24시간 이용 가능:
0755-82798135단일 다이오드
단일 다이오드
TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.
당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DSEP30-12ADIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD |
5,978 | - |
|
데이터시트 |
HiPerFRED™ | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 30A | 2.74 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 40 ns | 250 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -55°C ~ 175°C |
|
VS-90EPS16L-M3DIODE GEN PURP 1.6KV 90A TO247AD |
435 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1600 V | 90A | 1.21 V @ 90 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 1600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 150°C |
|
|
1N5712DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35 |
529 | - |
|
데이터시트 |
- | DO-204AH, DO-35, Axial | Bulk | Active | Schottky | 20 V | 75mA | 1 V @ 35 mA | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | - | 150 nA @ 16 V | 2pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | DO-204AH (DO-35) | -65°C ~ 150°C |
|
IDH10G120C5XKSA1DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1 |
1,175 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 62 µA @ 1200 V | 525pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-1 | -55°C ~ 175°C |
|
1N5806USDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A |
72,209 | - |
|
데이터시트 |
- | SQ-MELF, A | Bulk | Active | Standard | 150 V | 1A | 875 mV @ 1 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25 ns | 1 µA @ 150 V | 25pF @ 10V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D-5A | -65°C ~ 175°C |
|
VS-30EPH03-N3DIODE GP 300V 30A TO247AC |
973 | - |
|
데이터시트 |
FRED Pt® | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 300 V | 30A | 1.25 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 38 ns | 60 µA @ 300 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC Modified | -65°C ~ 175°C |
|
GP3D005A170BDIODE SIL CARB 1.7KV 21A TO247-2 |
1,517 | - |
|
데이터시트 |
Amp+™ | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1700 V | 21A | 1.65 V @ 5 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 1700 V | 347pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
|
RHRG5060-F085DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2 |
294 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Avalanche | 600 V | 50A | 2.1 V @ 50 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 60 ns | 250 µA @ 600 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
|
VS-65EPS16LHM3DIODE GEN PURP 1.6KV 65A TO247AD |
350 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1600 V | 65A | 1.17 V @ 65 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 1600 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 150°C |
|
STPSC20065GY-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK |
1,785 | - |
|
데이터시트 |
ECOPACK®2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 20A | 1.45 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 150 µA @ 600 V | 1250pF @ 0V, 1MHz | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
|
1N6642USDIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D |
1,066 | - |
|
데이터시트 |
- | SQ-MELF, D | Bulk | Active | Standard | 75 V | 300mA | 1.2 V @ 100 mA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5 ns | 500 nA @ 75 V | 5pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D-5D | -65°C ~ 175°C |
|
1N6642UDIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D |
445 | - |
|
데이터시트 |
- | SQ-MELF, D | Bulk | Active | Standard | 75 V | 300mA | 800 mV @ 10 mA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5 ns | 500 µA @ 75 V | - | - | - | Surface Mount | D-5D | -65°C ~ 175°C |
|
CDLL5819/TRDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AA |
256 | - |
|
데이터시트 |
- | DO-213AA | Tape & Reel (TR) | Active | Schottky | 45 V | 1A | 490 mV @ 1 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 50 µA @ 45 V | 70pF @ 5V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DO-213AA | -65°C ~ 125°C |
|
IDDD16G65C6XTMA1DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10 |
4,841 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | 10-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 43A | - | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 53 µA @ 420 V | 783pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-10-1 | -55°C ~ 175°C |
|
IDH16G65C6XKSA1DIODE SIL CARB 650V 34A TO220-2 |
3,011 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 34A | 1.35 V @ 16 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 53 µA @ 420 V | 783pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2 | -55°C ~ 175°C |
|
1N5418DIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF |
384 | - |
|
데이터시트 |
- | B, Axial | Bulk | Active | Standard | 400 V | 3A | 1.5 V @ 9 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 150 ns | 1 µA @ 400 V | - | - | - | Through Hole | B, Axial | -65°C ~ 175°C |
|
1N5809DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
210 | - |
|
데이터시트 |
- | B, Axial | Bulk | Active | Standard | 100 V | 3A | 875 mV @ 4 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 30 ns | 5 µA @ 100 V | 60pF @ 10V, 1MHz | - | - | Through Hole | B, Axial | -65°C ~ 175°C |
|
|
JANTX1N5711-1DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35 |
132 | - |
|
데이터시트 |
- | DO-204AH, DO-35, Axial | Bulk | Active | Schottky | 70 V | 33mA | 410 mV @ 1 mA | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | - | 200 nA @ 50 V | 2pF @ 0V, 1MHz | Military | MIL-PRF-19500/444 | Through Hole | DO-204AH (DO-35) | -65°C ~ 150°C |
|
VS-60EPS16-M3DIODE GP 1.6KV 60A TO247AC |
668 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1600 V | 60A | 1.15 V @ 60 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 1600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC Modified | -40°C ~ 150°C |
|
1N5811USDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF |
815 | - |
|
데이터시트 |
- | SQ-MELF, B | Bulk | Active | Standard | 150 V | 3A | 875 mV @ 4 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 30 ns | 5 µA @ 50 V | 60pF @ 10V, 1MHz | - | - | Surface Mount | B, SQ-MELF | -65°C ~ 175°C |

