FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXTP1N120P

IXTP1N120P

MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB

Littelfuse Inc.

8,932 -
RFQ
IXTP1N120P

데이터시트

Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 1A (Tc) 10V 20Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 50µA 17.6 nC @ 10 V ±20V 550 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IXFA130N10T

IXFA130N10T

MOSFET N-CH 100V 130A TO263

Littelfuse Inc.

6,940 -
RFQ
IXFA130N10T

데이터시트

HiPerFET™, Trench TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 1mA 104 nC @ 10 V ±20V 5080 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
IRF9640L

IRF9640L

MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK

Vishay Siliconix

5,902 -
RFQ

-

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
SPP20N65C3HKSA1

SPP20N65C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3

Infineon Technologies

6,691 -
RFQ
SPP20N65C3HKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
2SK4161D

2SK4161D

MOS FET 60V/100A/0.0038

Sanken Electric USA Inc.

5,750 -
RFQ
2SK4161D

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 8V, 10V 155mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 145 nC @ 10 V ±30V 10000 pF @ 10 V - 132W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
SIHG22N50D-GE3

SIHG22N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC

Vishay Siliconix

6,675 -
RFQ
SIHG22N50D-GE3

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) 10V 230mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 1938 pF @ 100 V - 312W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
STB190NF04T4

STB190NF04T4

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

STMicroelectronics

6,129 -
RFQ
STB190NF04T4

데이터시트

STripFET™ III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 4.3mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 5 V ±20V 5800 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STI33N60M6

STI33N60M6

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

STMicroelectronics

8,620 -
RFQ
STI33N60M6

데이터시트

MDmesh™ M6 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 125mOhm @ 12.5A, 10V 4.75V @ 250µA 33.4 nC @ 10 V ±25V 1515 pF @ 100 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
PH3230S,115

PH3230S,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Nexperia USA Inc.

6,712 -
RFQ
PH3230S,115

데이터시트

- SC-100, SOT-669 Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) - 3.2mOhm @ 25A, 10V 3V @ 1mA 42 nC @ 5 V - 4100 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
BSC159N10LSFGATMA1

BSC159N10LSFGATMA1

MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON

Infineon Technologies

5,700 -
RFQ
BSC159N10LSFGATMA1

데이터시트

OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.4A (Ta), 63A (Tc) 4.5V, 10V 15.9mOhm @ 50A, 10V 2.4V @ 72µA 35 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 50 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-1
RCX510N25

RCX510N25

MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM

Rohm Semiconductor

6,364 -
RFQ
RCX510N25

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 51A (Ta) 10V - - - ±30V - - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
IRFSL23N15D

IRFSL23N15D

MOSFET N-CH 150V 23A TO262

Infineon Technologies

4,721 -
RFQ
IRFSL23N15D

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 23A (Tc) 10V 90mOhm @ 14A, 10V 5.5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF2807S

IRF2807S

MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK

Infineon Technologies

2,513 -
RFQ
IRF2807S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 82A (Tc) 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3820 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF730S

IRF730S

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

Vishay Siliconix

4,403 -
RFQ
IRF730S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF830S

IRF830S

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

Vishay Siliconix

4,475 -
RFQ
IRF830S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF830AS

IRF830AS

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

Vishay Siliconix

7,168 -
RFQ
IRF830AS

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF830AL

IRF830AL

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK

Vishay Siliconix

4,417 -
RFQ
IRF830AL

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF730STRL

IRF730STRL

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

Vishay Siliconix

6,582 -
RFQ
IRF730STRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF830L

IRF830L

MOSFET N-CH 500V 4.5A I2PAK

Vishay Siliconix

9,657 -
RFQ
IRF830L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRF830STRL

IRF830STRL

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

Vishay Siliconix

2,539 -
RFQ
IRF830STRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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