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0755-82798135단일 다이오드
단일 다이오드
TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.
당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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APT60D60BGDIODE GP 600V 60A TO247 |
1,014 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 600 V | 60A | 1.8 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 130 ns | 250 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] | -55°C ~ 175°C |
|
|
VS-20ETF12-M3DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC |
7,985 | - |
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데이터시트 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 20A | 1.31 V @ 20 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 400 ns | 100 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-220AC | -40°C ~ 150°C |
|
C3D06060ADIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2 |
3,162 | - |
|
데이터시트 |
Z-Rec® | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 19A | 1.8 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 294pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
|
|
C3D06060FDIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2 |
1,323 | - |
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데이터시트 |
Z-Rec® | TO-220-2 Full Pack | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 11.5A | 1.8 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 294pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-F2 | -55°C ~ 175°C |
|
GD10MPS12EDIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2 |
9,841 | - |
|
데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 29A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 5 µA @ 1200 V | 367pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
VS-20ETF12S-M3DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB |
9,217 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | Standard | 1200 V | 20A | 1.31 V @ 20 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 400 ns | 100 µA @ 1200 V | - | - | - | Surface Mount | TO-263AB (D2PAK) | -40°C ~ 150°C |
|
IDM05G120C5XTMA1DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2 |
1,779 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 5A | 1.8 V @ 5 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 33 µA @ 1200 V | 301pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-TO252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
VS-8EWF12STR-M3DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK |
5,847 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 1200 V | 8A | 1.3 V @ 8 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 270 ns | 100 µA @ 1200 V | - | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) | -40°C ~ 150°C |
|
VS-8EWF06STR-M3DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK |
1,511 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 600 V | 8A | 1.2 V @ 8 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 55 ns | 100 µA @ 600 V | - | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) | -40°C ~ 150°C |
|
VS-8EWF12S-M3DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252 |
1,812 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 8A | 1.3 V @ 8 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 270 ns | 100 µA @ 1200 V | - | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) | -40°C ~ 150°C |
|
APT60D120BGDIODE GP 1.2KV 60A TO247 |
955 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 60A | 2.5 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 400 ns | 250 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] | -55°C ~ 175°C |
|
APT60S20BGDIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 |
538 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Schottky | 200 V | 75A | 900 mV @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 55 ns | 1 mA @ 200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] | -55°C ~ 150°C |
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GD10MPS12ADIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2 |
3,529 | - |
|
데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 25A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 5 µA @ 1200 V | 367pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
|
STPSC10H065GY-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK |
1,273 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 10A | 1.75 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 480pF @ 0V, 1MHz | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
|
VS-20ETF06FP-M3DIODE GP 600V 20A TO220-2FP |
1,061 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-220-2 Full Pack | Tube | Active | Standard | 600 V | 20A | 1.67 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 160 ns | 100 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-220-2 Full Pack | -40°C ~ 150°C |
|
VS-EPU6006LHN3DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD |
895 | - |
|
데이터시트 |
FRED Pt® | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 600 V | 60A | 1.5 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 110 ns | 30 µA @ 600 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247AD | -55°C ~ 175°C |
|
DSI45-16ADIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD |
978 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1600 V | 45A | 1.28 V @ 45 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 20 µA @ 1600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 175°C |
|
1N5712-1DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35 |
1,793 | - |
|
데이터시트 |
- | DO-204AH, DO-35, Axial | Bulk | Active | Schottky | 20 V | 75mA | 1 V @ 35 mA | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | - | 150 nA @ 16 V | 2pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | DO-204AH (DO-35) | -65°C ~ 150°C |
|
IDH05G120C5XKSA1DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-1 |
899 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 5A | 1.8 V @ 5 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 33 µA @ 1200 V | 301pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-1 | -55°C ~ 175°C |
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VS-90APS12L-M3DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD |
1,295 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-3 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 90A | 1.2 V @ 90 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 150°C |

