FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF7324D1TR

IRF7324D1TR

MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO

Infineon Technologies

4,679 -
RFQ
IRF7324D1TR

데이터시트

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.2A (Ta) 2.7V, 4.5V 270mOhm @ 1.2A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 7.8 nC @ 4.5 V ±12V 260 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7402TR

IRF7402TR

MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO

Infineon Technologies

8,557 -
RFQ
IRF7402TR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.8A (Ta) 2.7V, 4.5V 35mOhm @ 4.1A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 22 nC @ 4.5 V ±12V 650 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF740LCL

IRF740LCL

MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK

Vishay Siliconix

2,746 -
RFQ
IRF740LCL

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF740LCSTRL

IRF740LCSTRL

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

Vishay Siliconix

2,060 -
RFQ
IRF740LCSTRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF7452TR

IRF7452TR

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO

Infineon Technologies

8,065 -
RFQ
IRF7452TR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.5A (Ta) 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7463TR

IRF7463TR

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

Infineon Technologies

8,143 -
RFQ
IRF7463TR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 2.7V, 10V 8mOhm @ 14A, 10V 2V @ 250µA 51 nC @ 4.5 V ±12V 3150 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7466TR

IRF7466TR

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Infineon Technologies

6,520 -
RFQ
IRF7466TR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2100 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7467TR

IRF7467TR

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Infineon Technologies

6,172 -
RFQ
IRF7467TR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 2.8V, 10V 12mOhm @ 11A, 10V 2V @ 250µA 32 nC @ 4.5 V ±12V 2530 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF820ASTRR

IRF820ASTRR

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Vishay Siliconix

9,301 -
RFQ
IRF820ASTRR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.5A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 340 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF9510L

IRF9510L

MOSFET P-CH 100V 4A I2PAK

Vishay Siliconix

9,991 -
RFQ
IRF9510L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF9520L

IRF9520L

MOSFET P-CH 100V 6.8A I2PAK

Vishay Siliconix

4,051 -
RFQ
IRF9520L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF9520NSTRL

IRF9520NSTRL

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

Infineon Technologies

4,285 -
RFQ
IRF9520NSTRL

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) 10V 480mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF9530L

IRF9530L

MOSFET P-CH 100V 12A I2PAK

Vishay Siliconix

7,270 -
RFQ

-

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF9540L

IRF9540L

MOSFET P-CH 100V 19A I2PAK

Vishay Siliconix

5,494 -
RFQ
IRF9540L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 10V 200mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF9540STRR

IRF9540STRR

MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

Vishay Siliconix

3,664 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 10V 200mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF9610STRL

IRF9610STRL

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

Vishay Siliconix

7,837 -
RFQ
IRF9610STRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 3W (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF9610STRR

IRF9610STRR

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

Vishay Siliconix

2,194 -
RFQ
IRF9610STRR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 3W (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF9620L

IRF9620L

MOSFET P-CH 200V 3.5A I2PAK

Vishay Siliconix

9,461 -
RFQ
IRF9620L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF9Z24NSTRR

IRF9Z24NSTRR

MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

Infineon Technologies

6,721 -
RFQ
IRF9Z24NSTRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 12A (Tc) 10V 175mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF9Z34NSTRR

IRF9Z34NSTRR

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

Infineon Technologies

3,224 -
RFQ
IRF9Z34NSTRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
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