FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
NDS0610_NL

NDS0610_NL

MOSFET P-CH 60V 120MA SOT23-3

onsemi

8,961 -
RFQ
NDS0610_NL

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120mA (Ta) 4.5V, 10V 10Ohm @ 500mA, 10V 3.5V @ 1mA 2.5 nC @ 10 V ±20V 79 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
HAT2096H-EL-E

HAT2096H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

6,005 -
RFQ
HAT2096H-EL-E

데이터시트

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 20A, 10V - 40 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
HAT2099H-EL-E

HAT2099H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

9,141 -
RFQ
HAT2099H-EL-E

데이터시트

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Ta) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 25A, 10V - 75 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
HAT2116H-EL-E

HAT2116H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

9,692 -
RFQ
HAT2116H-EL-E

데이터시트

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 15A, 10V - 26 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 10 V - 15W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
TPCA8007-H(TE12L,Q

TPCA8007-H(TE12L,Q

MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA

Toshiba Semiconductor and Storage

3,037 -
RFQ
TPCA8007-H(TE12L,Q

데이터시트

* - Cut Tape (CT) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
TPCA8009-H(TE12L,Q

TPCA8009-H(TE12L,Q

MOSFET N-CH 150V 7A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

8,110 -
RFQ
TPCA8009-H(TE12L,Q

데이터시트

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 7A (Ta) 10V 350mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
IRFB4212PBF

IRFB4212PBF

MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB

Infineon Technologies

5,439 -
RFQ
IRFB4212PBF

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Tc) 10V 72.5mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 550 pF @ 50 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF2907ZS-7PPBF

IRF2907ZS-7PPBF

MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK

Infineon Technologies

8,867 -
RFQ
IRF2907ZS-7PPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 160A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 110A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 7580 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
IRF7416PBF

IRF7416PBF

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

Infineon Technologies

2,016 -
RFQ
IRF7416PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 5.6A, 10V 1V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
62-0063PBF

62-0063PBF

MOSFET N-CH 12V 15A 8SO

Infineon Technologies

5,481 -
RFQ
62-0063PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 15A (Ta) 2.8V, 4.5V 8mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±12V 2550 pF @ 6 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRFS52N15DPBF

IRFS52N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

Infineon Technologies

3,358 -
RFQ
IRFS52N15DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 51A (Tc) 10V 32mOhm @ 36A, 10V 5V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±30V 2770 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STF10NK50Z

STF10NK50Z

MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP

STMicroelectronics

6,347 -
RFQ
STF10NK50Z

데이터시트

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 700mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 100µA 39.2 nC @ 10 V ±30V 1219 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IRF1902PBF

IRF1902PBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

Infineon Technologies

3,662 -
RFQ
IRF1902PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.2A (Ta) 2.7V, 4.5V 85mOhm @ 4A, 4.5V 700mV @ 250µA 7.5 nC @ 4.5 V ±12V 310 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRFU3707ZPBF

IRFU3707ZPBF

MOSFET N-CH 30V 56A IPAK

Infineon Technologies

5,270 -
RFQ
IRFU3707ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 56A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 2.25V @ 25µA 14 nC @ 4.5 V ±20V 1150 pF @ 15 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFU3704ZPBF

IRFU3704ZPBF

MOSFET N-CH 20V 60A IPAK

Infineon Technologies

5,366 -
RFQ
IRFU3704ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 8.4mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±20V 1190 pF @ 10 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFU3709ZPBF

IRFU3709ZPBF

MOSFET N-CH 30V 86A IPAK

Infineon Technologies

9,017 -
RFQ
IRFU3709ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 86A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2330 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRF7828PBF

IRF7828PBF

MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO

Infineon Technologies

2,989 -
RFQ
IRF7828PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13.6A (Ta) 4.5V 12.5mOhm @ 10A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 5 V ±20V 1010 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF3704ZPBF

IRF3704ZPBF

MOSFET N-CH 20V 67A TO220AB

Infineon Technologies

9,896 -
RFQ
IRF3704ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 67A (Tc) 4.5V, 10V 7.9mOhm @ 21A, 10V 2.55V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V ±20V 1220 pF @ 10 V - 57W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF3704ZSPBF

IRF3704ZSPBF

MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK

Infineon Technologies

6,513 -
RFQ
IRF3704ZSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 67A (Tc) 4.5V, 10V 7.9mOhm @ 21A, 10V 2.55V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V ±20V 1220 pF @ 10 V - 57W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLR9343PBF

IRLR9343PBF

MOSFET P-CH 55V 20A DPAK

Infineon Technologies

8,877 -
RFQ
IRLR9343PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 50 V - 79W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
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