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0755-82798135단일 다이오드
단일 다이오드
TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.
당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STTH5R06DJF-TRDIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT |
7,432 | - |
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데이터시트 |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 600 V | 5A | 2 V @ 5 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 55 ns | 60 µA @ 600 V | - | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) | 175°C (Max) |
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VS-HFA08SD60S-M3DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK |
3,449 | - |
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데이터시트 |
HEXFRED® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | Standard | 600 V | 8A | 1.7 V @ 8 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 55 ns | 5 µA @ 600 V | - | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) | -55°C ~ 150°C |
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VS-HFA16TB120S-M3DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO263AB |
7,790 | - |
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데이터시트 |
HEXFRED® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | Standard | 1200 V | 16A | 3.93 V @ 32 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 135 ns | 20 µA @ 1200 V | - | - | - | Surface Mount | TO-263AB (D2PAK) | -55°C ~ 150°C |
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IDH04G65C6XKSA1DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2 |
6,045 | - |
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데이터시트 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 12A | 1.35 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 14 µA @ 420 V | 205pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2 | -55°C ~ 175°C |
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GB01SLT12-214DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB |
575 | - |
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데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | DO-214AA, SMB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 2.5A | 1.8 V @ 1 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 10 µA @ 1200 V | 69pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DO-214AA (SMB) | -55°C ~ 175°C |
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CMR3U-10M TR13 PBFREEDIODE GEN PURP 1KV 3A SMC |
9,176 | - |
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데이터시트 |
- | DO-214AB, SMC | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 1000 V | 3A | 2 V @ 3 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100 ns | 5 µA @ 1000 V | - | - | - | Surface Mount | SMC | -65°C ~ 175°C |
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VS-8EWF06S-M3DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK |
2,573 | - |
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데이터시트 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | Standard | 600 V | 8A | 1.2 V @ 8 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 55 ns | 100 µA @ 600 V | - | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) | -40°C ~ 150°C |
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C3D04060ADIODE SIL CARB 600V 13.5A TO220 |
5,109 | - |
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데이터시트 |
Z-Rec® | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 13.5A | 1.8 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 251pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
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APT75DQ60BGDIODE GP 600V 75A TO247 |
22,922 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 600 V | 75A | 2.5 V @ 75 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 31 ns | 25 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] | -55°C ~ 175°C |
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JANTXV1N4148UR-1DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA |
7,199 | - |
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데이터시트 |
- | DO-213AA | Bulk | Active | Standard | 75 V | 200mA | 1.2 V @ 100 mA | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 20 ns | 25 nA @ 20 V | 4pF @ 0V, 1MHz | Military | MIL-PRF-19500/116 | Surface Mount | DO-213AA | -65°C ~ 175°C |
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C4D02120E-TRDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2 |
11,748 | - |
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데이터시트 |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.8 V @ 2 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 167pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
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C4D02120EDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2 |
10,786 | - |
|
데이터시트 |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.8 V @ 2 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 167pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
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STPSC6H065B-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK |
5,633 | - |
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데이터시트 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 6A | 1.75 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 60 µA @ 650 V | 300pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DPAK | -40°C ~ 175°C |
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DSEI12-12ADIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC |
3,847 | - |
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데이터시트 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 11A | 2.6 V @ 12 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 70 ns | 250 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-220AC | -40°C ~ 150°C |
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STTH30L06G-TRDIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK |
3,910 | - |
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데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 600 V | 30A | 1.55 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 90 ns | 25 µA @ 600 V | - | - | - | Surface Mount | D2PAK | 175°C (Max) |
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STPSC2H12B2Y-TRDIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A DPAK |
12,015 | - |
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데이터시트 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 5A | 1.5 V @ 2 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 12 µA @ 1200 V | 190pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DPAK | -40°C ~ 175°C |
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GB02SLT12-214DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA |
12,092 | - |
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데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | DO-214AA, SMB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 2A | 1.8 V @ 1 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 131pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DO-214AA | -55°C ~ 175°C |
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DST2045AXDIODE SCHOTTKY 45V 20A P600 |
19,025 | - |
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데이터시트 |
- | P600, Axial | Tape & Reel (TR) | Active | Schottky | 45 V | 20A | 580 mV @ 20 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 1.2 mA @ 45 V | - | - | - | Through Hole | P600 | -55°C ~ 155°C |
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DSI30-12AS-TRLDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AA |
8,015 | - |
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데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 1200 V | 30A | 1.29 V @ 30 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 40 µA @ 1200 V | 10pF @ 400V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263AA | -40°C ~ 175°C |
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VS-E5TH3012-M3DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC |
5,292 | - |
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데이터시트 |
FRED Pt® | TO-220-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 30A | 2.5 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 58 ns | 50 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |

