FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRL3713PBF

IRL3713PBF

MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

Infineon Technologies

5,182 -
RFQ
IRL3713PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 260A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 38A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 4.5 V ±20V 5890 pF @ 15 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL3714ZSPBF

IRL3714ZSPBF

MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

Infineon Technologies

8,729 -
RFQ
IRL3714ZSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 7.2 nC @ 4.5 V ±20V 550 pF @ 10 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL3715ZSPBF

IRL3715ZSPBF

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

Infineon Technologies

2,101 -
RFQ
IRL3715ZSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±20V 870 pF @ 10 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF1405SPBF

IRF1405SPBF

MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK

Infineon Technologies

6,316 -
RFQ
IRF1405SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 131A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFBA90N20DPBF

IRFBA90N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220

Infineon Technologies

7,277 -
RFQ
IRFBA90N20DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-273AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 98A (Tc) 10V 23mOhm @ 59A, 10V 5V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±30V 6080 pF @ 25 V - 650W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
IRFPS3810PBF

IRFPS3810PBF

MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

Infineon Technologies

7,438 -
RFQ
IRFPS3810PBF

데이터시트

HEXFET® TO-274AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 170A (Tc) 10V 9mOhm @ 100A, 10V 5V @ 250µA 390 nC @ 10 V ±30V 6790 pF @ 25 V - 580W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
IRF1312PBF

IRF1312PBF

MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB

Infineon Technologies

5,362 -
RFQ
IRF1312PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 95A (Tc) 10V 10mOhm @ 57A, 10V 5.5V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V 5450 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL3716PBF

IRL3716PBF

MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB

Infineon Technologies

2,493 -
RFQ
IRL3716PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 90A, 10V 3V @ 250µA 79 nC @ 4.5 V ±20V 5090 pF @ 10 V - 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFPS3815PBF

IRFPS3815PBF

MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247

Infineon Technologies

2,382 -
RFQ
IRFPS3815PBF

데이터시트

HEXFET® TO-274AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 105A (Tc) 10V 15mOhm @ 63A, 10V 5V @ 250µA 390 nC @ 10 V ±30V 6810 pF @ 25 V - 441W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
IRFBA1405PPBF

IRFBA1405PPBF

MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220

Infineon Technologies

2,430 -
RFQ
IRFBA1405PPBF

데이터시트

HEXFET® TO-273AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 174A (Tc) 10V 5mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
IRFBA1404PPBF

IRFBA1404PPBF

MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

Infineon Technologies

3,004 -
RFQ
IRFBA1404PPBF

데이터시트

HEXFET® TO-273AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 206A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 300W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
IRF7831PBF

IRF7831PBF

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

Infineon Technologies

5,730 -
RFQ
IRF7831PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±12V 6240 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7201PBF

IRF7201PBF

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO

Infineon Technologies

9,639 -
RFQ
IRF7201PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.3A (Tc) 4.5V, 10V 30mOhm @ 7.3A, 10V 1V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 550 pF @ 25 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7458PBF

IRF7458PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

Infineon Technologies

5,006 -
RFQ
IRF7458PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 10V, 16V 8mOhm @ 14A, 16V 4V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±30V 2410 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7455PBF

IRF7455PBF

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

Infineon Technologies

2,113 -
RFQ
IRF7455PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta) 2.8V, 10V 7.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 56 nC @ 5 V ±12V 3480 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7404PBF

IRF7404PBF

MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO

Infineon Technologies

9,547 -
RFQ
IRF7404PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.7A (Ta) 2.7V, 4.5V 40mOhm @ 3.2A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 50 nC @ 4.5 V ±12V 1500 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Infineon Technologies

7,399 -
RFQ
SI4410DYPBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 10A, 10V 1V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 1585 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7207PBF

IRF7207PBF

MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO

Infineon Technologies

6,352 -
RFQ
IRF7207PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.4A (Tc) 2.7V, 4.5V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 22 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 15 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7468PBF

IRF7468PBF

MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO

Infineon Technologies

7,566 -
RFQ
IRF7468PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 9.4A (Ta) 4.5V, 10V 15.5mOhm @ 9.4A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 4.5 V ±12V 2460 pF @ 20 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7470PBF

IRF7470PBF

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

Infineon Technologies

8,773 -
RFQ
IRF7470PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 2.8V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±12V 3430 pF @ 20 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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