FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFS59N10DPBF

IRFS59N10DPBF

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Infineon Technologies

7,869 -
RFQ
IRFS59N10DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 59A (Tc) 10V 25mOhm @ 35.4A, 10V 5.5V @ 250µA 114 nC @ 10 V ±30V 2450 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL520NSPBF

IRL520NSPBF

MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK

Infineon Technologies

9,752 -
RFQ
IRL520NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Tc) 4V, 10V 180mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±16V 440 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL3202PBF

IRL3202PBF

MOSFET N-CH 20V 48A TO220AB

Infineon Technologies

7,154 -
RFQ
IRL3202PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 48A (Tc) 4.5V, 7V 16mOhm @ 29A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 43 nC @ 4.5 V ±10V 2000 pF @ 15 V - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL3714SPBF

IRL3714SPBF

MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

Infineon Technologies

4,513 -
RFQ
IRL3714SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLZ44ZSPBF

IRLZ44ZSPBF

MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

Infineon Technologies

7,105 -
RFQ
IRLZ44ZSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 5 V ±16V 1620 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFU1205PBF

IRFU1205PBF

MOSFET N-CH 55V 44A IPAK

Infineon Technologies

3,988 -
RFQ
IRFU1205PBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 44A (Tc) 10V 27mOhm @ 26A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFIZ46NPBF

IRFIZ46NPBF

MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP

Infineon Technologies

4,622 -
RFQ
IRFIZ46NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 33A (Tc) 10V 20mOhm @ 19A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRFZ46NSPBF

IRFZ46NSPBF

MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK

Infineon Technologies

9,147 -
RFQ
IRFZ46NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 53A (Tc) 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1696 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 107W (Tc) - - - Surface Mount D2PAK
IRL540NSPBF

IRL540NSPBF

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Infineon Technologies

5,872 -
RFQ
IRL540NSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 4V, 10V 44mOhm @ 18A, 10V 2V @ 250µA 74 nC @ 5 V ±16V 1800 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLI2910PBF

IRLI2910PBF

MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP

Infineon Technologies

7,917 -
RFQ
IRLI2910PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 31A (Tc) 4V, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 2V @ 250µA 140 nC @ 5 V ±16V 3700 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRFL1006PBF

IRFL1006PBF

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223

Infineon Technologies

3,971 -
RFQ
IRFL1006PBF

데이터시트

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.6A (Ta) 10V 220mOhm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±20V 160 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRFZ46ZSPBF

IRFZ46ZSPBF

MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

Infineon Technologies

2,103 -
RFQ
IRFZ46ZSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.6mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1460 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLI3803PBF

IRLI3803PBF

MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP

Infineon Technologies

4,605 -
RFQ
IRLI3803PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 76A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 40A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRLU3802PBF

IRLU3802PBF

MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK

Infineon Technologies

6,715 -
RFQ
IRLU3802PBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 84A (Tc) 2.8V, 4.5V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 41 nC @ 5 V ±12V 2490 pF @ 6 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IRFL024NPBF

IRFL024NPBF

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

Infineon Technologies

9,762 -
RFQ
IRFL024NPBF

데이터시트

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2.8A (Ta) 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 18.3 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRFU13N20DPBF

IRFU13N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 13A IPAK

Infineon Technologies

2,663 -
RFQ
IRFU13N20DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 13A (Tc) 10V 235mOhm @ 8A, 10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 830 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFU6215PBF

IRFU6215PBF

MOSFET P-CH 150V 13A IPAK

Infineon Technologies

6,029 -
RFQ
IRFU6215PBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 295mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRF2807ZLPBF

IRF2807ZLPBF

MOSFET N-CH 75V 75A TO262

Infineon Technologies

4,159 -
RFQ
IRF2807ZLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRL3402PBF

IRL3402PBF

MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB

Infineon Technologies

8,707 -
RFQ
IRL3402PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 85A (Tc) 4.5V, 7V 8mOhm @ 51A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 78 nC @ 4.5 V ±10V 3300 pF @ 15 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFPS37N50APBF

IRFPS37N50APBF

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247

Infineon Technologies

5,061 -
RFQ

-

HEXFET® TO-274AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 36A (Tc) 10V 130mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±30V 5579 pF @ 25 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
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