단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
IDH05G120C5XKSA1

IDH05G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-1

Infineon Technologies

899 -
RFQ
IDH05G120C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 1200 V 301pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
VS-90APS12L-M3

VS-90APS12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,295 -
RFQ
VS-90APS12L-M3

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.2 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
1N5615

1N5615

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

270 -
RFQ
1N5615

데이터시트

- A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
STPSC10H065B-TR

STPSC10H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK

STMicroelectronics

12,231 -
RFQ
STPSC10H065B-TR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
1N5417

1N5417

DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL

Microchip Technology

1,183 -
RFQ
1N5417

데이터시트

- Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
DSEI20-12A

DSEI20-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC

IXYS

846 -
RFQ
DSEI20-12A

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 17A 2.15 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 750 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
IDH10G65C6XKSA1

IDH10G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

Infineon Technologies

869 -
RFQ
IDH10G65C6XKSA1

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 420 V 495pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
IDW75D65D1XKSA1

IDW75D65D1XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3

Infineon Technologies

2,129 -
RFQ
IDW75D65D1XKSA1

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Standard 650 V 150A 1.7 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 108 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
JANTX1N5615

JANTX1N5615

DIODE GEN PURP 200V 1A A-PAK

Microchip Technology

2,371 -
RFQ
JANTX1N5615

데이터시트

- A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
C3D10060A

C3D10060A

DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,991 -
RFQ
C3D10060A

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 30A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D10060G

C3D10060G

DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

1,068 -
RFQ
C3D10060G

데이터시트

Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 29A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2

Infineon Technologies

4,234 -
RFQ
IDM10G120C5XTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 38A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 12 V 29pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 150°C
GD05MPS17J-TR

GD05MPS17J-TR

1700V 5A TO-247-2 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

1,286 -
RFQ
GD05MPS17J-TR

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 15A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 361pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
GD05MPS17H

GD05MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 15A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

993 -
RFQ
GD05MPS17H

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 15A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 361pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
VS-90EPS12L-M3

VS-90EPS12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

862 -
RFQ
VS-90EPS12L-M3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.2 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
RURG5060-F085

RURG5060-F085

DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2

onsemi

387 -
RFQ
RURG5060-F085

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 50A 1.6 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 250 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5552

1N5552

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

911 -
RFQ
1N5552

데이터시트

- B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
C4D05120E

C4D05120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,241 -
RFQ
C4D05120E

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C4D05120A

C4D05120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

587 -
RFQ
C4D05120A

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
APT100S20BG

APT100S20BG

DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Microchip Technology

3,777 -
RFQ
APT100S20BG

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 120A 950 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 2 mA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
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