FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF6215L

IRF6215L

MOSFET P-CH 150V 13A TO262

Infineon Technologies

5,174 -
RFQ
IRF6215L

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF9540NL

IRF9540NL

MOSFET P-CH 100V 23A TO262

Infineon Technologies

5,968 -
RFQ
IRF9540NL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 10V 117mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 97 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF9Z34NL

IRF9Z34NL

MOSFET P-CH 55V 19A TO262

Infineon Technologies

4,321 -
RFQ
IRF9Z34NL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF7534D1

IRF7534D1

MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8

Infineon Technologies

9,699 -
RFQ
IRF7534D1

데이터시트

FETKY™ 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 1.2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±12V 1066 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
IRF7526D1

IRF7526D1

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

Infineon Technologies

9,532 -
RFQ
IRF7526D1

데이터시트

FETKY™ 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2A (Ta) 4.5V, 10V 200mOhm @ 1.2A, 10V 1V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
IRF1310NSTRR

IRF1310NSTRR

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

Infineon Technologies

8,566 -
RFQ
IRF1310NSTRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 10V 36mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3315STRR

IRF3315STRR

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Infineon Technologies

4,235 -
RFQ
IRF3315STRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3415STRR

IRF3415STRR

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

Infineon Technologies

9,476 -
RFQ
IRF3415STRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3704STRL

IRF3704STRL

MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

Infineon Technologies

8,677 -
RFQ
IRF3704STRL

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1996 pF @ 10 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF520NSTRL

IRF520NSTRL

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Infineon Technologies

4,958 -
RFQ
IRF520NSTRL

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF520NSTRR

IRF520NSTRR

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Infineon Technologies

4,760 -
RFQ
IRF520NSTRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF520STRR

IRF520STRR

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

Vishay Siliconix

6,925 -
RFQ
IRF520STRR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.2A (Tc) 10V 270mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF530L

IRF530L

MOSFET N-CH 100V 14A TO262

Vishay Siliconix

2,346 -
RFQ
IRF530L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF540L

IRF540L

MOSFET N-CH 100V 28A TO262

Vishay Siliconix

4,954 -
RFQ
IRF540L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 10V 77mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF614L

IRF614L

MOSFET N-CH 250V 2.7A TO262

Vishay Siliconix

7,731 -
RFQ

-

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.7A (Tc) 10V 2Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF624L

IRF624L

MOSFET N-CH 250V 4.4A I2PAK

Vishay Siliconix

5,797 -
RFQ
IRF624L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.4A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF630L

IRF630L

MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK

Vishay Siliconix

3,792 -
RFQ
IRF630L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF634L

IRF634L

MOSFET N-CH 250V 8.1A I2PAK

Vishay Siliconix

7,568 -
RFQ
IRF634L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8.1A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.1A, 10V 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 770 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF7207TR

IRF7207TR

MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO

Infineon Technologies

8,463 -
RFQ
IRF7207TR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.4A (Tc) 2.7V, 4.5V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 22 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 15 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7322D1TR

IRF7322D1TR

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO

Infineon Technologies

9,614 -
RFQ
IRF7322D1TR

데이터시트

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.3A (Ta) 2.7V, 4.5V 62mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 29 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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