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0755-82798135단일 다이오드
단일 다이오드
TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.
당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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C4D10120EDIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2 |
5,722 | - |
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데이터시트 |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 33A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | 754pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
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IDH20G65C6XKSA1DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2 |
1,342 | - |
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데이터시트 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 41A | 1.35 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 67 µA @ 420 V | 970pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2 | -55°C ~ 175°C |
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C4D08120ADIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO220 |
711 | - |
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데이터시트 |
Z-Rec® | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 24.5A | 1.8 V @ 7.5 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | 560pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
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DH40-18ADIODE GEN PURP 1.8KV 40A TO247AD |
406 | - |
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데이터시트 |
SONIC-FRD™ | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1800 V | 40A | 2.7 V @ 40 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 300 ns | 100 µA @ 1800 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 150°C |
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JAN1N5819UR-1DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB |
175 | - |
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데이터시트 |
- | DO-213AB, MELF (Glass) | Bulk | Active | Schottky | 45 V | 1A | 490 mV @ 1 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 50 µA @ 45 V | 70pF @ 5V, 1MHz | Military | MIL-PRF-19500/586 | Surface Mount | DO-213AB (MELF, LL41) | -65°C ~ 125°C |
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1N5809USDIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF |
629 | - |
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데이터시트 |
- | SQ-MELF, B | Bulk | Active | Standard | 100 V | 3A | 875 mV @ 4 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 30 ns | 5 µA @ 100 V | 60pF @ 10V, 1MHz | - | - | Surface Mount | B, SQ-MELF | -65°C ~ 175°C |
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IDH20G65C5XKSA2DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1 |
864 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 20A | 1.7 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 210 µA @ 650 V | 590pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-1 | -55°C ~ 175°C |
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JANTX1N5811USDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF |
116 | - |
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데이터시트 |
- | SQ-MELF, B | Bulk | Active | Standard | 150 V | 3A | 875 mV @ 4 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 30 ns | 5 µA @ 150 V | 60pF @ 10V, 1MHz | Military | MIL-PRF-19500/477 | Surface Mount | B, SQ-MELF | -65°C ~ 175°C |
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GD10MPS17HDIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2 |
780 | - |
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데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1700 V | 26A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 1700 V | 721pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
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1N5819UR-1DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB |
376 | - |
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데이터시트 |
- | DO-213AB, MELF (Glass) | Bulk | Active | Schottky | 45 V | 1A | 490 mV @ 1 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 50 µA @ 45 V | 70pF @ 5V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DO-213AB (MELF, LL41) | -65°C ~ 150°C |
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IDW20G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 |
270 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-247-3 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 20A | 1.7 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 210 µA @ 650 V | 590pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-41 | -55°C ~ 175°C |
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1N5554DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL |
218 | - |
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데이터시트 |
- | B, Axial | Bulk | Active | Standard | 1000 V | 3A | 1.2 V @ 9 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | - | - | - | Through Hole | B, Axial | -65°C ~ 175°C |
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C4D10120ADIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2 |
469 | - |
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데이터시트 |
Z-Rec® | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 33A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | 754pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
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IDH20G120C5XKSA1DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1 |
974 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 56A | 1.8 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 123 µA @ 1200 V | 1050pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-1 | -55°C ~ 175°C |
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IDK20G120C5XTMA1DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-1 |
1,079 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 56A | 1.8 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | 123 µA @ 1200 V | 1050pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-TO263-2-1 | -55°C ~ 175°C |
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STPSC20H12G-TRDIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK |
4,630 | - |
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데이터시트 |
ECOPACK®2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 20A | 1.5 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 120 µA @ 1200 V | 1650pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
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1N5711UR-1DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA |
223 | - |
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데이터시트 |
- | DO-213AA | Bulk | Active | Schottky | 50 V | 33mA | 1 V @ 15 mA | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | - | 200 nA @ 50 V | 2pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DO-213AA | -65°C ~ 150°C |
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GD60MPS06HDIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2 |
849 | - |
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데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 82A | 1.8 V @ 60 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 10 µA @ 650 V | 1463pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
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STPSC20H12GY-TRDIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK |
1,492 | - |
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데이터시트 |
ECOPACK®2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 20A | 1.5 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 120 µA @ 1200 V | 1650pF @ 0V, 1MHz | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
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GAP3SLT33-214DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA |
6,598 | - |
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데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | DO-214AA, SMB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 3300 V | 300mA | 2.2 V @ 300 mA | - | 0 ns | 10 µA @ 3300 V | 42pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DO-214AA | -55°C ~ 175°C |

