FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF7466PBF

IRF7466PBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Infineon Technologies

4,469 -
RFQ
IRF7466PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2100 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7452PBF

IRF7452PBF

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO

Infineon Technologies

4,301 -
RFQ
IRF7452PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.5A (Ta) 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7807VD2PBF

IRF7807VD2PBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Infineon Technologies

6,101 -
RFQ
IRF7807VD2PBF

데이터시트

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±20V - Schottky Diode (Isolated) 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
SI4420DYPBF

SI4420DYPBF

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO

Infineon Technologies

7,603 -
RFQ
SI4420DYPBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12.5A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 12.5A, 10V 1V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 2240 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7475PBF

IRF7475PBF

MOSFET N-CH 12V 11A 8SO

Infineon Technologies

9,709 -
RFQ
IRF7475PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 11A (Ta) 2.8V, 4.5V 15mOhm @ 8.8A, 4.5V 2V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±12V 1590 pF @ 6 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7467PBF

IRF7467PBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Infineon Technologies

7,740 -
RFQ
IRF7467PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 2.8V, 10V 12mOhm @ 11A, 10V 2V @ 250µA 32 nC @ 4.5 V ±12V 2530 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7490PBF

IRF7490PBF

MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO

Infineon Technologies

7,574 -
RFQ
IRF7490PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.4A (Ta) 10V 39mOhm @ 3.2A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7420PBF

IRF7420PBF

MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO

Infineon Technologies

4,651 -
RFQ
IRF7420PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 11.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 14mOhm @ 11.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 38 nC @ 4.5 V ±8V 3529 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7464PBF

IRF7464PBF

MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO

Infineon Technologies

6,531 -
RFQ
IRF7464PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.2A (Ta) 10V 730mOhm @ 720mA, 10V 5.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7807APBF

IRF7807APBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Infineon Technologies

8,701 -
RFQ
IRF7807APBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 17 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRFB4610

IRFB4610

MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB

Infineon Technologies

5,916 -
RFQ
IRFB4610

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 73A (Tc) 10V 14mOhm @ 44A, 10V 4V @ 100µA 140 nC @ 10 V ±20V 3550 pF @ 50 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF7413PBF

IRF7413PBF

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

Infineon Technologies

9,474 -
RFQ
IRF7413PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 11mOhm @ 7.3A, 10V 3V @ 250µA 79 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7205PBF

IRF7205PBF

MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO

Infineon Technologies

3,626 -
RFQ
IRF7205PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm @ 4.6A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 10 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRL3716LPBF

IRL3716LPBF

MOSFET N-CH 20V 180A TO262

Infineon Technologies

3,708 -
RFQ
IRL3716LPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 90A, 10V 3V @ 250µA 79 nC @ 4.5 V ±20V 5090 pF @ 10 V - 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF7424PBF

IRF7424PBF

MOSFET P-CH 30V 11A 8SO

Infineon Technologies

5,662 -
RFQ
IRF7424PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 4030 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7453PBF

IRF7453PBF

MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO

Infineon Technologies

7,185 -
RFQ
IRF7453PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.2A (Ta) 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7456PBF

IRF7456PBF

MOSFET N-CH 20V 16A 8SO

Infineon Technologies

8,940 -
RFQ
IRF7456PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 16A (Ta) 2.8V, 10V 6.5mOhm @ 16A, 10V 2V @ 250µA 62 nC @ 5 V ±12V 3640 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7450PBF

IRF7450PBF

MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO

Infineon Technologies

5,147 -
RFQ
IRF7450PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.5A (Ta) 10V 170mOhm @ 1.5A, 10V 5.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 940 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7460PBF

IRF7460PBF

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

Infineon Technologies

4,915 -
RFQ
IRF7460PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12A (Ta) 4.5V, 10V 10mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 2050 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7322D1PBF

IRF7322D1PBF

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO

Infineon Technologies

7,136 -
RFQ
IRF7322D1PBF

데이터시트

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.3A (Ta) 2.7V, 4.5V 62mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 29 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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