단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
C4D10120E

C4D10120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

5,722 -
RFQ
C4D10120E

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1

IDH20G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2

Infineon Technologies

1,342 -
RFQ
IDH20G65C6XKSA1

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 41A 1.35 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 67 µA @ 420 V 970pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
C4D08120A

C4D08120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

711 -
RFQ
C4D08120A

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 1.8 V @ 7.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DH40-18A

DH40-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 40A TO247AD

IXYS

406 -
RFQ
DH40-18A

데이터시트

SONIC-FRD™ TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 40A 2.7 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 100 µA @ 1800 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

175 -
RFQ
JAN1N5819UR-1

데이터시트

- DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 125°C
1N5809US

1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

629 -
RFQ
1N5809US

데이터시트

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
IDH20G65C5XKSA2

IDH20G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1

Infineon Technologies

864 -
RFQ
IDH20G65C5XKSA2

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
JANTX1N5811US

JANTX1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

116 -
RFQ
JANTX1N5811US

데이터시트

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
GD10MPS17H

GD10MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

780 -
RFQ
GD10MPS17H

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 26A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 721pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5819UR-1

1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

376 -
RFQ
1N5819UR-1

데이터시트

- DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 150°C
IDW20G65C5XKSA1

IDW20G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

Infineon Technologies

270 -
RFQ
IDW20G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
1N5554

1N5554

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Microchip Technology

218 -
RFQ
1N5554

데이터시트

- B, Axial Bulk Active Standard 1000 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 1000 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
C4D10120A

C4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

469 -
RFQ
C4D10120A

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IDH20G120C5XKSA1

IDH20G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1

Infineon Technologies

974 -
RFQ
IDH20G120C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 123 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
IDK20G120C5XTMA1

IDK20G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-1

Infineon Technologies

1,079 -
RFQ
IDK20G120C5XTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 123 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12G-TR

STPSC20H12G-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

4,630 -
RFQ
STPSC20H12G-TR

데이터시트

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N5711UR-1

1N5711UR-1

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Microchip Technology

223 -
RFQ
1N5711UR-1

데이터시트

- DO-213AA Bulk Active Schottky 50 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
GD60MPS06H

GD60MPS06H

DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

849 -
RFQ
GD60MPS06H

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 82A 1.8 V @ 60 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 1463pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12GY-TR

STPSC20H12GY-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

1,492 -
RFQ
STPSC20H12GY-TR

데이터시트

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA

GeneSiC Semiconductor

6,598 -
RFQ
GAP3SLT33-214

데이터시트

SiC Schottky MPS™ DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 300mA 2.2 V @ 300 mA - 0 ns 10 µA @ 3300 V 42pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AA -55°C ~ 175°C
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