FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

모두 초기화
모두 적용
결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
APT20M18B2VRG

APT20M18B2VRG

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX

Microchip Technology

4,792 -
RFQ
APT20M18B2VRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 100A (Tc) - 18mOhm @ 50A, 10V 4V @ 2.5mA 330 nC @ 10 V - 9880 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT20M18LVRG

APT20M18LVRG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264

Microchip Technology

7,804 -
RFQ
APT20M18LVRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 100A (Tc) - 18mOhm @ 50A, 10V 4V @ 2.5mA 330 nC @ 10 V - 9880 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
FA57SA50LC

FA57SA50LC

MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,645 -
RFQ

-

HEXFET® SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 57A (Tc) 10V 80mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 338 nC @ 10 V ±20V 10000 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
IXFL34N100

IXFL34N100

MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264

IXYS

7,816 -
RFQ
IXFL34N100

데이터시트

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 30A (Tc) 10V 280mOhm @ 30A, 10V 5V @ 8mA 380 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 25 V - 550W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS264™
APT10078BFLLG

APT10078BFLLG

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247

Microchip Technology

9,143 -
RFQ
APT10078BFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 14A (Tc) - 780mOhm @ 7A, 10V 5V @ 1mA 95 nC @ 10 V - 2525 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
SICW021N120P4-BP

SICW021N120P4-BP

SIC MOSFET,TO-247-4L

Micro Commercial Co

4,270 -
RFQ
SICW021N120P4-BP

데이터시트

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 100A (Tc) 18V 29.4mOhm @ 50A, 18V 4.5V @ 17mA 200 nC @ 18 V +18V, -5V 3741 pF @ 800 V - 469W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXFN23N100

IXFN23N100

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

IXYS

7,921 -
RFQ
IXFN23N100

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 23A (Tc) 10V - 5V @ 8mA - ±20V - - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFB170N30P

IXFB170N30P

MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264

Littelfuse Inc.

8,795 -
RFQ
IXFB170N30P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 170A (Tc) 10V 18mOhm @ 85A, 10V 4.5V @ 1mA 258 nC @ 10 V ±20V 20000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
IXFN34N80

IXFN34N80

MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

IXYS

2,211 -
RFQ
IXFN34N80

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 34A (Tc) 10V 240mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 270 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXTH44N25L2

IXTH44N25L2

MOSFET N-CH 250V 44A TO247

Littelfuse Inc.

6,672 -
RFQ
IXTH44N25L2

데이터시트

Linear L2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 44A (Tc) 10V 75mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 250µA 256 nC @ 10 V ±20V 5740 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Microchip Technology

8,727 -
RFQ
APT60N60SCSG

데이터시트

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.9V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 431W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
APT44F80L

APT44F80L

MOSFET N-CH 800V 47A TO264

Microchip Technology

5,618 -
RFQ
APT44F80L

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 47A (Tc) 10V 240mOhm @ 24A, 10V 5V @ 2.5mA 305 nC @ 10 V ±30V 9330 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
IGLD60R070D1AUMA1

IGLD60R070D1AUMA1

GANFET N-CH 600V 15A LSON-8

Infineon Technologies

7,911 -
RFQ
IGLD60R070D1AUMA1

데이터시트

CoolGaN™ 8-LDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 15A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-LSON-8-1
IXFL70N60Q2

IXFL70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264

IXYS

4,702 -
RFQ

-

HiPerFET™, Q2 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 92mOhm @ 35A, 10V 5.5V @ 8mA 265 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS264™
APT40M70LVRG

APT40M70LVRG

MOSFET N-CH 400V 57A TO264

Microchip Technology

5,776 -
RFQ

-

POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 57A (Tc) 10V 70mOhm @ 28.5A, 10V 4V @ 2.5mA 495 nC @ 10 V ±30V 8890 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (L)
APT37M100B2

APT37M100B2

MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Microchip Technology

4,776 -
RFQ
APT37M100B2

데이터시트

- TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 37A (Tc) 10V 330mOhm @ 18A, 10V 5V @ 2.5mA 305 nC @ 10 V ±30V 9835 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXFE50N50

IXFE50N50

MOSFET N-CH 500V 47A SOT227B

IXYS

4,553 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 47A (Tc) 10V 100mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 500W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN64N50PD2

IXFN64N50PD2

MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B

IXYS

6,436 -
RFQ

-

PolarHV™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 52A (Tc) 10V 85mOhm @ 32A, 10V 5V @ 8mA 186 nC @ 10 V ±30V 11000 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN48N50U2

IXFN48N50U2

MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B

IXYS

8,523 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 48A (Tc) 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 270 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 25 V - 520W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN48N50U3

IXFN48N50U3

MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B

IXYS

5,306 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 48A (Tc) 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 270 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 25 V - 520W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
TomatoElec

검색

TomatoElec

제품

TomatoElec

전화번호

TomatoElec

사용자