단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
JANTX1N5711UR-1

JANTX1N5711UR-1

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Microchip Technology

207 -
RFQ
JANTX1N5711UR-1

데이터시트

- DO-213AA Bulk Active Schottky 70 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 100 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
DSEI120-06A

DSEI120-06A

DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD

IXYS

653 -
RFQ
DSEI120-06A

데이터시트

FRED TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 77A 1.3 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 3 mA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
123SPC100A

123SPC100A

DIODE SCHOTTKY 100V 120A SPD-3A

SMC Diode Solutions

1,569 -
RFQ
123SPC100A

데이터시트

- SPD-3A Bulk Active Schottky 100 V 120A 870 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 100 V 3000pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SPD-3A -55°C ~ 175°C
C4D10120E-TR

C4D10120E-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,806 -
RFQ
C4D10120E-TR

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
DSDI60-18A

DSDI60-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 63A TO247AD

IXYS

2,767 -
RFQ
DSDI60-18A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 63A 4.1 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 2 mA @ 1800 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
IDWD30G120C5XKSA1

IDWD30G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 87A TO247-2

Infineon Technologies

652 -
RFQ
IDWD30G120C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 87A 1.65 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 248 µA @ 1200 V 1980pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1725K2

UJ3D1725K2

DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2

Qorvo

4,349 -
RFQ
UJ3D1725K2

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 25A 1.7 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 360 µA @ 1700 V 1500pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IDWD40G120C5XKSA1

IDWD40G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 110A TO247

Infineon Technologies

132 -
RFQ
IDWD40G120C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 110A 1.65 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 332 µA @ 1200 V 2592pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-2 -55°C ~ 175°C
FFSH5065B-F085

FFSH5065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2

onsemi

331 -
RFQ
FFSH5065B-F085

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 50A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 2030pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
NDSH25170A

NDSH25170A

DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2

onsemi

849 -
RFQ
NDSH25170A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 25A 1.75 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 2025pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GD25MPS17H

GD25MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 56A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

1,285 -
RFQ
GD25MPS17H

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 56A 1.8 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 1083pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C6D10170H

C6D10170H

10A 1700V SIC, SCHOTTKY DIODE

Wolfspeed, Inc.

395 -
RFQ
C6D10170H

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 40A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 18 µA @ 1700 V 1227pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
JANTXV1N5819UR-1

JANTXV1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

124 -
RFQ
JANTXV1N5819UR-1

데이터시트

- DO-213AB, MELF (Glass) Bag Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 125°C
UJ3D1250K2

UJ3D1250K2

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2

Qorvo

14,813 -
RFQ
UJ3D1250K2

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 2340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GC05MPS33J

GC05MPS33J

DIODE SIL CARB 3.3KV 5A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

1,114 -
RFQ
GC05MPS33J

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 5A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Surface Mount TO-263-7 175°C
C4D40120H

C4D40120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 128A TO247

Wolfspeed, Inc.

764 -
RFQ
C4D40120H

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 128A 1.8 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 300 µA @ 1200 V 2809pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
DMA150E1600NA

DMA150E1600NA

DIODE GP 1.6KV 150A SOT227B

IXYS

187 -
RFQ
DMA150E1600NA

데이터시트

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Standard 1600 V 150A 1.15 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1600 V 60pF @ 400V, 1MHz - - Chassis Mount SOT-227B -40°C ~ 150°C
1N6391

1N6391

DIODE SCHOTTKY 45V 25A DO203AA

Microchip Technology

74 -
RFQ
1N6391

데이터시트

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 45 V 25A 500 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 45 V 2000pF @ 5V, 1MHz - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -55°C ~ 175°C
JANTX1N5822US

JANTX1N5822US

DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

169 -
RFQ
JANTX1N5822US

데이터시트

- SQ-MELF, B Bulk Active Schottky 40 V 3A 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - - Military MIL-PRF-19500/620 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
S300Y

S300Y

DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO9

GeneSiC Semiconductor

54 -
RFQ
S300Y

데이터시트

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 1600 V 300A 1.2 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-9 -60°C ~ 180°C
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