FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
MKE38RK600DFEL-TUB

MKE38RK600DFEL-TUB

MOSFET N-CH 600V 50A SMPD

IXYS

3,475 -
RFQ
MKE38RK600DFEL-TUB

데이터시트

CoolMOS™ 9-SMD Module Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
IRFPS40N60K

IRFPS40N60K

MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247

Vishay Siliconix

5,081 -
RFQ
IRFPS40N60K

데이터시트

- TO-274AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 130mOhm @ 24A, 10V 5V @ 250µA 330 nC @ 10 V ±30V 7970 pF @ 25 V - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
APT30M60J

APT30M60J

MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP

Microchip Technology

4,983 -
RFQ
APT30M60J

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 31A (Tc) 10V 150mOhm @ 21A, 10V 5V @ 2.5mA 215 nC @ 10 V ±30V 5890 pF @ 25 V - 355W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT70SM70J

APT70SM70J

SICFET N-CH 700V 49A SOT227

Microsemi Corporation

7,672 -
RFQ

-

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 49A (Tc) 20V 70mOhm @ 32.5A, 20V 2.5V @ 1mA 125 nC @ 20 V +25V, -10V - - 165W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
APT1001R6BFLLG

APT1001R6BFLLG

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247

Microchip Technology

5,411 -
RFQ

-

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 8A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 4A, 10V 5V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±30V 1320 pF @ 25 V - 266W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
APT10045B2FLLG

APT10045B2FLLG

MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Microchip Technology

2,041 -
RFQ
APT10045B2FLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 23A (Tc) - 460mOhm @ 11.5A, 10V 5V @ 2.5mA 154 nC @ 10 V - 4350 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT10045LFLLG

APT10045LFLLG

MOSFET N-CH 1000V 23A TO264

Microchip Technology

7,974 -
RFQ
APT10045LFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 23A (Tc) - 460mOhm @ 11.5A, 10V 5V @ 2.5mA 154 nC @ 10 V - 4350 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

IXYS

7,745 -
RFQ
IXFN70N60Q2

데이터시트

HiPerFET™, Q2 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 70A (Tc) 10V 80mOhm @ 35A, 10V 5V @ 8mA 265 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Microchip Technology

4,802 -
RFQ
APT6010B2LLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 54A (Tc) 10V 100mOhm @ 27A, 10V 5V @ 2.5mA 150 nC @ 10 V ±30V 6710 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXTH20N50D

IXTH20N50D

MOSFET N-CH 500V 20A TO247

IXYS

6,778 -
RFQ
IXTH20N50D

데이터시트

Depletion TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 330mOhm @ 10A, 10V - 125 nC @ 10 V ±30V 2500 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXTN660N04T4

IXTN660N04T4

MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B

IXYS

9,486 -
RFQ
IXTN660N04T4

데이터시트

Trench SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 660A (Tc) 10V 0.85mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 860 nC @ 10 V ±15V 44000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFX44N80Q3

IXFX44N80Q3

MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

9,094 -
RFQ
IXFX44N80Q3

데이터시트

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 190mOhm @ 22A, 10V 6.5V @ 8mA 185 nC @ 10 V ±30V 9840 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFN94N50P2

IXFN94N50P2

MOSFET N-CH 500V 68A SOT227B

Littelfuse Inc.

7,014 -
RFQ
IXFN94N50P2

데이터시트

HiPerFET™, PolarP2™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 68A (Tc) 10V 55mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 220 nC @ 10 V ±30V 13700 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT38F50J

APT38F50J

MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Microchip Technology

5,786 -
RFQ
APT38F50J

데이터시트

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 38A (Tc) 10V 100mOhm @ 28A, 10V 5V @ 2.5mA 220 nC @ 10 V ±30V 8800 pF @ 25 V - 355W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
IXFN32N120

IXFN32N120

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

IXYS

5,892 -
RFQ
IXFN32N120

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Box Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 32A - 350mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 400 nC @ 10 V - 15900 pF @ 25 V - - - - - Chassis Mount SOT-227B
IXFK44N80Q3

IXFK44N80Q3

MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA

Littelfuse Inc.

2,100 -
RFQ
IXFK44N80Q3

데이터시트

HiPerFET™, Q3 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 190mOhm @ 22A, 10V 6.5V @ 8mA 185 nC @ 10 V ±30V 9840 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
APT8024LFLLG

APT8024LFLLG

MOSFET N-CH 800V 31A TO264

Microchip Technology

6,826 -
RFQ
APT8024LFLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 31A (Tc) 10V 260mOhm @ 15.5A, 10V 5V @ 2.5mA 160 nC @ 10 V ±30V 4670 pF @ 25 V - 565W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IXFE80N50

IXFE80N50

MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B

IXYS

9,829 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 72A (Tc) 10V 55mOhm @ 40A, 10V 4.5V @ 8mA 380 nC @ 10 V ±20V 9890 pF @ 25 V - 580W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT26F120B2

APT26F120B2

MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Microchip Technology

2,670 -
RFQ
APT26F120B2

데이터시트

- TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 27A (Tc) 10V 650mOhm @ 14A, 10V 5V @ 2.5mA 300 nC @ 10 V ±30V 9670 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™
APT26F120L

APT26F120L

MOSFET N-CH 1200V 27A TO264

Microchip Technology

5,862 -
RFQ
APT26F120L

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 27A (Tc) 10V 650mOhm @ 14A, 10V 5V @ 2.5mA 300 nC @ 10 V ±30V 9670 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
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