단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
APT60D60BG

APT60D60BG

DIODE GP 600V 60A TO247

Microchip Technology

1,014 -
RFQ
APT60D60BG

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.8 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 130 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
VS-20ETF12-M3

VS-20ETF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,985 -
RFQ
VS-20ETF12-M3

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
C3D06060A

C3D06060A

DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

3,162 -
RFQ
C3D06060A

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 19A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 294pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D06060F

C3D06060F

DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2

Wolfspeed, Inc.

1,323 -
RFQ
C3D06060F

데이터시트

Z-Rec® TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 11.5A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 294pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-F2 -55°C ~ 175°C
GD10MPS12E

GD10MPS12E

DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

9,841 -
RFQ
GD10MPS12E

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 29A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 1200 V 367pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
VS-20ETF12S-M3

VS-20ETF12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,217 -
RFQ
VS-20ETF12S-M3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
IDM05G120C5XTMA1

IDM05G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2

Infineon Technologies

1,779 -
RFQ
IDM05G120C5XTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 1200 V 301pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 175°C
VS-8EWF12STR-M3

VS-8EWF12STR-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,847 -
RFQ
VS-8EWF12STR-M3

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 270 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
VS-8EWF06STR-M3

VS-8EWF06STR-M3

DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,511 -
RFQ
VS-8EWF06STR-M3

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 8A 1.2 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
VS-8EWF12S-M3

VS-8EWF12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,812 -
RFQ
VS-8EWF12S-M3

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 1200 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 270 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
APT60D120BG

APT60D120BG

DIODE GP 1.2KV 60A TO247

Microchip Technology

955 -
RFQ
APT60D120BG

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
APT60S20BG

APT60S20BG

DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Microchip Technology

538 -
RFQ
APT60S20BG

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 75A 900 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 1 mA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
GD10MPS12A

GD10MPS12A

DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

3,529 -
RFQ
GD10MPS12A

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 25A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 1200 V 367pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STPSC10H065GY-TR

STPSC10H065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,273 -
RFQ
STPSC10H065GY-TR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
VS-20ETF06FP-M3

VS-20ETF06FP-M3

DIODE GP 600V 20A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,061 -
RFQ
VS-20ETF06FP-M3

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 1.67 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
VS-EPU6006LHN3

VS-EPU6006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

895 -
RFQ
VS-EPU6006LHN3

데이터시트

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DSI45-16A

DSI45-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD

IXYS

978 -
RFQ
DSI45-16A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 45A 1.28 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 175°C
1N5712-1

1N5712-1

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

1,793 -
RFQ
1N5712-1

데이터시트

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
IDH05G120C5XKSA1

IDH05G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-1

Infineon Technologies

899 -
RFQ
IDH05G120C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 1200 V 301pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
VS-90APS12L-M3

VS-90APS12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,295 -
RFQ
VS-90APS12L-M3

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.2 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
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