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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IRFI634G

    IRFI634G

    MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3

    Vishay Siliconix

    		 8,788 -
    RFQ
    		IRFI634G

    데이터시트

         		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 5.6A (Tc) 10V 450mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 770 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STP300NH02L

    STP300NH02L

    MOSFET N-CH 24V 120A TO220AB

    STMicroelectronics

    		 4,605 -
    RFQ
    		STP300NH02L

    데이터시트

         		STripFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 120A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 109.4 nC @ 10 V ±20V 7055 pF @ 15 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRLZ24PBF-BE3

    IRLZ24PBF-BE3

    MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 10 -
    RFQ
    		IRLZ24PBF-BE3

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) - 100mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRLZ24PBF

    IRLZ24PBF

    MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 2,660 -
    RFQ
    		IRLZ24PBF

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) 4V, 5V 100mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    FQB6N80TM

    FQB6N80TM

    MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK

    onsemi

    		 5,488 -
    RFQ
    		FQB6N80TM

    데이터시트

         		QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5.8A (Tc) 10V 1.95Ohm @ 2.9A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±30V 1500 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 158W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SI3458DV-T1-E3

    SI3458DV-T1-E3

    MOSFET N-CH 60V 3.2A 6TSOP

    Vishay Siliconix

    		 9,461 -
    RFQ

    -

    		 TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3.2A (Ta) 4.5V, 10V 100mOhm @ 3.2A, 10V 1V @ 250µA (Min) 16 nC @ 10 V ±20V - - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    SI4470EY-T1-E3

    SI4470EY-T1-E3

    MOSFET N-CH 60V 9A 8SO

    Vishay Siliconix

    		 4,841 -
    RFQ

    -

    		 TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9A (Ta) 6V, 10V 11mOhm @ 12A, 10V 2V @ 250µA (Min) 70 nC @ 10 V ±20V - - 1.85W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SI4480DY-T1-E3

    SI4480DY-T1-E3

    MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

    Vishay Siliconix

    		 9,821 -
    RFQ

    -

    		 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 6A (Ta) 6V, 10V 35mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA (Min) 50 nC @ 10 V ±20V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SI4470EY-T1-GE3

    SI4470EY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 60V 9A 8SO

    Vishay Siliconix

    		 8,585 -
    RFQ

    -

    		 TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9A (Ta) 6V, 10V 11mOhm @ 12A, 10V 2V @ 250µA (Min) 70 nC @ 10 V ±20V - - 1.85W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRLHM630TR2PBF

    IRLHM630TR2PBF

    MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

    Infineon Technologies

    		 3,463 -
    RFQ
    		IRLHM630TR2PBF

    데이터시트

         		- 8-VQFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) - 3.5mOhm @ 20A, 4.5V 1.1V @ 50µA 62 nC @ 4.5 V - 3170 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount PQFN (3x3)
    STL75N3LLZH5

    STL75N3LLZH5

    MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    		 5,560 -
    RFQ
    		STL75N3LLZH5

    데이터시트

         		STripFET™ V 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 6.1mOhm @ 9.5A, 10V 1V @ 250µA 11.8 nC @ 4.5 V ±18V 1510 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    IRFS7762TRLPBF

    IRFS7762TRLPBF

    MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 7,412 -
    RFQ
    		IRFS7762TRLPBF

    데이터시트

         		HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 85A (Tc) 6V, 10V 6.7mOhm @ 51A, 10V 3.7V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V 4440 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IXTA10N60P

    IXTA10N60P

    MOSFET N-CH 600V 10A TO263

    Littelfuse Inc.

    		 2,382 -
    RFQ
    		IXTA10N60P

    데이터시트

         		Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 740mOhm @ 5A, 10V 5.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 1610 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IXTA3N100P

    IXTA3N100P

    MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

    Littelfuse Inc.

    		 3,671 -
    RFQ
    		IXTA3N100P

    데이터시트

         		Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 3A (Tc) 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IXTP56N15T

    IXTP56N15T

    MOSFET N-CH 150V 56A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    		 9,212 -
    RFQ
    		IXTP56N15T

    데이터시트

         		Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 56A (Tc) 10V 36mOhm @ 28A, 10V 4.5V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±30V 2250 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IXTQ48N20T

    IXTQ48N20T

    MOSFET N-CH 200V 48A TO3P

    Littelfuse Inc.

    		 9,045 -
    RFQ
    		IXTQ48N20T

    데이터시트

         		Trench TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 48A (Tc) 10V 50mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 3090 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IRF3711L

    IRF3711L

    MOSFET N-CH 20V 110A TO262

    Infineon Technologies

    		 7,590 -
    RFQ
    		IRF3711L

    데이터시트

         		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IXTA08N100D2HV

    IXTA08N100D2HV

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV

    Littelfuse Inc.

    		 8,818 -
    RFQ
    		IXTA08N100D2HV

    데이터시트

         		Depletion TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 800mA (Tj) 0V 21Ohm @ 400mA, 0V 4V @ 25µA 14.6 nC @ 5 V ±20V 325 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
    GS-065-011-1-L-TR

    GS-065-011-1-L-TR

    GS-065-011-1-L-TR

    Infineon Technologies Canada Inc.

    		 3,319 -
    RFQ

    -

    		 - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 6V 190mOhm @ 3.2A, 6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V, -10V 70 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    FQA9N90-F109

    FQA9N90-F109

    MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN

    onsemi

    		 4,142 -
    RFQ
    		FQA9N90-F109

    데이터시트

         		QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 8.6A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 4.3A, 10V 5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 2700 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
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