FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF3709ZPBF

IRF3709ZPBF

MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB

Infineon Technologies

6,845 -
RFQ
IRF3709ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2130 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFU3711ZPBF

IRFU3711ZPBF

MOSFET N-CH 20V 93A IPAK

Infineon Technologies

5,598 -
RFQ
IRFU3711ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 93A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±20V 2160 pF @ 10 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRLR3717PBF

IRLR3717PBF

MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

Infineon Technologies

5,452 -
RFQ
IRLR3717PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 31 nC @ 4.5 V ±20V 2830 pF @ 10 V - 89W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRF634NPBF

IRF634NPBF

MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB

Vishay Siliconix

8,468 -
RFQ
IRF634NPBF

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8A (Tc) 10V 435mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFR48ZPBF

IRFR48ZPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Infineon Technologies

7,983 -
RFQ
IRFR48ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 11mOhm @ 37A, 10V 4V @ 50µA 60 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFU48ZPBF

IRFU48ZPBF

MOSFET N-CH 55V 42A IPAK

Infineon Technologies

4,511 -
RFQ
IRFU48ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 11mOhm @ 37A, 10V 4V @ 50µA 60 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRF644NLPBF

IRF644NLPBF

MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK

Vishay Siliconix

4,608 -
RFQ
IRF644NLPBF

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRL3803VPBF

IRL3803VPBF

MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB

Infineon Technologies

7,507 -
RFQ
IRL3803VPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 71A, 10V 1V @ 250µA 76 nC @ 4.5 V ±16V 3720 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF3007SPBF

IRF3007SPBF

MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK

Infineon Technologies

5,712 -
RFQ
IRF3007SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 62A (Tc) 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF6218PBF

IRF6218PBF

MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB

Infineon Technologies

4,038 -
RFQ
IRF6218PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 27A (Tc) 10V 150mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2210 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF3710ZLPBF

IRF3710ZLPBF

MOSFET N-CH 100V 59A TO262

Infineon Technologies

9,056 -
RFQ
IRF3710ZLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 59A (Tc) 10V 18mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF3710ZSPBF

IRF3710ZSPBF

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Infineon Technologies

7,168 -
RFQ
IRF3710ZSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 59A (Tc) 10V 18mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF2805LPBF

IRF2805LPBF

MOSFET N-CH 55V 135A TO262

Infineon Technologies

6,671 -
RFQ
IRF2805LPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 135A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5110 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFP254NPBF

IRFP254NPBF

MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3

Vishay Siliconix

9,854 -
RFQ
IRFP254NPBF

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 23A (Tc) 10V 125mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 2040 pF @ 25 V - 220W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRF3808SPBF

IRF3808SPBF

MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

Infineon Technologies

3,254 -
RFQ
IRF3808SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 106A (Tc) 10V 7mOhm @ 82A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 5310 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFP264NPBF

IRFP264NPBF

MOSFET N-CH 250V 44A TO247-3

Vishay Siliconix

8,709 -
RFQ
IRFP264NPBF

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 44A (Tc) 10V 60mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 3860 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFP22N60C3PBF

IRFP22N60C3PBF

MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3

Vishay Siliconix

7,784 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Ta) - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247AC
IRF520NSPBF

IRF520NSPBF

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Infineon Technologies

2,794 -
RFQ
IRF520NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) - - - Surface Mount D2PAK
IRLZ44ZLPBF

IRLZ44ZLPBF

MOSFET N-CH 55V 51A TO262

Infineon Technologies

4,617 -
RFQ
IRLZ44ZLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 5 V ±16V 1620 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF3709ZLPBF

IRF3709ZLPBF

MOSFET N-CH 30V 87A TO262

Infineon Technologies

4,704 -
RFQ
IRF3709ZLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2130 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
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