FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF3709ZSPBF

IRF3709ZSPBF

MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

Infineon Technologies

7,670 -
RFQ
IRF3709ZSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2130 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF644NPBF

IRF644NPBF

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB

Vishay Siliconix

6,237 -
RFQ
IRF644NPBF

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL5602SPBF

IRL5602SPBF

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

Infineon Technologies

6,177 -
RFQ
IRL5602SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±8V 1460 pF @ 15 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF6215SPBF

IRF6215SPBF

MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

Infineon Technologies

2,175 -
RFQ
IRF6215SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF644NSPBF

IRF644NSPBF

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

Vishay Siliconix

6,343 -
RFQ
IRF644NSPBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF630NLPBF

IRF630NLPBF

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262

Infineon Technologies

7,191 -
RFQ
IRF630NLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.3A (Tc) 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 575 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRLIB9343PBF

IRLIB9343PBF

MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP

Infineon Technologies

6,925 -
RFQ
IRLIB9343PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 14A (Tc) 4.5V, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 50 V - 33W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRL3705ZLPBF

IRL3705ZLPBF

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

Infineon Technologies

3,052 -
RFQ
IRL3705ZLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 3V @ 250µA 60 nC @ 5 V ±16V 2880 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF9530NSPBF

IRF9530NSPBF

MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK

Infineon Technologies

8,487 -
RFQ
IRF9530NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF5305SPBF

IRF5305SPBF

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

Infineon Technologies

7,277 -
RFQ
IRF5305SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 60mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL7833SPBF

IRL7833SPBF

MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK

Infineon Technologies

8,926 -
RFQ
IRL7833SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 38A, 10V 2.3V @ 250µA 47 nC @ 4.5 V ±20V 4170 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF9Z34NLPBF

IRF9Z34NLPBF

MOSFET P-CH 55V 19A TO262

Infineon Technologies

4,801 -
RFQ
IRF9Z34NLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF9Z34NSPBF

IRF9Z34NSPBF

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

Infineon Technologies

3,228 -
RFQ
IRF9Z34NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3305PBF

IRF3305PBF

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Infineon Technologies

7,736 -
RFQ
IRF3305PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 3650 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFB4215PBF

IRFB4215PBF

MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB

Infineon Technologies

2,995 -
RFQ
IRFB4215PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 115A (Tc) 10V 9mOhm @ 54A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 25 V - 270W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF3315SPBF

IRF3315SPBF

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Infineon Technologies

5,770 -
RFQ
IRF3315SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL3502SPBF

IRL3502SPBF

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Infineon Technologies

9,865 -
RFQ
IRL3502SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 7V 7mOhm @ 64A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 110 nC @ 4.5 V ±10V 4700 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
64-2092PBF

64-2092PBF

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Infineon Technologies

6,013 -
RFQ
64-2092PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3450 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF2807SPBF

IRF2807SPBF

MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK

Infineon Technologies

6,473 -
RFQ
IRF2807SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 82A (Tc) 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3820 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLBA1304PPBF

IRLBA1304PPBF

MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220

Infineon Technologies

4,324 -
RFQ
IRLBA1304PPBF

데이터시트

HEXFET® TO-273AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 185A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 110A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 7660 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
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