단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
DSEP30-12A

DSEP30-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD

IXYS

5,978 -
RFQ
DSEP30-12A

데이터시트

HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.74 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-90EPS16L-M3

VS-90EPS16L-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

435 -
RFQ
VS-90EPS16L-M3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 90A 1.21 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
1N5712

1N5712

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

529 -
RFQ
1N5712

데이터시트

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
IDH10G120C5XKSA1

IDH10G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1

Infineon Technologies

1,175 -
RFQ
IDH10G120C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 1200 V 525pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
1N5806US

1N5806US

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

Microchip Technology

72,209 -
RFQ
1N5806US

데이터시트

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-30EPH03-N3

VS-30EPH03-N3

DIODE GP 300V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

973 -
RFQ
VS-30EPH03-N3

데이터시트

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 300 V 30A 1.25 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 38 ns 60 µA @ 300 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -65°C ~ 175°C
GP3D005A170B

GP3D005A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 21A TO247-2

SemiQ

1,517 -
RFQ
GP3D005A170B

데이터시트

Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 21A 1.65 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 347pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
RHRG5060-F085

RHRG5060-F085

DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2

onsemi

294 -
RFQ
RHRG5060-F085

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 50A 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 250 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
VS-65EPS16LHM3

VS-65EPS16LHM3

DIODE GEN PURP 1.6KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

350 -
RFQ
VS-65EPS16LHM3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 65A 1.17 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
STPSC20065GY-TR

STPSC20065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK

STMicroelectronics

1,785 -
RFQ
STPSC20065GY-TR

데이터시트

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 600 V 1250pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N6642US

1N6642US

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

1,066 -
RFQ
1N6642US

데이터시트

- SQ-MELF, D Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
1N6642U

1N6642U

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microsemi Corporation

445 -
RFQ
1N6642U

데이터시트

- SQ-MELF, D Bulk Active Standard 75 V 300mA 800 mV @ 10 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 µA @ 75 V - - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
CDLL5819/TR

CDLL5819/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AA

Microchip Technology

256 -
RFQ
CDLL5819/TR

데이터시트

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 125°C
IDDD16G65C6XTMA1

IDDD16G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10

Infineon Technologies

4,841 -
RFQ
IDDD16G65C6XTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 43A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 53 µA @ 420 V 783pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
IDH16G65C6XKSA1

IDH16G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 34A TO220-2

Infineon Technologies

3,011 -
RFQ
IDH16G65C6XKSA1

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 34A 1.35 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 53 µA @ 420 V 783pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
1N5418

1N5418

DIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

384 -
RFQ
1N5418

데이터시트

- B, Axial Bulk Active Standard 400 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 400 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5809

1N5809

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Microchip Technology

210 -
RFQ
1N5809

데이터시트

- B, Axial Bulk Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5711-1

JANTX1N5711-1

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Microchip Technology

132 -
RFQ
JANTX1N5711-1

데이터시트

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 70 V 33mA 410 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
VS-60EPS16-M3

VS-60EPS16-M3

DIODE GP 1.6KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

668 -
RFQ
VS-60EPS16-M3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 60A 1.15 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
1N5811US

1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

815 -
RFQ
1N5811US

데이터시트

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
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