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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IRF1405ZSTRLPBF

    IRF1405ZSTRLPBF

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 9,654 -
    RFQ
    		IRF1405ZSTRLPBF

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 4780 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    PSMN2R0-30BL,118

    PSMN2R0-30BL,118

    MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 2,631 -
    RFQ
    		PSMN2R0-30BL,118

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 117 nC @ 10 V ±20V 6810 pF @ 15 V - 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    PJD100N04-AU_L2_000A1

    PJD100N04-AU_L2_000A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 6,194 -
    RFQ
    		PJD100N04-AU_L2_000A1

    데이터시트

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 5214 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 83.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    IXTA90N15T

    IXTA90N15T

    MOSFET N-CH 150V 90A TO263

    IXYS

    		 5,075 -
    RFQ
    		IXTA90N15T

    데이터시트

         		Trench TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 90A (Tc) 10V 20mOhm @ 45A, 10V 4.5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4100 pF @ 25 V - 455W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IXTA62N25T

    IXTA62N25T

    MOSFET N-CH 250V 62A TO263

    IXYS

    		 4,795 -
    RFQ

    -

    		 Trench TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 62A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-263AA
    IXTA72N20T

    IXTA72N20T

    MOSFET N-CH 200V 72A TO263

    IXYS

    		 6,749 -
    RFQ

    -

    		 Trench TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 72A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-263AA
    IPP80N08S207AKSA1

    IPP80N08S207AKSA1

    MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 9,362 -
    RFQ
    		IPP80N08S207AKSA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    AOT095A60L

    AOT095A60L

    MOSFET N-CH 600V 38A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 8,563 -
    RFQ
    		AOT095A60L

    데이터시트

         		aMOS5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tj) 10V 95mOhm @ 19A, 10V 3V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 4010 pF @ 100 V - 378W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AONV110A60

    AONV110A60

    N

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 4,731 -
    RFQ

    -

    		 aMOS5™ 4-PowerTSFN Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.3A (Ta), 35A (Tc) 10V 110mOhm @ 19A, 10V 3.6V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 4140 pF @ 100 V - 8.3W (Ta), 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-DFN (8x8)
    IPD200N15N3GBTMA1

    IPD200N15N3GBTMA1

    MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 3,967 -
    RFQ
    		IPD200N15N3GBTMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 50A (Tc) 8V, 10V 20mOhm @ 50A, 10V 4V @ 90µA 31 nC @ 10 V ±20V 1820 pF @ 75 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD320N20N3GBTMA1

    IPD320N20N3GBTMA1

    MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 3,640 -
    RFQ
    		IPD320N20N3GBTMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 34A (Tc) 10V 32mOhm @ 34A, 10V 4V @ 90µA 29 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 100 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD600N25N3GBTMA1

    IPD600N25N3GBTMA1

    MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 4,302 -
    RFQ
    		IPD600N25N3GBTMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 25A (Tc) 10V 60mOhm @ 25A, 10V 4V @ 90µA 29 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 100 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    SIR876DP-T1-GE3

    SIR876DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 8,590 -
    RFQ
    		SIR876DP-T1-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 10.8mOhm @ 20A, 10V 2.8V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1640 pF @ 50 V - 5W (Ta), 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    FDMC3020DC

    FDMC3020DC

    MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33

    onsemi

    		 4,044 -
    RFQ
    		FDMC3020DC

    데이터시트

         		Dual Cool™, PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 6.25mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1385 pF @ 15 V - 3W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Dual Cool ™ 33
    IRFH4201TRPBF

    IRFH4201TRPBF

    MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN

    Infineon Technologies

    		 8,449 -
    RFQ
    		IRFH4201TRPBF

    데이터시트

         		HEXFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 49A (Ta) 4.5V, 10V 0.95mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 150µA 94 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 13 V - 3.5W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    IRF2807Z

    IRF2807Z

    MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 4,113 -
    RFQ
    		IRF2807Z

    데이터시트

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    STB200N4F3

    STB200N4F3

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

    STMicroelectronics

    		 9,220 -
    RFQ
    		STB200N4F3

    데이터시트

         		STripFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IXTA05N100-TRL

    IXTA05N100-TRL

    MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

    Littelfuse Inc.

    		 7,761 -
    RFQ

    -

    		 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 750mA (Tc) 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 4.5V @ 250µA 7.8 nC @ 10 V ±30V 260 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IXTA05N100HV-TRL

    IXTA05N100HV-TRL

    MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV

    Littelfuse Inc.

    		 9,145 -
    RFQ

    -

    		 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 750mA (Tc) 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 4.5V @ 250µA 7.8 nC @ 10 V ±30V 260 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
    IRF5210L

    IRF5210L

    MOSFET P-CH 100V 40A TO262

    Infineon Technologies

    		 4,445 -
    RFQ
    		IRF5210L

    데이터시트

         		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) 10V 60mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
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