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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IRF1404ZSTRL

    IRF1404ZSTRL

    MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 8,755 -
    RFQ
    		IRF1404ZSTRL

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 25 V - 220W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF1404ZSTRR

    IRF1404ZSTRR

    MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 5,349 -
    RFQ
    		IRF1404ZSTRR

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 25 V - 220W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AOK9N90

    AOK9N90

    MOSFET N-CH 900V 9A TO247

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 6,482 -
    RFQ
    		AOK9N90

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 9A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 2560 pF @ 25 V - 368W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    STP200N6F3

    STP200N6F3

    MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

    STMicroelectronics

    		 6,360 -
    RFQ
    		STP200N6F3

    데이터시트

         		STripFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    94-4762

    94-4762

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

    Infineon Technologies

    		 2,356 -
    RFQ
    		94-4762

    데이터시트

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 27A (Tc) 10V 45mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFU4105

    IRFU4105

    MOSFET N-CH 55V 27A IPAK

    Infineon Technologies

    		 6,700 -
    RFQ
    		IRFU4105

    데이터시트

         		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 27A (Tc) 10V 45mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRF3305

    IRF3305

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 8,433 -
    RFQ
    		IRF3305

    데이터시트

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 3650 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL540L

    IRL540L

    MOSFET N-CH 100V 28A TO262-3

    Vishay Siliconix

    		 4,066 -
    RFQ

    -

    		 - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 4V, 5V 77mOhm @ 17A, 5V - 64 nC @ 5 V ±10V 2200 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-262-3
    STS7PF30L

    STS7PF30L

    MOSFET P-CH 30V 7A 8SO

    STMicroelectronics

    		 9,032 -
    RFQ
    		STS7PF30L

    데이터시트

         		STripFET™ II 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 4.5 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 2.5W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    BSC016N03MSGATMA1

    BSC016N03MSGATMA1

    MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON

    Infineon Technologies

    		 6,963 -
    RFQ
    		BSC016N03MSGATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 173 nC @ 10 V ±20V 13000 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-1
    BUK762R0-40C,118

    BUK762R0-40C,118

    MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 5,718 -
    RFQ
    		BUK762R0-40C,118

    데이터시트

         		TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 2mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 175 nC @ 10 V ±20V 11323 pF @ 25 V - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    BUK662R7-55C,118

    BUK662R7-55C,118

    MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 5,704 -
    RFQ
    		BUK662R7-55C,118

    데이터시트

         		TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 120A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 258 nC @ 10 V ±16V 15300 pF @ 25 V - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    RJK0393DPA-00#J5A

    RJK0393DPA-00#J5A

    MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    		 9,365 -
    RFQ
    		RJK0393DPA-00#J5A

    데이터시트

         		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V - 21 nC @ 4.5 V ±20V 3270 pF @ 10 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK
    NVMFS5C442NLT1G

    NVMFS5C442NLT1G

    MOSFET N-CH 40V 27A/127A 5DFN

    onsemi

    		 3,714 -
    RFQ
    		NVMFS5C442NLT1G

    데이터시트

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 127A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    STL4LN80K5

    STL4LN80K5

    MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV

    STMicroelectronics

    		 4,475 -
    RFQ
    		STL4LN80K5

    데이터시트

         		MDmesh™ K5 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 1.2A, 10V 5V @ 100µA 4 nC @ 10 V ±30V 110 pF @ 100 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) VHV
    AOB600A60L

    AOB600A60L

    MOSFET N-CH 600V 8A TO263

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 9,234 -
    RFQ
    		AOB600A60L

    데이터시트

         		aMOS5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 250µA 11.5 nC @ 10 V ±20V 608 pF @ 100 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    TSM650N15CS

    TSM650N15CS

    150V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 6,745 -
    RFQ

    -

    		 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4A (Ta), 9A (Tc) 6V, 10V 65mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 1783 pF @ 75 V - 2.2W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    TSM650N15CR

    TSM650N15CR

    150V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 4,023 -
    RFQ

    -

    		 - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4A (Ta), 24A (Tc) 6V, 10V 65mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 1829 pF @ 75 V - 2.6W (Ta), 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    SICW120N120H4-BP

    SICW120N120H4-BP

    SIC MOSFET,TO-247-4

    Micro Commercial Co

    		 5,880 -
    RFQ
    		SICW120N120H4-BP

    데이터시트

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 24A (Tc) 20V 160mOhm @ 10A, 20V 4.5V @ 10mA 67 nC @ 20 V +20V, -5V 1083 pF @ 800 V - 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    TK25V60X,LQ

    TK25V60X,LQ

    MOSFET N-CH 600V 25A 4DFN

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 7,330 -
    RFQ

    -

    		 DTMOSIV-H 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Ta) 10V 135mOhm @ 7.5A, 10V 3.5V @ 1.2mA 40 nC @ 10 V ±30V 2400 pF @ 300 V - 180W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
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