FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

모두 초기화
모두 적용
결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXTN21N100

IXTN21N100

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B

IXYS

6,694 -
RFQ

-

MegaMOS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 21A (Tc) 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 500µA 250 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

MOSFET N-CH 1200V 9A TO247

Microchip Technology

4,027 -
RFQ
APT1201R4BFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 9A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 4.5A, 10V 5V @ 1mA 75 nC @ 10 V ±30V 2030 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXFK24N100F

IXFK24N100F

MOSFET N-CH 1000V 24A TO264

IXYS

6,052 -
RFQ

-

HiPerRF™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 24A (Tc) 10V 390mOhm @ 12A, 10V 5.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V ±20V 6600 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
IXFB52N90P

IXFB52N90P

MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264

Littelfuse Inc.

8,178 -
RFQ
IXFB52N90P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 52A (Tc) 10V 160mOhm @ 26A, 10V 6.5V @ 1mA 308 nC @ 10 V ±30V 19000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
IXFE48N50QD2

IXFE48N50QD2

MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

IXYS

4,737 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 41A (Tc) 10V 110mOhm @ 24A, 10V 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 25 V - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFE48N50QD3

IXFE48N50QD3

MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

IXYS

5,150 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 41A (Tc) 10V 110mOhm @ 24A, 10V 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 25 V - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
SCTWA70N120G2V-4

SCTWA70N120G2V-4

DISCRETE

STMicroelectronics

9,541 -
RFQ
SCTWA70N120G2V-4

데이터시트

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 91A (Tc) 18V 30mOhm @ 50A, 18V 4.9V @ 1mA 150 nC @ 18 V +22V, -10V 3540 pF @ 800 V - 547W -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
APT8030LVRG

APT8030LVRG

MOSFET N-CH 800V 27A TO264

Microchip Technology

6,255 -
RFQ
APT8030LVRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 27A (Tc) - 300mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA 510 nC @ 10 V - 7900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
APT34F100B2

APT34F100B2

MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Microchip Technology

8,652 -
RFQ
APT34F100B2

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 35A (Tc) 10V 380mOhm @ 18A, 10V 5V @ 2.5mA 305 nC @ 10 V ±30V 9835 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT34F100L

APT34F100L

MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Microchip Technology

6,495 -
RFQ
APT34F100L

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 35A (Tc) 10V 400mOhm @ 18A, 10V 5V @ 2.5mA 305 nC @ 10 V ±30V 9835 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IXFL30N120P

IXFL30N120P

MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK

IXYS

4,520 -
RFQ
IXFL30N120P

데이터시트

HiPerFET™, Polar ISOPLUSi5-PAK™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 18A (Tc) 10V 380mOhm @ 15A, 10V 6.5V @ 1mA 310 nC @ 10 V ±30V 19000 pF @ 25 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
IXFE44N50QD2

IXFE44N50QD2

MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

IXYS

9,114 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 39A (Tc) 10V 120mOhm @ 22A, 10V 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 25 V - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFE44N50QD3

IXFE44N50QD3

MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

IXYS

6,011 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 39A (Tc) 10V 120mOhm @ 22A, 10V 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 25 V - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXTF6N200P3

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC

IXYS

8,712 -
RFQ
IXTF6N200P3

데이터시트

Polar P3™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2000 V 4A (Tc) 10V 4.2Ohm @ 3A, 10V 5V @ 250µA 143 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
APT50M75B2FLLG

APT50M75B2FLLG

MOSFET N-CH 500V 57A T-MAX

Microchip Technology

7,531 -
RFQ
APT50M75B2FLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 57A (Tc) - 75mOhm @ 28.5A, 10V 5V @ 2.5mA 125 nC @ 10 V - 5590 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT84F50B2

APT84F50B2

MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Microchip Technology

9,517 -
RFQ
APT84F50B2

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 84A (Tc) 10V 65mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340 nC @ 10 V ±30V 13500 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT10M09LVFRG

APT10M09LVFRG

MOSFET N-CH 100V 100A TO264

Microchip Technology

6,995 -
RFQ
APT10M09LVFRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) - 9mOhm @ 50A, 10V 4V @ 2.5mA 350 nC @ 10 V - 9875 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
APT10078SLLG

APT10078SLLG

MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Microchip Technology

4,423 -
RFQ
APT10078SLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 14A (Tc) 10V 780mOhm @ 7A, 10V 5V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±30V 2525 pF @ 25 V - 403W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
APT8030LVFRG

APT8030LVFRG

MOSFET N-CH 800V 27A TO264

Microchip Technology

7,131 -
RFQ
APT8030LVFRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 27A (Tc) - 300mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA 510 nC @ 10 V - 7900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
STE139N65M5

STE139N65M5

MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP

STMicroelectronics

4,387 -
RFQ

-

MDmesh™ ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 130A (Tc) 10V 17mOhm @ 65A, 10V 5V @ 250µA 363 nC @ 10 V ±25V 15600 pF @ 100 V - 672W (Tc) 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP
TomatoElec

검색

TomatoElec

제품

TomatoElec

전화번호

TomatoElec

사용자