT52N30Q

데이터시트

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 52A (Tc) 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 150 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFX90N20Q

IXFX90N20Q

MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247-3

IXYS

5,039 -
RFQ
IXFX90N20Q

데이터시트

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 90A (Tc) 10V 22mOhm @ 45A, 10V 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IRF7811WTR

IRF7811WTR

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

Infineon Technologies

5,498 -
RFQ
IRF7811WTR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V 12mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 33 nC @ 5 V ±12V 2335 pF @ 16 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7807VTR

IRF7807VTR

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Infineon Technologies

2,375 -
RFQ
IRF7807VTR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 14 nC @ 5 V ±20V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7807VD1

IRF7807VD1

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Infineon Technologies

9,381 -
RFQ
IRF7807VD1

데이터시트

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±20V - Schottky Diode (Isolated) 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7805ATR

IRF7805ATR

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

Infineon Technologies

5,781 -
RFQ
IRF7805ATR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 31 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7420

IRF7420

MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO

Infineon Technologies

6,761 -
RFQ
IRF7420

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 11.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 14mOhm @ 11.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 38 nC @ 4.5 V ±8V 3529 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7453TR

IRF7453TR

MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO

Infineon Technologies

6,464 -
RFQ
IRF7453TR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.2A (Ta) 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7477TR

IRF7477TR

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

Infineon Technologies

2,038 -
RFQ
IRF7477TR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 4.5 V ±20V 2710 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF5805TR

IRF5805TR

MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6

Infineon Technologies

4,798 -
RFQ
IRF5805TR

데이터시트

HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.8A (Ta) 4.5V, 10V 98mOhm @ 3.8A, 10V 2.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 511 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
IRF5803D2

IRF5803D2

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

Infineon Technologies

7,877 -
RFQ
IRF5803D2

데이터시트

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 3.4A (Ta) 4.5V, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V 3V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 1110 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRFU3709

IRFU3709

MOSFET N-CH 30V 90A IPAK

Infineon Technologies

6,993 -
RFQ
IRFU3709

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 4.5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRL3715S

IRL3715S

MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

Infineon Technologies

9,333 -
RFQ
IRL3715S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL3714S

IRL3714S

MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

Infineon Technologies

7,685 -
RFQ
IRL3714S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLR3715

IRLR3715

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK

Infineon Technologies

8,426 -
RFQ
IRLR3715

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRLR3714

IRLR3714

MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

Infineon Technologies

9,077 -
RFQ
IRLR3714

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRL3714L

IRL3714L

MOSFET N-CH 20V 36A TO262

Infineon Technologies

2,107 -
RFQ
IRL3714L

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFU3706

IRFU3706

MOSFET N-CH 20V 75A IPAK

Infineon Technologies

5,304 -
RFQ
IRFU3706

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 75A (Tc) 2.8V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
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