FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFN32N80P

IXFN32N80P

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Littelfuse Inc.

6,341 -
RFQ
IXFN32N80P

데이터시트

HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 29A (Tc) 10V 270mOhm @ 16A, 10V 5V @ 8mA 150 nC @ 10 V ±30V 8820 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Microchip Technology

8,101 -
RFQ
APT60N60SCSG/TR

데이터시트

CoolMOS™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.9V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 431W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
APT8043BLLG

APT8043BLLG

MOSFET N-CH 800V 20A TO247

Microchip Technology

3,482 -
RFQ
APT8043BLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) - 430mOhm @ 5A, 10V 5V @ 1mA 85 nC @ 10 V - 2500 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
IXFE44N60

IXFE44N60

MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B

IXYS

7,107 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 41A (Tc) 10V 130mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 8900 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
VS-FA38SA50LCP

VS-FA38SA50LCP

MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,089 -
RFQ
VS-FA38SA50LCP

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 38A (Tc) 10V 130mOhm @ 23A, 10V 4V @ 250µA 420 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
IXFE55N50

IXFE55N50

MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B

IXYS

4,127 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 47A (Tc) 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 500W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFL39N90

IXFL39N90

MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264

IXYS

5,366 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 34A (Tc) 10V 220mOhm @ 19.5A, 10V 5V @ 8mA 375 nC @ 10 V ±20V 13400 pF @ 25 V - 580W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS264™
IXFR40N90P

IXFR40N90P

MOSFET N-CH 900V 21A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

4,450 -
RFQ
IXFR40N90P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 21A (Tc) 10V 230mOhm @ 20A, 10V 6.5V @ 1mA 230 nC @ 10 V ±30V 14000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
APT5010B2VRG

APT5010B2VRG

MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX

Microchip Technology

4,154 -
RFQ
APT5010B2VRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 47A (Tc) - 100mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA 470 nC @ 10 V - 8900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXFB80N50Q2

IXFB80N50Q2

MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264

IXYS

5,418 -
RFQ
IXFB80N50Q2

데이터시트

HiPerFET™, Q2 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 80A (Tc) 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 8mA 250 nC @ 10 V ±30V 15000 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
NTP8G206NG

NTP8G206NG

GANFET N-CH 600V 17A TO220-3

onsemi

4,629 -
RFQ
NTP8G206NG

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 17A (Tc) 8V 180mOhm @ 11A, 8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
FB180SA10

FB180SA10

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,891 -
RFQ

-

HEXFET® SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 108A, 10V 4V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±20V 10700 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
IXKF40N60SCD1

IXKF40N60SCD1

MOSFET N-CH 600V 41A I4PAC

IXYS

8,569 -
RFQ
IXKF40N60SCD1

데이터시트

CoolMOS™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 41A (Tc) 10V 70mOhm @ 25A, 10V 3.9V @ 3mA 250 nC @ 10 V ±20V - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXFK180N10

IXFK180N10

MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA

IXYS

2,175 -
RFQ
IXFK180N10

데이터시트

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 8mOhm @ 90A, 10V 4V @ 8mA 390 nC @ 10 V ±20V 10900 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFK140N60X3

IXFK140N60X3

DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 TO2

Littelfuse Inc.

7,165 -
RFQ

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTX24N100

IXTX24N100

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247

Littelfuse Inc.

3,304 -
RFQ

-

- TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 24A (Tc) 10V 400mOhm @ 12A, 10V 5.5V @ 8mA 267 nC @ 10 V ±20V 8700 pF @ 25 V - 568W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
APT84M50B2

APT84M50B2

MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Microchip Technology

9,024 -
RFQ
APT84M50B2

데이터시트

- TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 84A (Tc) 10V 65mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340 nC @ 10 V ±30V 13500 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT6021BFLLG

APT6021BFLLG

MOSFET N-CH 600V 29A TO247

Microchip Technology

9,207 -
RFQ
APT6021BFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) - 210mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V - 3470 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
VS-FA40SA50LC

VS-FA40SA50LC

MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,962 -
RFQ
VS-FA40SA50LC

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 40A (Tc) 10V 130mOhm @ 23A, 10V 4V @ 250µA 420 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 25 V - 543W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
IXFR44N60

IXFR44N60

MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

7,193 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) 10V 130mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 4mA 330 nC @ 10 V ±20V 8900 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
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