단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
STTH5R06DJF-TR

STTH5R06DJF-TR

DIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT

STMicroelectronics

7,432 -
RFQ
STTH5R06DJF-TR

데이터시트

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 5A 2 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 60 µA @ 600 V - - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) 175°C (Max)
VS-HFA08SD60S-M3

VS-HFA08SD60S-M3

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,449 -
RFQ
VS-HFA08SD60S-M3

데이터시트

HEXFRED® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 5 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -55°C ~ 150°C
VS-HFA16TB120S-M3

VS-HFA16TB120S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,790 -
RFQ
VS-HFA16TB120S-M3

데이터시트

HEXFRED® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 16A 3.93 V @ 32 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 135 ns 20 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 150°C
IDH04G65C6XKSA1

IDH04G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2

Infineon Technologies

6,045 -
RFQ
IDH04G65C6XKSA1

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.35 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 14 µA @ 420 V 205pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
GB01SLT12-214

GB01SLT12-214

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB

GeneSiC Semiconductor

575 -
RFQ
GB01SLT12-214

데이터시트

SiC Schottky MPS™ DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 2.5A 1.8 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 69pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AA (SMB) -55°C ~ 175°C
CMR3U-10M TR13 PBFREE

CMR3U-10M TR13 PBFREE

DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC

Central Semiconductor Corp

9,176 -
RFQ
CMR3U-10M TR13 PBFREE

데이터시트

- DO-214AB, SMC Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 3A 2 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 5 µA @ 1000 V - - - Surface Mount SMC -65°C ~ 175°C
VS-8EWF06S-M3

VS-8EWF06S-M3

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,573 -
RFQ
VS-8EWF06S-M3

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 600 V 8A 1.2 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
C3D04060A

C3D04060A

DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

5,109 -
RFQ
C3D04060A

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 13.5A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 251pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

DIODE GP 600V 75A TO247

Microchip Technology

22,922 -
RFQ
APT75DQ60BG

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 75A 2.5 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 31 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
JANTXV1N4148UR-1

JANTXV1N4148UR-1

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Microchip Technology

7,199 -
RFQ
JANTXV1N4148UR-1

데이터시트

- DO-213AA Bulk Active Standard 75 V 200mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 25 nA @ 20 V 4pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/116 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
C4D02120E-TR

C4D02120E-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

11,748 -
RFQ
C4D02120E-TR

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 167pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C4D02120E

C4D02120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

10,786 -
RFQ
C4D02120E

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 167pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
STPSC6H065B-TR

STPSC6H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK

STMicroelectronics

5,633 -
RFQ
STPSC6H065B-TR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 300pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
DSEI12-12A

DSEI12-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC

IXYS

3,847 -
RFQ
DSEI12-12A

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 11A 2.6 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
STTH30L06G-TR

STTH30L06G-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

STMicroelectronics

3,910 -
RFQ
STTH30L06G-TR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 600 V - - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
STPSC2H12B2Y-TR

STPSC2H12B2Y-TR

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A DPAK

STMicroelectronics

12,015 -
RFQ
STPSC2H12B2Y-TR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 12 µA @ 1200 V 190pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
GB02SLT12-214

GB02SLT12-214

DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA

GeneSiC Semiconductor

12,092 -
RFQ
GB02SLT12-214

데이터시트

SiC Schottky MPS™ DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 2A 1.8 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 131pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AA -55°C ~ 175°C
DST2045AX

DST2045AX

DIODE SCHOTTKY 45V 20A P600

Littelfuse Inc.

19,025 -
RFQ
DST2045AX

데이터시트

- P600, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 20A 580 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.2 mA @ 45 V - - - Through Hole P600 -55°C ~ 155°C
DSI30-12AS-TRL

DSI30-12AS-TRL

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AA

IXYS

8,015 -
RFQ
DSI30-12AS-TRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1200 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 175°C
VS-E5TH3012-M3

VS-E5TH3012-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,292 -
RFQ
VS-E5TH3012-M3

데이터시트

FRED Pt® TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 58 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
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