FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFE180N20

IXFE180N20

MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B

IXYS

7,673 -
RFQ

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 158A (Tc) 10V 12mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 380 nC @ 10 V ±20V 14400 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXTN79N20

IXTN79N20

MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B

IXYS

7,235 -
RFQ

-

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 85A (Tc) - - 4V @ 20mA - - - - 400W (Tc) - - - Chassis Mount SOT-227B
UF4C120053B7SSB

UF4C120053B7SSB

1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

3,156 -
RFQ
UF4C120053B7SSB

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 34A (Tj) 12V 67mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7L
UF4SC120030B7SSB

UF4SC120030B7SSB

1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

8,077 -
RFQ
UF4SC120030B7SSB

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 56A (Tj) 12V 39mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1450 pF @ 800 V - 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7L
APT40M70JVFR

APT40M70JVFR

MOSFET N-CH 400V 53A ISOTOP

Microsemi Corporation

4,917 -
RFQ
APT40M70JVFR

데이터시트

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 53A (Tc) 10V 70mOhm @ 26.5A, 10V 4V @ 2.5mA 495 nC @ 10 V ±30V 8890 pF @ 25 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT10043JVR

APT10043JVR

MOSFET N-CH 1000V 22A ISOTOP

Microsemi Corporation

6,352 -
RFQ
APT10043JVR

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 22A (Tj) - 430mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 480 nC @ 10 V - 9000 pF @ 25 V - - - - - Chassis Mount ISOTOP®
APT31N80JC3

APT31N80JC3

MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP

Microsemi Corporation

7,013 -
RFQ
APT31N80JC3

데이터시트

CoolMOS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 31A (Tc) 10V 145mOhm @ 22A, 10V 3.9V @ 2mA 355 nC @ 10 V ±20V 4510 pF @ 25 V - 833W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT6011B2VRG

APT6011B2VRG

MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX

Microchip Technology

6,008 -
RFQ
APT6011B2VRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 49A (Tc) - 110mOhm @ 24.5A, 10V 4V @ 2.5mA 450 nC @ 10 V - 8900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXFL44N80

IXFL44N80

MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264

IXYS

7,001 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 165mOhm @ 22A, 10V 4V @ 8mA 380 nC @ 10 V ±20V 10000 pF @ 25 V - 550W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS264™
IXTZ550N055T2

IXTZ550N055T2

MOSFET N-CH 55V 550A DE475

IXYS

6,982 -
RFQ
IXTZ550N055T2

데이터시트

TrenchT2™ 6-SMD, Flat Leads Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 550A (Tc) 10V 1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 595 nC @ 10 V ±20V 40000 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DE475
APT8024B2LLG

APT8024B2LLG

MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX

Microsemi Corporation

5 -
RFQ
APT8024B2LLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 31A (Tc) 10V 240mOhm @ 15.5A, 10V 5V @ 2.5mA 160 nC @ 10 V ±30V 4670 pF @ 25 V - 565W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXFN24N100F

IXFN24N100F

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

IXYS

3,909 -
RFQ

-

HiPerRF™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 24A (Tc) 10V 390mOhm @ 12A, 10V 5.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V ±20V 6600 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN170N10

IXFN170N10

MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

IXYS

4,597 -
RFQ
IXFN170N10

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 170A (Tc) 10V 10mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 515 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFR26N120P

IXFR26N120P

MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

9,261 -
RFQ
IXFR26N120P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 15A (Tc) 10V 500mOhm @ 13A, 10V 6.5V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 14000 pF @ 25 V - 320W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
STE250NS10

STE250NS10

MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP

STMicroelectronics

6,514 -
RFQ
STE250NS10

데이터시트

STripFET™ ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 220A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 125A, 10V 4V @ 250µA 900 nC @ 10 V ±20V 31000 pF @ 25 V - 500W (Tc) 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
GS66516B-TR

GS66516B-TR

GS66516B-TR

Infineon Technologies Canada Inc.

2,789 -
RFQ

-

- Die Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 60A (Tc) 6V 32mOhm @ 18A, 6V 1.3V @ 14mA 12.1 nC @ 6 V +7V, -10V 520 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
IXFN340N07

IXFN340N07

MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Littelfuse Inc.

8,402 -
RFQ
IXFN340N07

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70 V 340A (Tc) 10V 4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 8mA 490 nC @ 10 V ±20V 12200 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN120N20

IXFN120N20

MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

IXYS

7,642 -
RFQ
IXFN120N20

데이터시트

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120A (Tc) 10V 17mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V ±20V 9100 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT20M18B2VFRG

APT20M18B2VFRG

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX

Microchip Technology

3,004 -
RFQ
APT20M18B2VFRG

데이터시트

POWER MOS V® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 100A (Tc) - 18mOhm @ 50A, 10V 4V @ 2.5mA 330 nC @ 10 V - 9880 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT10045LLLG

APT10045LLLG

MOSFET N-CH 1000V 23A TO264

Microchip Technology

6,097 -
RFQ
APT10045LLLG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 23A (Tc) - 450mOhm @ 11.5A, 10V 5V @ 2.5mA 154 nC @ 10 V - 4350 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
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