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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    APT1201R4SFLLG

    APT1201R4SFLLG

    MOSFET N-CH 1200V 9A D3PAK

    Microchip Technology

    		 6,540 -
    RFQ
    		APT1201R4SFLLG

    데이터시트

         		POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 9A (Tc) - 1.4Ohm @ 4.5A, 10V 5V @ 1mA 120 nC @ 10 V - 2500 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
    APT6013B2LLG

    APT6013B2LLG

    MOSFET N-CH 600V 43A T-MAX

    Microchip Technology

    		 9,543 -
    RFQ
    		APT6013B2LLG

    데이터시트

         		POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 43A (Tc) - 130mOhm @ 21.5A, 10V 5V @ 2.5mA 130 nC @ 10 V - 5630 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
    APT6013LLLG

    APT6013LLLG

    MOSFET N-CH 600V 43A TO264

    Microchip Technology

    		 2,093 -
    RFQ
    		APT6013LLLG

    데이터시트

         		POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 43A (Tc) 10V 130mOhm @ 21.5A, 10V 5V @ 2.5mA 130 nC @ 10 V ±30V 5630 pF @ 25 V - 565W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
    GA10SICP12-263

    GA10SICP12-263

    TRANS SJT 1200V 25A D2PAK

    GeneSiC Semiconductor

    		 3,835 -
    RFQ
    		GA10SICP12-263

    데이터시트

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 25A (Tc) - 100mOhm @ 10A - - - 1403 pF @ 800 V - 170W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    APT5510JFLL

    APT5510JFLL

    MOSFET N-CH 550V 44A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    		 2,900 -
    RFQ
    		APT5510JFLL

    데이터시트

         		POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 44A (Tc) 10V 100mOhm @ 22A, 10V 5V @ 2.5mA 124 nC @ 10 V ±30V 5823 pF @ 25 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    SCTH50N120-7

    SCTH50N120-7

    SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7

    STMicroelectronics

    		 8,993 -
    RFQ
    		SCTH50N120-7

    데이터시트

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A 20V 69mOhm @ 40A, 20V 5.1V @ 1mA 122 nC @ 20 V +22V, -10V 1900 pF @ 400 V - 270W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-7
    IXTR210P10T

    IXTR210P10T

    MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 2,266 -
    RFQ
    		IXTR210P10T

    데이터시트

         		TrenchP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 195A (Tc) 10V 8mOhm @ 105A, 10V 4.5V @ 250µA 740 nC @ 10 V ±15V 69500 pF @ 25 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXTT4N150HV-TRL

    IXTT4N150HV-TRL

    MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV

    Littelfuse Inc.

    		 6,354 -
    RFQ

    -

    		 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 4A (Tc) 10V 6Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 44.5 nC @ 10 V ±30V 1576 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXTT)
    IXFL40N110P

    IXFL40N110P

    MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264

    IXYS

    		 6,970 -
    RFQ
    		IXFL40N110P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1100 V 21A (Tc) 10V 280mOhm @ 20A, 10V 6.5V @ 1mA 310 nC @ 10 V ±30V 19000 pF @ 25 V - - - - - Through Hole ISOPLUS264™
    APT12080LVRG

    APT12080LVRG

    MOSFET N-CH 1200V 16A TO264

    Microchip Technology

    		 5,789 -
    RFQ

    -

    		 POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 16A (Tc) 10V 800mOhm @ 8A, 10V 4V @ 2.5mA 485 nC @ 10 V ±30V 7800 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (L)
    SCT30N120H

    SCT30N120H

    SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

    STMicroelectronics

    		 6,036 -
    RFQ
    		SCT30N120H

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 3.5V @ 1mA 105 nC @ 20 V +25V, -10V 1700 pF @ 400 V - 270W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
    STE110NS20FD

    STE110NS20FD

    MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

    STMicroelectronics

    		 2,812 -
    RFQ
    		STE110NS20FD

    데이터시트

         		MESH OVERLAY™ ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 110A (Tc) 10V 24mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 504 nC @ 10 V ±20V 7900 pF @ 25 V - 500W (Tc) 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    IXFN120N60X3

    IXFN120N60X3

    DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT

    Littelfuse Inc.

    		 9,951 -
    RFQ

    -

    		 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    APT56F60B2

    APT56F60B2

    MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX

    Microchip Technology

    		 7,323 -
    RFQ
    		APT56F60B2

    데이터시트

         		POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 60A (Tc) 10V 110mOhm @ 28A, 10V 5V @ 2.5mA 280 nC @ 10 V ±30V 11300 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
    GS66516T-TR

    GS66516T-TR

    GS66516T-TR

    Infineon Technologies Canada Inc.

    		 4,762 -
    RFQ

    -

    		 - 4-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 60A (Tc) 6V 32mOhm @ 18A, 6V 1.3V @ 14mA 12.1 nC @ 6 V +7V, -10V 520 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
    IXFN340N06

    IXFN340N06

    MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

    IXYS

    		 7,843 -
    RFQ
    		IXFN340N06

    데이터시트

         		HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 340A (Tc) 10V 3mOhm @ 100A, 10V 4V @ 8mA 600 nC @ 10 V ±20V 16800 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXFR26N100P

    IXFR26N100P

    MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 6,926 -
    RFQ
    		IXFR26N100P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 15A (Tc) 10V 430mOhm @ 13A, 10V 6.5V @ 1mA 197 nC @ 10 V ±30V 11900 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    APT10050LVFRG

    APT10050LVFRG

    MOSFET N-CH 1000V 21A TO264

    Microchip Technology

    		 9,103 -
    RFQ
    		APT10050LVFRG

    데이터시트

         		POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 21A (Tc) - 500mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA 500 nC @ 10 V - 7900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
    APT10050B2VFRG

    APT10050B2VFRG

    MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX

    Microchip Technology

    		 6,737 -
    RFQ
    		APT10050B2VFRG

    데이터시트

         		POWER MOS V® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 21A (Tc) - 500mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA 500 nC @ 10 V - 7900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
    IXFN72N55Q2

    IXFN72N55Q2

    MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B

    IXYS

    		 4,377 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, Q2 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 72A (Tc) 10V 72mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 258 nC @ 10 V ±30V 10500 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
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