FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
AOB1404L

AOB1404L

MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

7,324 -
RFQ
AOB1404L

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15A (Ta), 220A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 20A, 10V 3.7V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 20 V - 2.1W (Ta), 417W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FKP202

FKP202

MOSFET N-CH 200V 45A TO220

Sanken Electric USA Inc.

7,450 -
RFQ
FKP202

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 45A (Ta) 10V 53mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 1mA - ±30V 2000 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IPW60R199CPFKSA1

IPW60R199CPFKSA1

MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3

Infineon Technologies

5,277 -
RFQ
IPW60R199CPFKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 199mOhm @ 9.9A, 10V 3.5V @ 660µA 43 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 100 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IRFB3077PBFXKMA1

IRFB3077PBFXKMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

2,036 -
RFQ
IRFB3077PBFXKMA1

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-904
IRF3315

IRF3315

MOSFET N-CH 150V 27A TO220AB

Infineon Technologies

8,350 -
RFQ
IRF3315

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 27A (Tc) 10V 70mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF7201TR

IRF7201TR

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO

Infineon Technologies

9,641 -
RFQ
IRF7201TR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.3A (Tc) 4.5V, 10V 30mOhm @ 7.3A, 10V 1V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 550 pF @ 25 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7809

IRF7809

MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO

Infineon Technologies

5,157 -
RFQ
IRF7809

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17.6A (Ta) 4.5V 7.5mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 86 nC @ 5 V ±12V 7300 pF @ 16 V - 3.5W (Ta) - - - Surface Mount 8-SO
SPP20N60CFDHKSA1

SPP20N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3

Infineon Technologies

2,863 -
RFQ
SPP20N60CFDHKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.7A (Tc) 10V 220mOhm @ 13.1A, 10V 5V @ 1mA 124 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IRFH5301TR2PBF

IRFH5301TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN

Infineon Technologies

4,844 -
RFQ
IRFH5301TR2PBF

데이터시트

- 8-PowerVDFN Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) - 1.85mOhm @ 50A, 10V 2.35V @ 100µA 77 nC @ 10 V - 5114 pF @ 15 V - - - - - Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
IPB60R380C6ATMA1

IPB60R380C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK

Infineon Technologies

5,630 -
RFQ
IPB60R380C6ATMA1

데이터시트

CoolMOS™ C6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 320µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
IRFDC20

IRFDC20

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP

Vishay Siliconix

3,619 -
RFQ
IRFDC20

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 320mA (Ta) 10V 4.4Ohm @ 190mA, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Vishay Siliconix

7,207 -
RFQ
SIHB22N65E-GE3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 2415 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STI18NM60N

STI18NM60N

MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK

STMicroelectronics

7,178 -
RFQ
STI18NM60N

데이터시트

MDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 285mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1000 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
IRFS3507

IRFS3507

MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK

Infineon Technologies

4,270 -
RFQ
IRFS3507

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 97A (Tc) 10V 8.8mOhm @ 58A, 10V 4V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V 3540 pF @ 50 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
SIHG22N60EL-GE3

SIHG22N60EL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Vishay Siliconix

5,818 -
RFQ
SIHG22N60EL-GE3

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 197mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V 1690 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
STD2NK70ZT4

STD2NK70ZT4

MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK

STMicroelectronics

6,279 -
RFQ
STD2NK70ZT4

데이터시트

SuperMESH™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 1.6A (Tc) 10V 7Ohm @ 800mA, 10V 4.5V @ 50µA 11.4 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IPB110N06L G

IPB110N06L G

MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Infineon Technologies

3,939 -
RFQ
IPB110N06L G

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 78A (Tc) - 11mOhm @ 78A, 10V 2V @ 94µA 79 nC @ 10 V - 2700 pF @ 30 V - - - - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IRFS31N20DTRLP

IRFS31N20DTRLP

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Infineon Technologies

6,862 -
RFQ
IRFS31N20DTRLP

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 82mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±30V 2370 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STL11N65M2

STL11N65M2

MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H

STMicroelectronics

4,493 -
RFQ

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 670mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 12.4 nC @ 10 V ±25V 410 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TA) - - Surface Mount -
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Vishay Siliconix

7,880 -
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

데이터시트

E TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 6A (Tc) 10V 900mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±30V 578 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
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