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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IXFN150N15

    IXFN150N15

    MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B

    IXYS

    		 7,079 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 150A (Tc) 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V ±20V 9100 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXFH80N085

    IXFH80N085

    MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD

    IXYS

    		 3,818 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 85 V 80A (Tc) 10V 9mOhm @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    APT1201R6BVFRG

    APT1201R6BVFRG

    MOSFET N-CH 1200V 8A TO247

    Microchip Technology

    		 3,853 -
    RFQ
    		APT1201R6BVFRG

    데이터시트

         		POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 8A (Tc) - 1.6Ohm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 230 nC @ 10 V - 3660 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
    IXFR30N110P

    IXFR30N110P

    MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247

    IXYS

    		 5,809 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1100 V 16A (Tc) 10V 400mOhm @ 15A, 10V 6.5V @ 1mA 235 nC @ 10 V ±30V 13600 pF @ 25 V - 320W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    APT24M120L

    APT24M120L

    MOSFET N-CH 1200V 24A TO264

    Microchip Technology

    		 7,488 -
    RFQ
    		APT24M120L

    데이터시트

         		POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 24A (Tc) 10V 680mOhm @ 12A, 10V 5V @ 2.5mA 260 nC @ 10 V ±30V 8370 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
    APT10086BVRG

    APT10086BVRG

    MOSFET N-CH 1000V 13A TO247

    Microchip Technology

    		 2,011 -
    RFQ
    		APT10086BVRG

    데이터시트

         		POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 13A (Tc) - 860mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 275 nC @ 10 V - 4440 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
    IXFN73N30Q

    IXFN73N30Q

    MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

    IXYS

    		 9,595 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, Q Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 73A (Tc) 10V 45mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 195 nC @ 10 V ±30V 5400 pF @ 25 V - 481W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    NTCR013N120M3S

    NTCR013N120M3S

    WAFER DIE

    onsemi

    		 7,942 -
    RFQ
    		NTCR013N120M3S

    데이터시트

         		- Die Tray Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V - 18V 20mOhm @ 75A, 18V 4.4V @ 37mA 254 nC @ 18 V - 5813 pF @ 800 V - - - - - Surface Mount Die
    NTCTR028N170M1

    NTCTR028N170M1

    SIC MOS TNR 28MOHM 1700V M1 WAFE

    onsemi

    		 8,924 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IXFK34N80

    IXFK34N80

    MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA

    IXYS

    		 2,797 -
    RFQ
    		IXFK34N80

    데이터시트

         		HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 34A (Tc) 10V 240mOhm @ 17A, 10V 5V @ 8mA 270 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    APT66M60L

    APT66M60L

    MOSFET N-CH 600V 70A TO264

    Microchip Technology

    		 9,211 -
    RFQ
    		APT66M60L

    데이터시트

         		POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 70A (Tc) 10V 190mOhm @ 33A, 10V 5V @ 2.5mA 330 nC @ 10 V ±30V 13190 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
    APT8043BFLLG

    APT8043BFLLG

    MOSFET N-CH 800V 20A TO247

    Microchip Technology

    		 3,667 -
    RFQ
    		APT8043BFLLG

    데이터시트

         		POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) - 430mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1mA 85 nC @ 10 V - 2500 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
    IXFX130N65X3

    IXFX130N65X3

    DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU

    Littelfuse Inc.

    		 4,700 -
    RFQ

    -

    		 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IXFK130N65X3

    IXFK130N65X3

    DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 TO2

    Littelfuse Inc.

    		 2,501 -
    RFQ

    -

    		 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IXFB72N55Q2

    IXFB72N55Q2

    MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264

    IXYS

    		 4,406 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, Q2 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 72A (Tc) 10V 72mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 258 nC @ 10 V ±30V 10500 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
    IXFL60N80P

    IXFL60N80P

    MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264

    Littelfuse Inc.

    		 4,526 -
    RFQ
    		IXFL60N80P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 40A (Tc) 10V 150mOhm @ 30A, 10V 5V @ 8mA 250 nC @ 10 V ±30V 18000 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS264™
    IXTN120N25

    IXTN120N25

    MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B

    IXYS

    		 7,413 -
    RFQ

    -

    		 MegaMOS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 120A (Tc) - 20mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 360 nC @ 10 V - 7700 pF @ 25 V - 730W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXFN20N120

    IXFN20N120

    MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

    IXYS

    		 5,487 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 20A (Tc) 10V 750mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 160 nC @ 10 V ±30V 7400 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXFE24N100

    IXFE24N100

    MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B

    IXYS

    		 3,196 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 22A (Tc) 10V 390mOhm @ 12A, 10V 5V @ 8mA 250 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXFN50N50

    IXFN50N50

    MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B

    IXYS

    		 5,521 -
    RFQ
    		IXFN50N50

    데이터시트

         		HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 50A (Tc) 10V 90mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
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