FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFN36N60

IXFN36N60

MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

IXYS

6,309 -
RFQ
IXFN36N60

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 36A (Tc) 10V 180mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 325 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT8043SFLLG

APT8043SFLLG

MOSFET N-CH 800V 20A D3PAK

Microchip Technology

8,729 -
RFQ
APT8043SFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) - 430mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1mA 85 nC @ 10 V - 2500 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
FMD47-06KC5

FMD47-06KC5

MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC

IXYS

6,717 -
RFQ
FMD47-06KC5

데이터시트

CoolMOS™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
APT10086BVFRG

APT10086BVFRG

MOSFET N-CH 1000V 13A TO247

Microchip Technology

5,398 -
RFQ
APT10086BVFRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 13A (Tc) - 860mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 275 nC @ 10 V - 4440 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
IXKR25N80C

IXKR25N80C

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

IXYS

4,842 -
RFQ
IXKR25N80C

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 25A (Tc) 10V 150mOhm @ 18A, 10V 4V @ 2mA 355 nC @ 10 V ±20V - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IXFN25N90

IXFN25N90

MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

IXYS

6,016 -
RFQ
IXFN25N90

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 25A (Tc) 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±20V 10800 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
STE30NK90Z

STE30NK90Z

MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP

STMicroelectronics

5,554 -
RFQ
STE30NK90Z

데이터시트

SuperMESH™ ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 28A (Tc) 10V 260mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 150µA 490 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 500W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT50M75B2LLG

APT50M75B2LLG

MOSFET N-CH 500V 57A T-MAX

Microchip Technology

7,723 -
RFQ
APT50M75B2LLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 57A (Tc) 10V 75mOhm @ 28.5A, 10V 5V @ 2.5mA 125 nC @ 10 V ±30V 5590 pF @ 25 V - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT50M75LLLG

APT50M75LLLG

MOSFET N-CH 500V 57A TO264

Microchip Technology

3,955 -
RFQ
APT50M75LLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 57A (Tc) - 75mOhm @ 28.5A, 10V 5V @ 2.5mA 125 nC @ 10 V - 5590 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
IXFB70N60Q2

IXFB70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264

IXYS

2,606 -
RFQ
IXFB70N60Q2

데이터시트

HiPerFET™, Q2 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 70A (Tc) 10V 88mOhm @ 35A, 10V 5.5V @ 8mA 265 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
IXFN55N50

IXFN55N50

MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B

Littelfuse Inc.

7,165 -
RFQ
IXFN55N50

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 55A (Tc) 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFK30N100Q2

IXFK30N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 30A TO264AA

IXYS

2,008 -
RFQ
IXFK30N100Q2

데이터시트

HiPerFET™, Q2 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 30A (Tc) 10V 400mOhm @ 15A, 10V 5V @ 8mA 186 nC @ 10 V ±30V 8200 pF @ 25 V - 735W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
APT6015LVRG

APT6015LVRG

MOSFET N-CH 600V 38A TO264

Microchip Technology

2,547 -
RFQ
APT6015LVRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) - 150mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA 475 nC @ 10 V - 9000 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
APT20M20B2FLLG

APT20M20B2FLLG

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX

Microchip Technology

4,709 -
RFQ
APT20M20B2FLLG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 100A (Tc) - 20mOhm @ 50A, 10V 5V @ 2.5mA 110 nC @ 10 V - 6850 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT66F60L

APT66F60L

MOSFET N-CH 600V 70A TO264

Microchip Technology

5,907 -
RFQ
APT66F60L

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 70A (Tc) 10V 90mOhm @ 33A, 10V 5V @ 2.5mA 330 nC @ 10 V ±30V 13190 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IXTR120P20T

IXTR120P20T

MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

5,407 -
RFQ
IXTR120P20T

데이터시트

TrenchP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 90A (Tc) 10V 32mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 740 nC @ 10 V ±15V 73000 pF @ 25 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
APT30M36B2FLLG

APT30M36B2FLLG

MOSFET N-CH 300V 84A T-MAX

Microchip Technology

7,315 -
RFQ
APT30M36B2FLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 84A (Tc) - 36mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 115 nC @ 10 V - 6480 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT50M75LFLLG

APT50M75LFLLG

MOSFET N-CH 500V 57A TO264

Microchip Technology

2,353 -
RFQ
APT50M75LFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 57A (Tc) - 75mOhm @ 28.5A, 10V 5V @ 2.5mA 125 nC @ 10 V - 5590 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
APT48M80B2

APT48M80B2

MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX

Microchip Technology

3,822 -
RFQ
APT48M80B2

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 49A (Tc) 10V 190mOhm @ 24A, 10V 5V @ 2.5mA 305 nC @ 10 V ±30V 9330 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
SICW021N120P-BP

SICW021N120P-BP

SIC MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

2,051 -
RFQ

-

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 100A (Tc) 18V 29.4mOhm @ 50A, 18V 4.5V @ 17mA 200 nC @ 18 V +22V, -10V 3741 pF @ 800 V - 469W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
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